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oe1(光电查) - 科学论文

7 条数据
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  • 一种抗工艺变化压电微机械超声换能器的新拓扑结构

    摘要： 本文提出了一种新型压电微机械超声换能器(PMUT)架构，可显著降低工艺变化对谐振频率精度的影响。该新拓扑结构的核心是环形锚定技术。测量结果表明，采用本文提出的方法后，芯片间和芯片内的谐振频率标准偏差分别从101 kHz降至23 kHz、从20 kHz降至5.9 kHz（展示的器件采用PiezoMUMPs商用制造技术制备）。通过对16片芯片（每片含12个两种不同拓扑结构的PMUT器件）的谐振频率结果进行分析，评估了所提方法的有效性。此外，作为概念验证，实验证明所制备的PMUT能够执行距离测量。

    关键词： 频率、测距、可变性、工艺变化、微机电系统、压电微机械超声换能器、压电超声换能器、微细加工

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 衬底耦合对单层MoS2晶体管性能和变异性的影响

    摘要： 我们研究了衬底耦合对单层二硫化钼场效应晶体管（FET）的变异性和器件特性的影响。实验中，我们在SiO2/Si衬底上制备并表征了三组背栅FET，每组器件代表MoS2与SiO2之间不同的界面能。同时研究了一组构建在六方氮化硼（h-BN）衬底上的器件，作为MoS2与SiO2完全解耦的第四组。电学测量结果显示：随着界面能降低，关键FET器件参数（接触电阻、迁移率和亚阈值摆幅）显著改善，器件变异性明显减小。我们将器件特性的改善归因于界面陷阱密度降低和带电杂质散射的抑制。本研究确立了衬底耦合对单层二硫化钼FET性能与变异性的关键作用。

    关键词： 界面能、可变性、场效应晶体管、二硫化钼

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 激光制备氧化石墨烯忆阻器中的电阻开关与电荷传输：一种时间序列与量子点接触建模方法

    摘要： 本研究通过结合时间序列统计分析及量子点接触电导模型的两种数值分析工具，探究了近期报道的激光制备氧化石墨烯忆阻器中电阻开关（RS）现象的成因。两种数值分析方法均表明存在连接电极的导电细丝，该细丝可能在导电路径的特定位置发生中断，从而引发电阻开关现象。这些结果支持现有理论模型——即激光制备氧化石墨烯忆阻器的忆阻特性源于氧化石墨烯内部导电路径化学计量比的改变。

    关键词： 氧化石墨烯、忆阻器、自协方差、阻变存储器、可变性、激光、时间序列建模

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 量子点特性对混合SET-FET电路性能的影响

    摘要： 量子点（QDs）可作为导电岛构建单电子晶体管（SETs）。量子点的特性决定了单电子晶体管的功能性能。因此，分析量子点尺寸变化对混合SET-FET电路性能的影响具有重要意义。我们采用自主开发的单电子晶体管紧凑模型（该模型通过三维量子力学模拟校准以获得真实参数），提出了一种改善电路性能（即提高输出电流）的方法。研究结论表明：量子点尺寸变化对整体电路性能的影响最为显著。

    关键词： 可变性、单电子晶体管（SET）、量子点（QD）、纳米线

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于失谐机制的硅量子门计算评估及其在量子计算中的应用

    摘要： 基于硅的量子计算具有低成本、高集成密度以及与CMOS技术兼容的潜在优势。失谐机制已被用于实验实现硅基双量子比特门和可编程量子处理器。本文通过基于失谐机制的模型硅量子门数值器件模拟，探究了其扩展行为与变异性问题。研究了量子门调制的器件物理特性、器件速度与量子保真度之间的权衡，以及变异性对量子算法实现的影响。结果表明：采用低工作电压实现高速高保真硅量子门具有重要潜力。为实现扩展应用，必须降低器件变异性并缓解其影响，才能可靠地基于失谐机制硅量子门实现量子计算算法。文中还提出利用控制电子学来缓解量子门变异性的方案。

    关键词： 可变性、量子门、失谐、器件建模

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 三维集成中的方差分析：一种具有距离相关性的统计统一模型

    摘要： 随着工艺尺寸缩小，可变性对未来制程扩展构成挑战。新兴的三维顺序堆叠技术成为超越摩尔定律扩展的替代方案。三维设计流程需要在不同层级间划分网表。本文展示了分层电路的可变性分析，比较了局部与全局变异对环形振荡器(RO)和SRAM的影响?？缧酒湟旒肮亓段П恢っ魇侨蠊婺＜傻缏返墓丶侍狻渲芯植勘湟煨哉贾鞯嫉匚弧；诿商乜迥Ｄ獾木蔡骋荒Ｐ椭苯釉赟PICE模型中考虑了器件间距或不同层级分配导致的关联性。设计实践表明，如RO输出频率和SRAM静态噪声裕量所示，三维集成能进一步降低电路可变性。

    关键词： 芯片间变化（ACVs）、可变性、三维超大规模集成电路（VLSI）、静态随机存取存储器（SRAM）、噪声容限、蒙特卡罗（MC）方法、三维集成

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 基于SiOx的阻变存储器中循环间不稳定性的仿真：采用具有长期变化的自相关过程

    摘要： ReRAM器件中出现的循环间（C2C）电流波动不仅是低维导电结构中电子传输固有的随机特性，也是用于表征阻变过程中器件演化的测量协议所导致的结果。在后一种情况下，C2C变化取决于形成跨越介电薄膜导电细丝的离子或空位的特定排列方式。本研究采用具有长期变异的离散一阶自回归模型AR(1)来表征高阻态电流的随机与"确定性"行为。通过量子点接触模型模拟SiOx中介电材料内具有波动限制势垒高度的细丝电子传输，从而实现C2C不稳定性的仿真。该方法力求简洁，因其目标应用场景为需避免复杂耗时计算的电路仿真环境。

    关键词： MIM、阻变、SiOx、可变性

    更新于2025-09-09 09:28:46