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采用MIST-CVD技术在蓝宝石(0001)衬底上异质外延生长厚α-Ga?O?薄膜

DOI:10.1088/1674-4926/40/1/012804 期刊:Journal of Semiconductors 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 通过雾化化学气相沉积技术在蓝宝石(0001)衬底上异质外延生长了8微米厚的单晶α-Ga2O3外延层。高分辨X射线衍射测量显示(0006)和(10-14)晶面的摇摆曲线半高宽分别为0.024°和0.24°,对应的螺位错和刃位错密度分别为2.24×10?和1.63×10? cm?2,表明具有高单晶质量。面外与面内外延关系分别为[0001]α-Ga?O?//[0001]α-Al?O?和[11-20]α-Ga?O?//[11-20]α-Al?O?。横向晶畴尺寸达微米级,透过率光谱测定其间接带隙为5.03 eV。拉曼测试表明尽管α-Ga?O?外延层厚度较大,仍不能排除晶格失配引起的压应力残余应变。所获得的高质量α-Ga?O?可为开发高性能功率器件和日盲光电探测器提供替代材料平台。
作者: Tongchuan Ma,Xuanhu Chen,Fangfang Ren,Shunming Zhu,Shulin Gu,Rong Zhang,Youdou Zheng,Jiandong Ye
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研究概述 实验方案 设备清单

采用喷雾化学气相沉积(mist-CVD)技术在蓝宝石衬底上生长高质量、无裂纹的厚α-Ga2O3外延层,以应用于功率器件和日盲紫外探测器领域。

该研究成功生长出厚度为8微米、无裂纹的高结晶度α-氧化镓外延层,其螺位错密度低且具有5.03电子伏特的间接带隙。尽管存在残余应变,该材料在高性能功率器件和日盲光电探测器领域展现出应用潜力,可成为β-氧化镓的替代材料。

α-Ga2O3与蓝宝石之间存在4.6%的面内晶格失配,会引入应变和刃型位错,且压缩残余应变未完全释放。表面形貌粗糙,影响光学性能。需进一步优化以降低位错密度和应变。

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