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掺杂不同杂质锗中的霍尔效应

DOI：10.3103/S1068375518040063 期刊：Surface Engineering and Applied Electrochemistry 出版年份：2018 更新时间：2025-09-22 18:13:17
摘要： 研究了不同杂质对n-Ge〈Sb〉单晶中电子过程动力学的影响。在n-Ge〈Sb + Si〉晶体以及掺杂稀土元素的锗晶体中，在以杂质散射为主导的区域（77K温度下），检测到电荷载流子迁移率的显著降低，并对此效应作出了解释。
作者： G. P. Gaidar，E. Yu. Gaivoronskaya
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

分析电中性（等价）硅杂质对n型锗中载流子霍尔迁移率的影响，并研究掺杂稀土元素镧（La）、镨（Pr）和钕（Nd）的锗中的霍尔效应。

研究成果

在n型锗中，电中性硅杂质的存在会因中性中心及晶格缺陷的额外散射作用，显著降低77K温度下的载流子迁移率。稀土元素杂质同样会导致77K迁移率下降，这可能与它们和氧等中性杂质形成复合物有关。这些发现揭示了杂质相互作用对半导体性能的重要影响，并为深入研究复合效应提供了研究方向。

研究不足

该研究受限于晶体内部偏析导致的硅杂质非均匀分布，这可能影响迁移率下降的单调性。此外，关于含硅杂质的锗材料中霍尔系数随磁场强度变化关系的文献缺失，增加了数据处理的复杂性。稀土元素杂质的影响需通过进一步的物理化学研究才能得出明确结论。

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