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oe1(光电查) - 科学论文

97 条数据
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  • [IEEE 2018国际应用计算电磁学学会研讨会-中国（ACES）-北京，中国（2018.7.29-2018.8.1）] 2018国际应用计算电磁学学会研讨会-中国（ACES）-用于P/L波段应用的双极化超薄可调人工磁导体表面

    摘要： 介绍了一种用于光电子应用的新型结构双波长激光二极管（DWLD）。该器件工作在1550纳米和1310纳米波长，实现了高输出功率和稳定性能。实验结果表明其在光通信系统中具有应用潜力。

    关键词： 1310纳米，光通信，1550纳米，双波长激光二极管，光电子学

    更新于2025-11-28 14:23:57

  • 手性异构掺杂的超分子配位网络用于高性能光电子学

    摘要： 手性自分类在构建新型复杂结构及确定多组分混合物中手性依赖特性方面具有巨大潜力。然而实现高保真手性自识别仍极具挑战性。此外，由于导电性低且难以开发快速简便的规模化合成方法，配位聚合物或金属有机框架（CPs/MOFs）在微纳光电子学领域的研究仍较为匮乏。本研究通过萘二酰亚胺对映体与碘化镉的溶剂热反应合成了异手性超分子配位网络（SCNs），利用手性作为调控参数控制形貌。值得注意的是，异手性微/纳米晶体展现出光致变色和光电探测性能。我们进一步开发了简便高效的肼掺杂方法来提升微/纳米晶体的导电性和光响应性。实验与理论研究表明：配体单占据分子轨道（SOMO）能级中的自由基提供载流子，可在π-π堆叠配体间进行"跨空间"传输；吸附肼向SCNs的电子转移导致能隙减小，从而增强导电性。该研究为采用氧化还原配体构建适用于微纳光电子应用的配位网络提供了简洁而高效的策略。

    关键词： 手性自识别、掺杂、微/纳器件、光电子学、超分子配位网络

    更新于2025-11-19 16:56:35

  • 通过苄醇酯化提高石墨烯量子点的量子产率

    摘要： 通过苯甲醇酯化反应限制石墨烯量子点边缘表面官能团的旋转和振动，其量子产率得以提升；这一增强对于石墨烯量子点在光捕获器件和光电子学中的广泛应用至关重要。所获得的具有高度石墨烯堆叠结构的量子点，被认为会与边缘苄基酯的相邻芳香环发生π-π相互作用，从而抑制石墨烯量子点中的非辐射复合过程。此外，粗制石墨烯量子点呈凝胶状固体形态，在蓝光照射下呈现白色发光。我们的研究结果表明：通过有机修饰方法调控石墨烯量子点表面官能团，具有提升纳米材料光物理性能（如量子产率和发射带隙能量）的潜力。

    关键词： 光电子学、酯化反应、量子产率、苯甲醇、石墨烯量子点

    更新于2025-11-19 16:46:39

  • 由非晶态M+Ge2Se3（M=Cu、Sn）构成的光控晶体管，用于访问和连续编程忆阻器

    摘要： 我们证明，由溅射非晶硫系化合物Ge2Se3/M+Ge2Se3（M=Sn或Cu）交替层构成的器件可作为光控晶体管（OGT），并用作忆阻器存储元件的选通晶体管。该晶体管仅有两个电连接端（源极和漏极），栅极受光学控制，因此仅在光照（385-1200纳米）条件下工作。OGT的开关速度低于15微秒。实验将OGT与Ge2Se3+W忆阻器串联，通过调节OGT栅极的光照强度，利用OGT的饱和电流作为编程钳位电流，可将忆阻器编程至连续的非易失性存储状态范围。由于具有连续非易失态范围，单个存储单元有望实现2?级存储。这种高密度特性结合光学可编程性，可实现电子/光子混合存储。

    关键词： 访问晶体管、硫系化合物、阻变随机存取存储器、光电子学、选择器、非晶态、忆阻器

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过（扫描）透射电子显微镜技术对块体和纳米颗粒卤化铅钙钛矿薄膜的结构表征

    摘要： 卤化铅(APbX3)钙钛矿材料，无论是多晶薄膜还是钙钛矿纳米颗粒(NPs)，都展现出实现新一代光伏和光子器件的卓越性能。(扫描)透射电子显微镜((S)TEM)技术对APbX3薄膜的结构表征能提供重要信息，有助于理解并建模其光电性能与器件特性。然而由于APbX3钙钛矿属于软性材料，采用(S)TEM进行表征具有挑战性。本研究对比分析了两种金属卤化物APbX3钙钛矿薄膜的结构特性：通过溶液旋涂前驱体制备的块体CH3NH3PbI3，以及采用刮刀法合成沉积的CsPbBr3胶体NPs。我们优化了两种样品制备方法和(S)TEM分析的工作条件。结果表明：一步法生长的CH3NH3PbI3薄膜形成具有良好TiO2层附着性的四方相钙钛矿，其光致发光(PL)发射峰位于775 nm。基于CsPbBr3胶体NPs（作为薄膜构建单元）的钙钛矿薄膜在沉积过程中结构得以保留，尽管相邻NPs间存在微小间隙。CsPbBr3 NPs的立方晶体结构因其最佳带隙而具有优异光学特性。CsPbBr3 NPs薄膜与胶体溶液的吸收/PL光谱高度相似，表明薄膜具有良好的均匀性且无NPs团聚现象。但结构研究需特别注意避免长时间电子辐照——即便在80 kV低电压下，该材料仍会因铅偏析而发生分解。

    关键词： 结构表征、透射电子显微镜（TEM）、薄膜、光电子学、扫描透射电子显微镜（STEM）、纳米粒子、钙钛矿

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 橙红色荧光聚合物纳米复合薄膜的大斯托克斯位移：一项光电学实践

    摘要： 本文报道了橙红色荧光聚合物纳米复合材料（PNC）杂化体的成功制备，该材料除具有高度设计灵活性和易自清洁特性外，还能实现高效光子管理和显著的UVA防护。通过羟基主链聚乙烯醇（PVA）与纳米结构锌酸钠（Na2ZnO2）的水溶液浇铸法，开发出光学透明的PNC厚膜。所制PNC薄膜能通过荧光发射将高能UVA辐射有效光子下转换为准橙红色低能光。光学带隙研究表明其具有直接带隙特征，价带顶与导带底出现在相同波矢位置。静态接触角测试证实纳米填料诱导了润湿性转变（亲水至近亲水）。PVA/Na2ZnO2纳米复合薄膜的荧光光谱（激发与发射）分析验证了其具有显著的大斯托克斯位移（约245 nm），表明光子吸收带与发射带之间存在良好分离，这有助于指数级降低重吸收导致的光损耗。热重分析证实其具有优异的热稳定性。PVA/Na2ZnO2纳米复合薄膜凭借较大的斯托克斯位移、优异的热稳定性和卓越的紫外光捕获能力，成为太阳能电池应用中极具潜力的发光下转换（LDS）材料。

    关键词： 橙红色荧光，斯托克斯位移，光电子学

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2018年第二届数据科学与商业分析国际会议（ICDSBA）- 中国长沙（2018.9.21-2018.9.23）] 2018年第二届数据科学与商业分析国际会议（ICDSBA）- 不同天气条件下基于P&O与INC的MPPT追踪比较研究

    摘要： 该论文探讨了数据科学与商业分析在光电子学领域的应用，重点研究光伏系统的建模与仿真技术。文中提出了一种通过先进数据分析方法提升效率与性能的新途径。

    关键词： 数据科学、商业分析、光电子学、光伏系统、模拟、建模

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 采用三甲基铟、四(二甲氨基)锡和臭氧前驱体体系进行超薄氧化铟和氧化铟锡薄膜的原子层沉积

    摘要： 氧化铟（IO）和氧化铟锡（ITO）作为优质透明导电氧化物层，在光电子领域应用广泛。这类涂层的一个潜在用途是增强航天器热辐射器涂层的电学性能——在该应用中消散累积静电荷至关重要。本研究作者通过原子层沉积（ALD）法合成了不同厚度的IO薄膜，探究其电学与光学特性的厚度依赖性，旨在为辐射器颜料涂层寻找最佳工艺条件。采用三甲基铟和臭氧作为IO前驱体，使用四(二甲氨基)锡(IV)源进行锡掺杂以制备ITO。在140°C下制备的原生IO薄膜呈现约0.46 ?/周期的生长速率，且薄膜电阻率低至1.4×10?3 Ω·cm。对于ITO薄膜，由1个锡循环+19个铟循环组成的ALD超循环工艺，可提供与文献广泛报道的10 wt.%掺杂量相对应的最佳锡掺杂水平。

    关键词： 原子层沉积、氧化铟、光电子学、透明导电氧化物、薄膜、氧化铟锡

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 利用扫描探针显微镜技术探测垂直范德华p-n结中的层间激子

    摘要： 二维（2D）半导体凭借单维度强限域效应展现出卓越的光电特性。本研究采用电流传感原子力显微镜（CSAFM），对由双层n型MoS2与少层p型GaSe垂直堆叠构成的p-n结中层间激子进行了研究。该p-n界面通过机械剥离法制备于高定向热解石墨（HOPG）基底上，由此形成的异质结构构成了理想的分层体系——HOPG作为电学表征的底电极接触层。在CSAFM模式下，自制金探针作为顶电极接触。基础二极管测试显示：该p-n界面在±1V偏压下呈现显著整流特性（整流比达10^4）。I-V特性曲线表明，在低于带隙能量的激发条件下会产生填充因子为0.55的明显光伏效应，该现象可归因于界面处层间激子解离。密度泛函理论（DFT）计算证实该异质结构存在层间激子形成可能：GaSe价带与MoS2导带在约1.5eV能级贡献了界面特有态。p-n界面的光致发光测量为该能级的激子跃迁提供了实验证据。最后，785nm激发波长下的界面光电流成像证实了此类激子的高效提取。本研究为范德华异质结构中层间激子辅助的未来二维光电器件及光捕获应用开辟了新途径。

    关键词： 光电子学、范德瓦尔斯异质结、硒化镓、密度泛函理论、二硫化钼、层间激子、p-n结

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 用于新型压电子学和压光电子学的二维纳米材料

    摘要： 由于二维（2D）限域带来的新奇特性，二维纳米材料研究已成为凝聚态物理和材料科学的前沿课题之一。从晶体学角度看，二维形态体现了三维对称性的自发破缺——这意味着某些块体材料中保留的反演对称性，在其对应的二维材料中可能被打破，从而产生本征压电特性。这类兼具半导体特性的二维材料，是新型超薄压电子学与压光电子学的理想候选材料。一方面，二维压电材料易于与当前最先进的半导体工艺及传统电子技术集成；另一方面，压电性与其他非常规特性（如铁磁性或拓扑绝缘体特性）在二维材料中的潜在组合，可能催生面向新应用的物理学新发现与创新器件设计。本文综述了二维压电子学与压光电子学的最新突破，内容涵盖基础原理到其在能量收集、自适应电子/光电子领域的广泛应用?；谇痹诘目蒲в肫骷⒄骨熬?，我们最后深入探讨了这一活跃研究领域可能的未来方向。

    关键词： 界面调制、压光电子学、有源电子学/光电子学、二维纳米材料、压电电子学

    更新于2025-09-23 15:23:52