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Influence of the Quantum Well Structure and Growth Temperature on a Five-Layer InGaMnAs Quantum Well with an InGaAs Buffer Layer

DOI:10.1166/jnn.2018.15008 期刊:Journal of Nanoscience and Nanotechnology 出版年份:2018 更新时间:2025-09-09 09:28:46
摘要: The in?uence of quantum well structure and growth temperature on a synthesized multilayer system composed of a ?ve-layer InMnGaAs quantum well with an InGaAs buffer layer grown on semi-insulating (100)-oriented substrates prepared by low temperature molecular beam epitaxy was studied. The magnetization measurements using a superconducting quantum interference device indicated the existence of ferromagnetism with a Curie temperature above room temperature in the ?ve-layer InGaMnAs quantum well structure with an InGaAs buffer layer in a GaAs matrix. X-ray diffraction and secondary ion mass spectroscopy measurements con?rmed the second phase formation of ferromagnetic GaMn clusters. The ferromagnetism that exists in the ?ve-layer of the InMnGaAs quantum well with the InGaAs buffer layer results from a superposition of the ferromagnetism of the low temperature region from the substitutional Mn ions into Ga sites or interstitial Mn ions as well as the presence of manganese ions dopant clusters such as GaMn clusters.
作者: Im Taek Yoon,Sejoon Lee,Dmitry V. Roshchupkin,Gennady N. Panin
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To study the influence of quantum well structure and growth temperature on a synthesized multilayer system composed of a five-layer InMnGaAs quantum well with an InGaAs buffer layer grown on semi-insulating (100)-oriented substrates prepared by low temperature molecular beam epitaxy.

The study confirmed the presence of ferromagnetism with a Curie temperature above room temperature in the five-layer InGaMnAs quantum well structure with an InGaAs buffer layer. The ferromagnetism results from a superposition of the ferromagnetism of the low temperature region from substitutional Mn ions into Ga sites or interstitial Mn ions as well as the presence of GaMn clusters.

The study is limited by the specific conditions of the MBE growth process and the characterization techniques used. The formation of ferromagnetic clusters and their influence on the properties of the quantum well structure may vary under different growth conditions or with alternative characterization methods.

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