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基于硅纳米线和硅量子点与Al?O?-Ag混合纳米结构的电子-光子双调控高性能发光器件
摘要： 基于硅量子点（Si QD）的发光器件制备于硅纳米线（Si NW）阵列上。通过在Si NW与Si QD之间插入Al?O?-Ag混合纳米结构（Al?O?-Ag HN），其光致发光（PL）和电致发光（EL）强度较对照样品均显著增强。PL增强主要归因于Al?O?对p型Si NW的钝化效应，以及Ag纳米粒子局域表面等离子体共振效应带来的吸收截面扩大。在更低施加电压下，相同注入电流时EL强度提升达14.9倍，这可能源于电子的高注入效率及Al?O?-Ag HN使纳米线结构的波导效应增强。研究表明，通过调控Si NW/Si QD界面条件来精细管理电子与光子，可有效提升发光器件性能。
关键词： 混合纳米结构、硅纳米线、发光器件、硅量子点
更新于2025-11-21 11:01:37
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透明导电材料（材料、合成、表征、应用）|| 金属氧化物（ITO、ZnO、SnO?、TiO?）
摘要： 透明导电氧化物（TCO）材料类别兼具两种看似矛盾的物理特性：在可见光和近红外（NIR）光谱范围内具有高光学透过率（类似绝缘体），同时具备高电导率（类似金属）。这两大关键特性使TCO材料非常适用于薄膜太阳能电池、平板显示器、发光器件或加热窗等领域的透明薄膜电极。
关键词： 氧化锌、发光器件、二氧化锡、透明导电氧化物、薄膜电极、氧化铟锡、太阳能电池、二氧化钛、平板显示器、透明导电氧化物
更新于2025-09-23 15:21:21
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交流驱动电化学发光器件中发光体传输与反应动力学的动态相互作用
摘要： 电化学发光（ECL）是指发光体上伴随一系列电化学过程而产生的光发射现象，近期已被应用于一种新型发光器件平台——电化学发光器件（ECLD）。本研究探究了AC电压驱动的ECLD中，发光体的传输及其反应动力学对发光特性的影响。基于扩散与反应速率方程建立了模型，用于预测ECLD工作频率（f）相关的亮度特性。研究发现：氧化还原前驱体生成频率越高、时间间隔越短，其相互碰撞的概率越大，因此器件亮度会随f增大而初始提升。然而当频率过高时，电极反应速率降低最终导致亮度下降。通过该模型，我们分别且系统地分析了扩散速率与反应速率对ECLD性能的影响。这些结果为理解这类新兴发光器件平台的运行机制提供了重要见解。
关键词： 电化学发光、离子过渡金属配合物、反应动力学、传质、离子液体、发光器件
更新于2025-09-23 15:21:01
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用于深紫外光发射器的III族氮化物短周期超晶格
摘要： III族氮化物短周期超晶格（SPSLs）的周期不超过约2纳米（约8个单原子层），具有若干独特性质，能够实现深紫外波段发光器件的设计制造，并显著降低有源层中的位错密度。此类SPSLs既可采用分子束外延法也可通过金属有机化学气相沉积技术生长。本综述更详细地讨论了前一种生长方法，并阐述了这类SPSLs的电学与光学特性，以及基于该材料体系的深紫外发光器件设计与制备方案。
关键词： III族氮化物、发光器件、短周期超晶格
更新于2025-09-23 15:21:01
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具有光伏最佳带隙且对缺陷不敏感的蓝光发射
摘要： 尽管基于铅的钙钛矿太阳能电池在光电转换效率方面取得了快速进展，但其长期稳定性和铅毒性仍是商业化应用的主要挑战。通过第一性原理GW计算，我们发现三种二维（2D）111型无铅铟基卤化物钙钛矿Cs3In2X9（X=Cl、Br、I）因具备以下优异的电子、光学和输运特性，有望成为明星材料CH3NH3PbI3（MAPbI3）的替代品：（一）这类二维铟基卤化物钙钛矿是无铅环保材料；（二）相比MAPbX3具有更强的结构稳定性；（三）作为高效光伏材料，二维Cs3In2I9钙钛矿是带隙最优（单层1.47 eV至三层1.25 eV）的直接带隙半导体；（四）二维Cs3In2X9钙钛矿具有理想的固态照明带隙结构——宽达0.94-3.54 eV的直接光学带隙覆盖整个可见光区，且轻电子（重空穴）有效质量能通过空穴局域化直接提升抗缺陷发光效率，其中Cs3In2BrxCl9?x的直接光学带隙尤其适合高需求的蓝光发射；（五）Cs3In2X9的吸收系数高达7×104 cm?1，介于砷化镓（104 cm?1）与MAPbI3（105 cm?1）之间；（六）Cs3In2I9的理论光电转换效率达28%，接近MAPbI3的30%。这些发现为设计无毒、稳定、高性能的光伏与发光器件开辟了新途径。
关键词： 发光器件、光伏材料、卤化物钙钛矿、无铅、二维、第一性原理计算
更新于2025-09-23 15:19:57
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采用基于二硫化钼的共轭聚电解质界面层替代PEDOT:PSS的纳米晶发光二极管寿命延长研究
摘要： 胶体半导体纳米晶（NCs）以及近年出现的纳米片层（NPLs），凭借其高效且窄带的发光特性，被视为发光二极管（LED）技术的前沿材料。NC-LED通常需引入界面层作为电荷调节剂以确保电荷平衡与高性能运作。本通讯研究表明：采用自掺杂导电共轭聚电解质与剥离二硫化钼（MoS2）薄片组合替代PEDOT:PSS后，可显著延长多层溶液法加工NC-LED的使用寿命。该墨水呈中性pH值并具有可调疏水性，主要配合CdSe/CdZnS NPLs使用时能实现卓越的器件稳定性。
关键词： 二硫属化物、胶体纳米片层、界面层、发光器件、共轭聚电解质
更新于2025-09-23 15:19:57
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通过界面工程提升全无机量子点发光二极管的效率
摘要： 作为量子点发光二极管（QLEDs）的电荷传输层，金属氧化物相比有机材料具有更强的稳定性。然而，全无机金属氧化物QLEDs的效率仍远落后于有机-无机杂化器件，主要原因在于金属氧化物与量子点间的强相互作用导致量子点发光猝灭。本研究展示了基于氧化镍（NiOx）的全无机QLEDs，其最高电流效率达20.4 cd A?1，外量子效率（EQE）为5.5%，属于效率最高的全无机QLEDs之一。该高效性能主要归因于：在NiOx/量子点界面沉积氧化铝（Al2O3）以抑制NiOx对量子点发光的强猝灭效应，同时采用氧化钼（MoOx）降低漏电流并促进空穴注入——相较原始NiOx基QLEDs实现了超过300%的性能提升。本研究表明修饰NiOx/量子点界面能有效增强全无机QLEDs的性能。
关键词： 全无机、高效率、NiOx、发光器件、量子点
更新于2025-09-23 15:19:57
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LED后处理中用于图案对准标记的冲压?？樯杓朴肫拦?
摘要： LED（发光器件）是显示产品中最重要的常用元件之一。迄今为止，LED生产工艺无法利用生产过程中破损的基板制造LED，这是因为受损基板会因自身对位标记丢失而无法进行后续加工。在基板预处理后，带有LED芯片的基板会被粘贴在蓝膜上。因此，若在蓝膜上额外印刷标记，就能实现后续加工工序。本文设计、制作并验证了一种可在蓝膜上精确定位压印对位标记的精密冲压模块。
关键词： 发光器件、对准标记、精密定位
更新于2025-09-16 10:30:52
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尺寸可控的激子效应对Sb?S?纳米线电子和光学性质的影响
摘要： 本研究采用第一性原理计算方法，探究了一维(1D) Sb2S3纳米线(NWs)在不同尺寸下的电子与光学特性。通过调控纳米线尺寸及施加不同单轴应变，可有效改变Sb2S3纳米线的间接-直接带隙转变特性。量子限域效应使Sb2S3纳米线呈现更宽带隙，而显著增强的电子-空穴相互作用（预期将产生激子束缚态）则导致带隙收窄?；诘缱佑肟昭ㄓ行е柿考扑阍げ?，Sb2S3纳米线的激子结合能介于0-1 eV范围内，高于块体Sb2S3材料，表明其激子可能结合潜在缺陷以增强发光性能。Sb2S3纳米线具有尺寸可控的吸收边蓝移/红移特性，显示其在纳米级发光器件应用中的良好前景。
关键词： 光学性质、第一性原理计算、量子限域效应、发光器件、电子性质、激子结合能、Sb2S3纳米线
更新于2025-09-16 10:30:52
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用于发光器件的钙钛矿量子点
摘要： 钙钛矿量子点（QDs）因其量子限域效应和缺陷容忍特性，在近几十年来备受关注。其独特的光学性质——包括接近1的高光致发光量子产率（PLQY）、窄发射带宽、可调谐波长覆盖整个可见光谱范围以及与柔性/可拉伸电子器件的兼容性，使钙钛矿量子点成为下一代固态光源和信息显示技术的有力候选者。本文综述了钙钛矿量子点的研究进展及其在LED中的应用，重点探讨了高效钙钛矿量子点的制备策略与器件结构设计，包括材料组分优化、合成方法、表面工程及器件性能提升方案。同时指出了钙钛矿量子点存在的不稳定性和毒性（铅基材料）等主要挑战，并展示了通过组分工程、器件封装及无铅量子点替代等解决方案。最后对钙钛矿量子点及相关LED技术的未来发展前景进行了展望。
关键词： 器件封装、量子限域、钙钛矿量子点、发光二极管、不稳定性、组分工程、柔性电子、光致发光、铅替代、可拉伸电子、毒性、发光器件
更新于2025-09-16 10:30:52