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航空航天结构健康监测应用中的PZT/PZT与PZT/BiT复合压电传感器:光化学金属有机+浸渗沉积及表征

DOI:10.3390/s19010013 期刊:Sensors 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 将细磨的锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)粉末悬浮于PZT和钛酸铋(BiT)溶液中,沉积于IN718和IN738镍基高温合金基体的曲面,形成厚度达100微米的涂层。采用光化学金属有机与渗透技术制备出无掺杂剂、无增稠聚合物的平滑半致密无裂纹随机取向厚压电薄膜作为压电传感器。每层沉积薄膜均在200°C下加热(含10wt%过量PbO),经365nm波长6瓦紫外灯照射10分钟,400°C热解后,再于700°C退火一小时。该过程循环进行直至达到目标厚度。分别采用蒸发法和溅射法沉积金/铂薄膜作为底电极与顶电极。随后对PZT/PZT与PZT/BiT复合薄膜进行表征,并与同类基体上沉积的PZT及BiT厚膜对比,同时研究成分与沉积工艺对压电薄膜晶相发育、微观形貌以及介电、铁电和压电性能的影响。测得PZT/PZT与PZT/BiT厚膜的剩余极化强度最大值分别为Pr=22.37±0.01μC/cm2和30.01±0.01μC/cm2,介电常数εr=298±3和566±5,压电电荷系数d33=126m/V和148m/V,对应最小矫顽场Ec=50kV/cm和20kV/cm。所开发的厚膜压电传感器可潜在应用于1-5MHz频带范围的旋转结构健康监测,并作为收发器用于其他工业或医疗领域。
作者: Hamidreza Hoshyarmanesh,Nafiseh Ebrahimi,Amir Jafari,Parisa Hoshyarmanesh,Minjae Kim,Hyung-Ho Park
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研究概述 实验方案 设备清单

采用光化学金属有机和渗透沉积技术制备并表征PZT/PZT和PZT/BiT复合厚压电薄膜,用于航空航天结构健康监测。

混合溶胶-凝胶PMOD与渗透技术成功在曲面高温合金基底上制备出无裂纹、致密的PZT/PZT和PZT/BiT复合厚膜,其介电、铁电及压电性能均得到提升。该薄膜展现出高剩余极化强度、介电常数和压电系数,适用于航空航天领域的高频结构健康监测。未来工作可聚焦于优化大尺寸基底工艺并进一步降低孔隙率。

在曲面基底(尤其是较大叶片)上的沉积具有挑战性,需要通过取消旋涂等改进措施来实现。该工艺涉及多次热循环,若控制不当可能引发应力或开裂。虽然孔隙和团聚问题得到处理但未完全消除。由于基底曲率和薄膜厚度的影响,横向压电系数(如d31)的测量较为困难。

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