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[IEEE 2019 European Space Power Conference (ESPC) - Juan-les-Pins, France (2019.9.30-2019.10.4)] 2019 European Space Power Conference (ESPC) - Narrow Bandgap Dilute Nitride Materials for 6-junction Space Solar Cells

DOI:10.1109/espc47532.2019.9049263 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: Narrow bandgap p-i-n dilute nitride GaInNAsSb junctions, for use as bottom cell in 6-junction solar cells, are reported. In particular, we demonstrate a high optical quality for GaInNAsSb junction with a bandgap ~0.78 eV, corresponding to a N content of 6.2%. Under AM0 illumination, such cell exhibits a photocurrent of 36.6 mA/cm2. By extracting the parameters of the experimental cell, we estimate the the AM0 efficiency of a 6-junction multijunction solar cell employing the GaInNAsSb junction, to attain a value of 33%. Further improvements are discussed towards achieving the full potential of the 6-junction design.
作者: Riku Isoaho,Timo Aho,Jarno Reuna,Arto Aho,Marianna Raappana,Mircea Guina,Antti Tukiainen,Turkka Salminen
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Investigating the use of narrow bandgap dilute nitride GaInNAsSb materials for 6-junction space solar cells to achieve higher conversion efficiencies under AM0 illumination.

The study demonstrates the potential of GaInNAsSb materials with high N compositions for use in 6-junction solar cells, achieving a photocurrent of 36.6 mA/cm2 under AM0 illumination for a cell with 6.2% N content. The estimated AM0 efficiency for a 6-junction design incorporating such a cell is 33%, with potential for further improvements.

The study acknowledges that further optimization of the narrow bandgap GaInNAsSb materials is needed to achieve higher AM0 efficiencies exceeding 35%. The current level of material quality limits the estimated efficiency of the 6-junction design to 33%.

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