修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

10 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 卤化物钙钛矿纳米晶体的蓝色电致化学发光

    摘要： 电致化学发光（ECL）因无需昂贵光学元件和光源即可通过电化学方式产生，已广泛应用于超灵敏电分析领域。该方法可获得具有合理量子产率和稳定性的可见光ECL发射。而蓝色ECL较为罕见，通常存在稳定性差和量子效率低的问题。本文首次报道了以三丙胺（TPrA）为共反应物时，有机金属卤化物钙钛矿纳米晶体（PNCs）CH3NH3PbCl1.08Br1.92在473 nm处产生的蓝色ECL发射，其ECL发射峰位置与光致发光峰位相似。除该蓝色发射峰外，CH3NH3PbCl1.08Br1.92 PNCs的ECL光谱在745 nm处还呈现宽泛的ECL峰，这可归因于合成过程中表面钝化不完全导致PNCs表面存在陷阱态。研究同时证实了CH3NH3PbX3（X：Cl、Br、I）PNCs的ECL发射存在卤素阴离子调控特性。通过405 nm激光激发同步获取荧光光谱，展示了单PNC的荧光显微图像及选定单PNCs的稳定性，其光致发光（PL）衰减过程表现为1.2 ns的PL寿命（τ）。此外还探讨了表面活性剂（油酸和正辛胺）对CH3NH3PbCl1.08Br1.92 PNCs荧光强度及稳定性的影响。

    关键词： 表面活性剂、蓝光发射、电化学发光（ECL）、光致发光（PL）、钙钛矿纳米晶体（PNCs）、光致发光量子产率（PLQY）

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 蓝色光致发光钙钛矿量子点的电致化学发光与光谱电化学特性

    摘要： 基于铅的钙钛矿材料MAPbX3（MA=CH3NH3，X=Cl和Br）在推动现代光电子学和清洁能源采集器件发展方面展现出巨大潜力。结构稳定性差是MAPbX3钙钛矿材料实现理想器件性能需要克服的主要挑战之一。本研究通过电化学发光（ECL）和光致发光（PL）光谱电化学方法，对CH3NH3PbCl1.08Br1.92量子点（QDs）的电化学稳定性进行了研究。原始MAPbX3量子点薄膜的电化学阳极氧化会导致甲基铵离子和卤素离子（X=Cl和Br）的不成比例损失。当钙钛矿量子点与共反应物三丙胺（TPrA）结合并嵌入聚苯乙烯（PS）基质后，其ECL效率和稳定性可显著提升。通过质谱和X射线光电子能谱（XPS）测量，我们揭示了量子点化学成分的变化细节，这些变化导致了电化学池中钙钛矿量子点的ECL和PL特性（如波长红移）。

    关键词： 量子点（QDs）、钙钛矿、蓝光发射、纳米晶体、聚苯乙烯（PS）、电化学发光（ECL）、光致发光（PL）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 用于近紫外LED的高发光Ba2SiO4?δN2/3δ:Eu2+荧光粉：N3?取代导致光致发光增强的机理

    摘要： 成功制备并表征了不同N3?含量的Ba?SiO??δN?/?δ:Eu2?（BSON:Eu2?）材料。Rietveld精修表明N3?离子部分取代了SiO?四面体中的O2?离子，因为Si-(O,N)键长（平均值=1.689 ?）较Si-O键长（平均值=1.659 ?）略有延长，导致Ba(2)-O键长从2.832 ?微缩至2.810 ?。通过二次离子质谱（SIMS）测定100 nm至2000 nm晶粒深度范围内BSON:Eu2?荧光粉的平均N3?含量：使用100% α-Si?N?合成为0.064，使用50% α-Si?N?与50% SiO?合成为0.035，使用100% SiO?合成为0.000。红外（IR）和X射线光电子能谱（XPS）测量验证了Rietveld精修结果：850 cm?1处新出现的IR振动模式（Si-N伸缩振动）及N3?取代导致的98.6 eV结合能（Si-2p）。此外，在紫外区，N3?取代的BSON:Eu2?（使用100% α-Si?N?合成）荧光粉吸光度约为BSO:Eu2?（使用100% SiO?合成）的两倍。令人惊讶的是，由于N3?取代，BSON:Eu2?（使用100% α-Si?N?合成）的光致发光（PL）和LED-PL强度约为BSO:Eu2?（使用100% SiO?合成）的5.0倍。通过Williamson-Hall（W-H）方法估算的压缩应变随Ba?SiO?基质中N3?含量增加而略微增大，证实N3?离子对BSON:Eu2?荧光粉PL强度的大幅增强起重要作用。这些荧光粉材料可作为开发新型荧光粉及应用于近紫外白色LED领域的突破口。

    关键词： N3? 取代，Ba2SiO4:Eu2+，红外光谱（IR），光致发光（PL），二次离子质谱（SIMS），X射线光电子能谱（XPS）

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 直接激光写入技术在光刻胶中形成的潜在三维激光曝光图案的表征

    摘要： 我们描述了一种用于表征光刻胶中三维激光曝光图案的光致发光猝灭方法，这些图案是在显影前通过直接激光写入记录的。通过使聚焦激光束扫描光刻胶中的曝光图案，可以确定曝光图案的重要特征，如尺寸、形状以及曝光阈值。

    关键词： 淬火、阈值、直接激光写入（DLW）、光曝光、光致发光（PL）

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 石墨烯量子点的合成与表征

    摘要： 传统无机半导体量子点（QDs）因其独特的尺寸和形貌可调带隙、表面功能化能力，在能量收集、光电器件及生物传感等领域具有广泛应用，因而过去几十年备受关注。然而，这些量子点每克数千美元的高昂市场价格及毒性限制了其工业实用性。在此背景下，作为纳米碳材料及量子限域半导体新成员的石墨烯量子点（GQD），凭借其光学与电学性能的可调潜力及薄膜加工特性，有望成为传统有毒量子点的替代方案，从而实现多种应用。本文将结合相关理论背景与现有实验结果，探讨光学及电学性能随尺寸、形貌、掺杂和功能化变化的规律及其局限性。综述重点介绍了迄今各种GQD合成方法，并特别强调从光谱、光学及显微技术等表征手段入手，解析其工作原理、优势与不足。最后我们将讨论这些GQD及其杂化纳米材料的环境影响与毒性限制，以推动其未来发展前景。

    关键词： 光致发光（PL）、石墨烯量子点（GQDs）、电化学发光（ECL）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • CIGS太阳能电池反向偏压暴露导致的缺陷中材料性能变化

    摘要： 铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）组件局部遮阴会导致反向偏压诱导的蠕虫状缺陷形成。这些蠕虫状缺陷作为局部短路点会永久降低组件输出功率。为减轻负面影响或防止此类缺陷形成，必须深入理解其形成与扩展机制。本文通过使小型未封装电池片承受反向偏压条件成功制备了蠕虫状缺陷。扫描电子显微镜-能谱分析显示：缺陷区域周边发生了元素重排——铟、镓和铜被镉取代，而硒则被硫取代。此外，光谱分辨光致发光光谱在该区域检测到额外的电子缺陷能级。基于蠕虫状缺陷邻近区域的材料变化，本文提出了一种扩展机制模型。该模型认为化学反应当作扩展驱动力（而非欧姆加热导致的熔融作用）。

    关键词： 光致发光（PL）、光伏（PV）电池、电击穿、可靠性、薄膜器件、镉

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 掺杂Cr3+的ZnCdO纳米结构光谱学研究及其在光电器件中的应用

    摘要： 采用化学溶液法合成了掺杂Cr3?离子的ZnCdO纳米粉体。对制备的纳米粉体进行了结构（X射线衍射、表面形貌和能量色散）、多种光谱学研究（如FT-IR、EPR、光学和PL）。从XRD图谱确认纳米粉体的晶粒尺寸处于纳米尺度范围。通过SEM分析了粉体的表面形貌。FT-IR显示了与金属氧化物及其他有机粒子相关的特征吸收基团。EPR光谱在g=1.98处呈现Cr3?离子特征共振信号。通过关联EPR和光学信息，解析了配位参数。根据光学吸收研究评估了吸收基团。光致发光研究表明发射基团位于紫外和蓝光区域。这些参数表明Cr3?离子具有八面体配位对称性和共价键特性。

    关键词： 掺杂Cr3?离子的ZnCdO纳米粉体，电子顺磁共振(EPR)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、光学性能、光致发光(PL)

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 0.4–1.2微米CdTe太阳能电池的性能分析

    摘要： 采用近空间升华法，在透明MgZnO窗口层上制备了吸收层厚度为0.4-1.2微米的薄膜碲化镉（CdTe）太阳能电池。截面显微镜观察显示，大部分CdTe晶粒贯穿整个吸收层；电容测量表明吸收层在正向偏压下发生耗尽。通过电流与填充因子损耗分析，确定了不同吸收层厚度下器件的主要损耗机制；随着吸收层减薄，光致发光测量结果受背面复合的影响逐渐增强。较薄的CdTe器件表现出适度的电流与填充因子下降，但整体保持良好的二极管特性，其中1.2微米CdTe器件实现了15%的最高转换效率。

    关键词： 近空间升华法（CSS）、光致发光（PL）、损耗分析、薄层碲化镉（CdTe）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 理解未掺杂、Eu3?:Ba?LaSbO?及Eu3?:BaLaMSbO?（M=Mg,Ca）的晶体结构与位点对称性：通过调控Eu位点占据实现橙红双色荧光粉开发

    摘要： 采用标准固相法合成了BaLaMSbO6（M=Mg、Ca）型双钙钛矿锑酸盐化合物。通过X射线衍射对化合物进行表征，并采用Rietveld方法精修晶体结构。BaLaMgSbO6和BaLaCaSbO6分别结晶于单斜晶系（I2/m）和（P21/n）空间群。在这两种化合物中，La占据钙钛矿的A位点（12配位），而Ba2LaSbO6中的La离子因Ba原子半径大于Mg和Ca而迁移至B位点形成八面体配位。样品进一步通过FTIR表征，发现八面体振动频率与B位点离子的电负性相关。对标题化合物及Ba2LaSbO6进行2原子% Eu3+掺杂的荧光研究证实：Eu3+在BaLaMSbO6（M=Mg、Ca）中占据扭曲的12配位A位点，在Ba2LaSbO6中占据对称的八面体B位点。通过TRES研究成功分离出不同晶格位点Eu3+的发射光谱，从而阐明这些化合物的结构差异。Eu3+的位点选择性占位直接影响发光性能，在暗室中呈现从橙色到红色的渐变顺序：Ba2LaSbO6:Eu → BaLaCaSbO6:Eu → BaLaMgSbO6:Eu。该研究对设计新型商用Eu3+掺杂磷光材料及调控其光学性能具有重要指导意义。

    关键词： 双钙钛矿、傅里叶变换红外光谱、晶体结构、荧光材料、锑酸盐、光致发光(PL)

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • GaAs纳米结构的光致发光

    摘要： 半导体纳米结构的限制特性在技术应用方面具有良好前景。本研究的主要目标是描述砷化镓量子点（QDs）的光致发光（PL）强度与温度、激发波长、时间和光子能量等不同参数的依赖关系。通过Matlab和FORTRAN代码对模型方程进行数值分析和模拟。实验拟合值和材料物理性质被用作我们模拟的数据来源。结果表明，在低温下峰值相当尖锐，随着温度升高，光致发光强度降低，并在特定热能下猝灭。

    关键词： 量子限制、光致发光（PL）强度、砷化镓量子点、纳米结构、热猝灭能量

    更新于2025-09-04 15:30:14