1：实验设计与方法选择：

采用射频反应磁控溅射法，在300°C下于ITO镀膜玻璃基底上沉积VO2薄膜，通过调节氧气流量（2、4、6 sccm）并保持氩气流量恒定（8 sccm）。沉积后进行500°C、3小时热处理以增强结晶度。表征手段包括XRD、SEM、紫外-可见光谱、XPS及电化学测试。

2：6 sccm）并保持氩气流量恒定（8 sccm）。沉积后进行500°C、3小时热处理以增强结晶度。表征手段包括XRD、SEM、紫外-可见光谱、XPS及电化学测试。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：使用ITO镀膜玻璃基底。根据氧气流量将样品标记为V82、V84、V86。数据源自实验室实测。

3：VV86。数据源自实验室实测。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：高纯度钒靶材（99.99%）、氧气与氩气、ITO镀膜玻璃基底、掩模用环氧胶粘剂、0.1 M氢氧化钠电解液。设备：射频磁控溅射系统、台阶仪（布鲁克Dektak XT）、XRD（帕纳科X'Pert PRO）、SEM（日立S-4800）、紫外-可见分光光度计（尼欧基因）、XPS（赛默飞世尔MultiLab 2000）、电化学工作站（比奥罗杰SP-200）。

4：99%）、氧气与氩气、ITO镀膜玻璃基底、掩模用环氧胶粘剂、1 M氢氧化钠电解液。设备：

4. 实验流程与操作步骤：腔室抽真空至5×10^-6 mbar，预溅射10分钟，在150 W功率和3 mbar压力下沉积。测量薄膜厚度并进行结构与光学表征。在三电极体系中进行电化学测试（参比电极Ag/AgCl、对电极Pt、工作电极VO2置于0.1 M NaOH中），开展循环伏安（CV）、线性扫描伏安（LSV）、电流-时间（I-t）及电化学阻抗（EIS）测试。

5：0）、紫外-可见分光光度计（尼欧基因）、XPS（赛默飞世尔MultiLab 2000）、电化学工作站（比奥罗杰SP-200）。 实验流程与操作步骤：

5. 数据分析方法：采用谢乐公式分析XRD数据计算晶粒尺寸，通过Tauc关系计算光学带隙，利用公式Cs = (∫I dV) / (A ν ΔV)从CV曲线获取比电容，通过奈奎斯特图解析EIS数据。