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oe1(光电查) - 科学论文

58 条数据
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  • 朝向外延石墨烯p-n结作为电可编程量子电阻标准

    摘要： 我们报道了采用剥离六方氮化硼(h-BN)作为栅极介质的顶栅外延石墨烯p-n结的制备与测量。单个结的四端纵向电阻在冯·克利青常数RK处呈现良好量子化，相对不确定度为10^-7。通过探索大量参数空间后，我们总结了这些器件作为潜在电阻标准的适用条件。此外，我们还提出了利用外部栅压实现六个数量级可编程电阻标准的设计方案。

    关键词： p-n结、量子电阻标准、栅极电介质、六方氮化硼、外延石墨烯

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE第二届介电材料国际会议（ICD）- 布达佩斯（2018年7月1日-2018年7月5日）] 2018年IEEE第二届介电材料国际会议（ICD）- 环氧树脂/h-BN微复合材料的高压电性能

    摘要： 对比纯环氧树脂，研究了填充30 wt%微米级六方氮化硼（h-BN）的环氧复合材料的两项高压特性——直流电导率和交流击穿强度。已研究h-BN对直流电导率场强依赖性的影响（最高至18 kV/mm）。添加h-BN并未改变导电机制：无论是纯环氧树脂还是复合材料，其J-V特性在低场强下均呈现欧姆行为，在高场强下则表现为空间电荷限制电流（SCLC）。但添加30 wt% h-BN会降低整体电导率，并提高欧姆区与SCLC区之间的阈值电压，从而相比纯环氧树脂显著改变了该场强范围内的电导率表现?；费?h-BN复合材料的交流击穿强度得到提升，而通常而言在环氧基体中添加微米填料往往会降低该强度。

    关键词： 直流电导率、电导机制、环氧复合材料、六方氮化硼、交流击穿强度

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 六方氮化硼光子纳米结构

    摘要： 基于层状范德华(vdW)材料的器件日益受到关注，这推动了新型纳米制造技术的发展。六方氮化硼(hBN)是量子光子学和声子极化激元研究领域最具前景的材料之一。本文详细报道了一种采用混合反应离子刻蚀(RIE)与电子束诱导刻蚀(EBIE)技术制备多种hBN光子器件的先进工艺。重点分析了RIE与EBIE技术的优缺点，并通过实验证明该混合方法能有效制备具有纳米级特征结构和高垂直侧壁的悬浮/支撑型器件。通过测量高品质光学腔模(Q≈1500)验证了所制器件的功能性。该纳米制造技术为构建基于hBN及其他层状vdW材料的集成化单片量子光子平台奠定了重要基础。

    关键词： 六方氮化硼、光子器件、纳米制造、纳米光子学、层状材料

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 模型有机/绝缘体/金属界面结构的定量测定

    摘要： 通过结合X射线光电子能谱、X射线驻波和扫描隧道显微镜技术，我们研究了典型有机/绝缘体/金属界面的几何与电子结构——即单层六方氮化硼（h-BN）覆盖的Cu(111)基底上的钴卟啉分子体系。具体而言，我们测定了该有机分子的吸附高度，发现其保持了原始平面分子构型（与直接吸附在Cu(111)表面时不同）。此外，我们重点揭示了h-BN间隔层提供的电子解耦效应，并证实分子吸附未显著改变h-BN与金属的间距。最后，我们观察到吸附高度可能存在温度依赖性，这可能是弱键合分子呈现强各向异性热振动的特征表现。

    关键词： 六方氮化硼、X射线驻波、X射线光电子能谱、钴卟啉、Cu(111)表面、扫描隧道显微镜、有机/绝缘体/金属界面

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • hBN层厚度上的单分子层

    摘要： 二维过渡金属硫族化合物单层（如MoS?或WSe?）的光学特性主要由激子（库仑束缚的电子-空穴对）主导。通过基于密度泛函理论计算中GW波函数求解Bethe-Salpeter方程，我们研究了六方氮化硼（hBN）包围层存在时的屏蔽效应。我们计算了准粒子能隙及中性激子基态结合能Eb随hBN层厚度的变化关系。本文证明该理论水平下的屏蔽效应作用范围比普遍认知更短：三层hBN（约1纳米）封装WSe?单层即可使Eb降低20%，而厚hBN的最大降幅为27%。我们还对堆叠hBN层上沉积的WSe?单层进行了类似计算，并将这些结果与近期提出的量子静电异质结构方法进行对比。

    关键词： GW波函数、密度泛函理论、六方氮化硼、二维过渡金属二硫化物、贝特-萨尔彼得方程、激子

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 通过碳原子修饰调控六方氮化硼的电子结构：一种降低滑动摩擦的可行策略

    摘要： 本质上，二维（2D）层状材料的层间相互作用占主导地位，因此通过改变电子构型来调控层间相互作用有望降低层间滑动摩擦。本文采用密度泛函理论（DFT）计算，报道了一种通过引入碳元素改变六方氮化硼电子结构从而有效降低双层六方氮化硼层间滑动摩擦的方法。研究结果表明：沿滑动路径的势能波动随载荷增加而增大，这是由载荷变化导致滑动路径上层间相互作用程度差异引起的；同时我们发现，在BN/BN双层中，碳原子占据B位或N位能不同程度地促进层间电荷转移（B位效果优于N位），进而降低层间滑动路径上的能垒。

    关键词： 六方氮化硼、电荷转移、摩擦、电子构型、二维材料

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 具有ZrO2和h-BN栅极介质的MoS2晶体管的总电离剂量响应

    摘要： 研究了具有ZrO2或h-BN栅介质的少层MoS2晶体管在不同偏置条件下的总电离剂量响应。MoS2及其周围介质层中的缺陷显著影响辐射诱导的陷阱效应。对于ZrO2介质器件，在负偏压和地偏压下辐照时观察到的阈值电压负向漂移和峰值跨导退化程度远大于正偏压情况。h-BN器件在负偏压辐照时呈现阈值电压正向漂移。对于ZrO2和h-BN钝化器件，峰值跨导退化源于MoS2表面或附近氧化物中的电荷俘获。通过温度相关的低频噪声测量表征了X射线辐照过程中MoS2场效应晶体管缺陷能态分布的变化。采用密度泛函理论计算揭示了相关缺陷的本质。

    关键词： DFT（密度泛函理论），MoS2场效应晶体管，低频噪声，ZrO2（氧化锆），h-BN（六方氮化硼），二维，X射线

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 六方氮化硼中局域电子态的隧道谱学研究

    摘要： 六方氮化硼是一种大带隙层状晶体，常作为绝缘体或隧穿势垒被集成于范德瓦尔斯异质结构中。其带隙内的局域态能发射可见光，适用于纳米光子学和量子信息处理领域。但这些局域态也会形成导电通道，在施加高电压时可能引发电击穿。本研究采用门控隧穿晶体管，探究通过夹在两层单原子石墨烯电极之间的少原子层氮化硼势垒中局域态的共振电子隧穿现象。测量数据用于确定50余个不同局域态的能量、线宽、隧穿传输概率及其在势垒中的深度。研究还分析了电子通过两个空间分离局域态的三步隧穿过程。

    关键词： 量子信息处理、六方氮化硼、隧道谱学、局域电子态、石墨烯

    更新于2025-09-04 15:30:14