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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 基于AlGaN的UV-B LED的稳定性与降解：掺杂与半导体缺陷的作用

    摘要： 本文对恒定电流应力下紫外B波段发光二极管（LED）的退化现象进行了深入分析。研究基于电学、光学与光谱联合表征以及电容深能级瞬态谱（C-DLTS）技术。分析结果表明：低测量电流水平下光功率衰减更为显著，说明退化过程与肖克利-里德-霍尔（SRH）复合增强相关；电学表征显示驱动电压降低（可能源于镁掺杂剂激活度提升），同时亚阈值正向电流增大（表明应力过程中产生了带隙中间态）。通过C-DLTS测量研究了应力后缺陷浓度变化，主要陷阱被归因于镁掺杂效应和/或氮化镓生长相关的本征缺陷。

    关键词： 掺杂、半导体缺陷、退化、DLTS（深能级瞬态谱）、紫外B波段发光二极管

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 硅上外延生长的1.3微米量子点激光器电流驱动退化研究

    摘要： 本研究探讨了影响硅基外延生长1.3微米InAs量子点激光器长期可靠性的退化过程。通过对激光样品施加恒定电流应力，我们确定了导致光衰减的物理机制。具体而言，样品呈现：(i)阈值电流逐渐升高，与(ii)亚阈值发射减弱及(iii)斜率效率下降显著相关。这些变化与缺陷向器件有源区扩散并导致注入效率降低的过程相符。电学特性中缺陷相关电流传导分量的增加也支持这一假设，揭示了缺陷在量子点激光二极管渐进退化中的关键作用。电致发光测量为退化过程提供了进一步认知。

    关键词： 硅光子学、半导体缺陷、退化、可靠性、量子点、激光二极管

    更新于2025-09-11 14:15:04