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oe1(光电查) - 科学论文

97 条数据
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  • 用于高响应度紫外-可见-近红外光电探测器阵列的二维层状SnSe薄膜晶圆级生长

    摘要： 由于其优异的电学和光学特性，作为二维（2D）半导体典型候选材料的硒化锡（SnSe）在新颖光电子学领域引起了广泛关注。然而，大面积高质量SnSe薄膜的生长仍是一项重大挑战，这限制了其实际应用。本研究通过可扩展的磁控溅射方法制备出具有高均匀性和结晶度的晶圆级SnSe超薄薄膜。结果表明，该SnSe光电探测器对紫外-可见-近红外宽波段具有高度敏感性，尤其在277.3 A W?1的超高响应度下（对应外量子效率达8.5×10?%，探测率达7.6×1011 Jones），这些性能指标在溅射制备的二维光电探测器中处于最优水平。我们详细讨论了基于局域缺陷陷阱效应引发光栅控效应的光电探测机制，研究表明溅射生长的少层SnSe薄膜在设计高性能光电探测器阵列方面具有重要潜力。

    关键词： 硒化锡、探测率、响应度、光电子学、SnSe、紫外-可见-近红外、二维半导体、外量子效率、光电探测器、磁控溅射

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 利用共聚焦激光扫描显微镜提升集成关联光电子显微镜中的三维相关性

    摘要： 用于红外和可见光谱中快速高效光探测与成像的集成光电子技术。

    关键词： 光电子学、可见光谱、光检测、红外线、成像

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [2019年IEEE高功率二极管激光器与系统会议(HPD) - 英国考文垂 (2019.10.9-2019.10.10)] 2019年IEEE高功率二极管激光器与系统会议(HPD) - 用于激光雷达应用的高功率1.5μm激光二极管

    摘要： 高功率、高效率的3.5微米波段激光器的发展对于光电子学的各种应用至关重要，包括医疗诊断、环境监测和国防系统。本文提出了一种通过使用先进半导体材料和创新器件架构来提升这些激光器性能的新方法。我们的实验结果显示输出功率和效率有显著提升，为下一代光电子器件铺平了道路。

    关键词： 半导体材料、器件架构、高功率、3.5微米波段激光器、高效率、光电子学

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 利用具有非对称接触的石墨烯层和石墨烯纳米带场效应晶体管检测亚太赫兹辐射

    摘要： 我们报道了利用单层石墨烯及具有非对称接触（一个为肖特基接触，一个为欧姆接触）的石墨烯纳米带场效应晶体管对亚太赫兹辐射的探测结果。研究发现，将石墨烯切割成百纳米宽的纳米带会导致其对亚太赫兹辐射的响应减弱。研究表明，石墨烯纳米带器件中响应的抑制现象可通过石墨烯-钒界面肖特基势垒的特殊性质来解释。

    关键词： 探测器，太赫兹区域，石墨烯，太赫兹辐射，石墨烯纳米带，光电子学

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 横向磁场下单壁碳纳米管场效应晶体管中电致发光模型

    摘要： 采用非平衡格林函数方法计算了横向磁场作用下短沟道单壁碳纳米管场效应晶体管的电致发光光谱与辐射复合速率。研究发现随着磁场强度增加，辐射复合速率显著增强且电致发光光谱发生红移。通过能量位置分辨的局域态密度计算估算的带隙抑制效应，在外磁场影响下对输运机制起主导作用。利用横向磁场调控单壁碳纳米管电致发光光谱的特性，可将其作为下一代光电子与光子器件中的纳米级光源。

    关键词： 电致发光、单壁碳纳米管、光电子学、辐射复合率、等离子体激元学、场效应晶体管

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • (111)取向量子点的异常Stranski-Krastanov生长及其可调润湿层厚度

    摘要： 在拉伸应变驱动下，GaAs量子点（QDs）在晶格匹配InP衬底的In0.52Al0.48As(111)A表面自组装形成。本研究显示，这些GaAs(111)A量子点的拉伸应变自组装过程意外地偏离了经典的Stranski-Krastanov（SK）生长模式。传统SK模式下形成的量子点会堆叠在厚度固定的平坦浸润层（WL）之上，而浸润层厚度不可调控的特性阻碍了研究者对这些0D-2D混合量子体系中量子点-浸润层相互作用的完全控制。通过显微技术、光谱分析和计算建模，我们证明对于GaAs(111)A量子点，即使在拉伸应变量子点（TSQDs）开始形成后，仍能通过持续增加GaAs沉积量来不断提高浸润层厚度。这种异常的SK行为实现了对TSQD尺寸与浸润层厚度的同步调控——此前从未有文献报道过这种对经典SK生长机制的突破。由此我们现在可以调控量子点-浸润层相互作用，未来将有助于更精确地控制TSQD能带结构，推动红外光电子学和量子光学应用发展。

    关键词： 润湿层、量子点、拉伸应变、斯特朗斯基-克拉斯坦诺夫生长、光电子学

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 夹在六方氮化硼与纳米石墨烯之间的铂纳米团簇作为范德华异质结构用于光电子学

    摘要： 我们报道了由半金属石墨烯、金属铂和绝缘体六方氮化硼(h-BN)组成的纳米异质结构的形成。石墨烯和h-BN都是化学惰性的二维材料，具有相似的几何结构但不同的电子特性。在这两种材料之间封装了铂纳米粒子阵列。由此，h-BN/Rh(111)纳米网作为铂纳米团簇有序阵列的模板，其上外延生长石墨烯，形成单一纳米异质结构。我们通过基于同步辐射的高分辨率X射线光电子能谱(XPS)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)原位研究了这一过程。在测试条件下，纳米石墨烯层对CO表现出紧密贴合性。这些纳米异质结构可能在光电子学或数据存储材料中找到应用。同时，我们的方法为纳米石墨烯的合成提供了新途径。

    关键词： 纳米团簇、光电子学、六方氮化硼、纳米石墨烯、数据存储、石墨烯、铂

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2019年第20届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 俄罗斯阿尔泰共和国埃尔拉戈尔 (2019.6.29-2019.7.3)] 2019年第20届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 基于等离子体刻蚀的InP基光学波导结构制备技术发展

    摘要： 本文介绍了在氯气/氩气混合气体中添加氮气和氧气的电感耦合等离子体条件下，对InP基结构进行等离子体刻蚀的工艺开发结果?？淌床捎玫柩谀＝?。文中展示了工艺参数对刻蚀速率、形成元件的形貌及表面粗糙度的影响关系。利用开发的刻蚀工艺制备了光波导结构元件。

    关键词： 磷化铟，等离子体刻蚀，光电子学

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 利用二氧化钛纳米锥阵列中的介电光学波导实现太阳能燃料生产的高宽带光传输

    摘要： 我们描述了TiO?纳米锥阵列的制备及其应用，该阵列能使覆盖高负载光吸收电催化剂的光电半导体电极实现高光学透射率。当超过50%的光吸收体表面被高折射率TiO?纳米锥阵列覆盖时，该表面呈现出减反特性（反射率<5%），即使在与纳米锥非正对区域沉积厚金属触点或不透明催化剂涂层的情况下，仍能保证>85%的宽带光透射至底层硅基体。针对400-1100 nm光谱范围的三维全场电磁模拟表明，入射宽带光耦合进入TiO?纳米锥的多种导波模式，从而减少了光与金属层的相互作用。我们通过概念验证实验展示了光驱动水氧化过程：在p+n-Si光阳极表面修饰TiO?纳米锥阵列，并在未被纳米锥覆盖的p+n-Si区域电沉积Ni催化剂层。该光阳极在100 mW cm?2的AM 1.5模拟光照下产生约28 mA cm?2的光限电流密度——相当于裸露平面硅表面的预期值，尽管硅前表面54%区域被约70 nm厚的Ni金属层覆盖。

    关键词： 光伏、纳米光子学、光电子学、介电纳米锥、光电化学、宽带传输

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 耦合量子阱

    摘要： 由于具有独特的材料特性，ZnO材料体系中的子带间跃迁被预测是红外和太赫兹（THz）光电器件的理想候选者。特别是，由于ZnO材料体系具有较大的光学声子能量，其太赫兹量子级联激光器的温度性能有望得到显著提升。为实现这一目标，研究者在非极性m面ZnO衬底上观测到了ZnO/MgxZn1?xO非对称耦合量子阱中的子带间跃迁。在室温下，能量范围约250 meV至约410 meV内观测到两个吸收峰，明确证实了非对称耦合量子阱中的阱间耦合现象?？悸亲哟湓厩ㄏ嗷プ饔玫睦砺勰Ｐ陀胧笛榻峁逦呛狭己?，从而证明了所研究体系具有强耦合特性。作为基于子带间跃迁的复杂量子结构的基本单元，这些结果表明ZnO/MgxZn1?xO材料体系在红外和太赫兹光电子学及物理学领域具有重大应用潜力。

    关键词： 子带间跃迁、氧化锌、光电子学、量子阱、太赫兹、红外

    更新于2025-09-12 10:27:22