研究目的
研究采用不同工艺技术制备的n+ - GaN源极层GaN基垂直沟槽MOSFET转移特性中的迟滞现象。
研究成果
采用离子注入源区的垂直沟道MOSFET在负栅极偏压应力下表现出显著逆时针迟滞和阈值电压漂移，而外延生长源区的器件则显示出更小的迟滞和阈值电压漂移，表明其具有更好的稳定性。
研究不足
设备B中大迟滞现象的模型正在研究中，这表明对其潜在机制的理解尚不完整。
1：实验设计与方法选择：
对比研究两种具有不同n+-GaN源极结构（离子注入与外延生长）的GaN基垂直沟槽MOSFET，以评估阈值电压迟滞效应。
2：样品选择与数据来源：
制备器件包括：器件A（离子注入n+-GaN源极层）和器件B（外延生长源极层）。
3：实验设备与材料清单：
采用ICP反应离子刻蚀形成沟槽，ALD-Al2O3或CVD-SiO2沉积栅介质，Ni/Au作为体接触电极，Ti/Al作为源极和栅极电极，Ti/Ni/Au作为漏极接触电极。
4：实验流程与操作步骤：
器件制备后，在VDS=5V、扫描速率1V/s条件下进行栅压扫描转移特性测试，通过改变扫描起始电压和应力时间评估阈值电压偏移。
5：5V、扫描速率1V/s条件下进行栅压扫描转移特性测试，通过改变扫描起始电压和应力时间评估阈值电压偏移。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：分析转移特性中的迟滞现象及阈值电压偏移量。
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ICP reactive ion etching
Used for trench formation in device fabrication.
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ALD-Al2O3
Used as gate dielectric film deposition.
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CVD-SiO2
Used as gate dielectric film deposition.
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Ni/Au
Used for body contact formation.
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Ti/Al
Used for source and gate electrode formation.
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Ti/Ni/Au
Used for backside drain contacts.
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