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一步法合成厘米级单晶α-三氧化钼

DOI:10.1016/j.apsusc.2019.01.169 期刊:Applied Surface Science 出版年份:2019 更新时间:2025-11-21 11:24:58
摘要: 通过采用便捷的物理气相沉积工艺,我们开发出一种简单且低成本的合成路线,成功制备出具有单晶特性和显著尺寸(大于10毫米×10平方毫米)的高质量正交相三氧化钼晶体。结合原子力显微镜、X射线光电子能谱、同步辐射X射线衍射和拉曼光谱等多种表征技术,从电子结构和物理结构两个层面证实了α-MoO3晶体的高品质。与文献中先前报道的方法相比,本研究展示了一种仅需三氧化钼粉末的极简化一步合成法。最终测试的电致变色性能显示出高透光率和优异的光学特性,这可能拓展三氧化钼单晶在纳米传感器、纳米电子学等领域的潜在应用。
作者: Haoliang Sun,Huan Zhang,Xinxin Jing,Jinping Hu,Kongchao Shen,Zhaofeng Liang,Jinbang Hu,Qiwei Tian,Mi Luo,Zhiyuan Zhu,Zheng Jiang,Han Huang,Fei Song
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研究概述 实验方案 设备清单

开发一种简单、低成本的一步物理气相沉积方法,用于合成厘米级高质量α-MoO3单晶,并探索其特性及潜在应用。

采用简化的单步物理气相沉积法成功合成了厘米级高结晶度层状结构的α-MoO3单晶。这些晶体最薄处仅0.7纳米,具备二维应用潜力,具有高光学透过率(初始状态84.9%)、显著光学调制能力(88.5%)及高电导率(1.5×10^-4西门子),在纳米电子学、电致变色器件和传感器领域展现出应用前景。

XPS分析表明合成产物可能存在杂质,且该方法在大规模应用或工业可重复性方面尚未充分论证。向下结晶工艺在控制晶体尺寸均匀性上可能存在局限。

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