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51 条数据

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通过水热法制备的具有和没有种荚的分层MoS2基洋葱花状纳米结构，展现出低开启场发射特性

摘要：本文报道了具有层级结构的二硫化钼基纳米形貌（呈现洋葱花状特征）的简易水热合成方法，主要聚焦于场发射应用。通过物理化学表征解析了所合成纳米结构的基本结构与形貌特征。研究发现，随着水热反应时间从9小时延长至21小时，洋葱花状二硫化钼呈现出有趣的纳米尺度形貌演变——从普通纳米花发展为包含种荚状颗粒的结构。值得注意的是，仅具有洋葱花状形貌的二硫化钼纳米结构显示出更低的开启电场值3.7 V/μm，而含有种荚状颗粒的纳米花开启电场值为4.2 V/μm。这可能归因于普通纳米花的花瓣具有更易电子传导的路径，而后者的种荚状颗?？赡茏璋说缱哟?。

关键词：二硫化钼，分级纳米结构，场发射，水热法

更新于2025-09-23 15:23:52
电子辐照对少层MoS?场效应晶体管输运与场发射特性的影响

摘要：采用Ti/Au电极的少层MoS2场效应晶体管的电学特性测试在扫描电子显微镜真空腔室中进行，旨在研究电子束辐照对器件输运特性的影响。观测到负阈值电压偏移和载流子迁移率增强现象，这归因于辐照过程中SiO2栅氧化层内捕获的正电荷。当辐照剂量达到100e-/nm2时，晶体管沟道电流增大了三个数量级。最终通过对MoS2薄片的完整场发射特性表征——在阳极-阴极间距约1.5微米时实现数小时发射稳定性、最小开启场强≈20V/μm且场增强因子约500——证实少层MoS2适合作为冷阴极应用的二维发射表面。

关键词：电子束辐照、二维材料、场发射、二硫化钼、场效应晶体管

更新于2025-09-23 15:23:52
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 石墨化铅笔芯上垂直排列石墨烯边缘的场发射

摘要：我们已证实石墨化机械铅笔芯在高发射电流区具有优异的场致发射特性[1]。本文进一步展示了完全石墨化铅笔芯的场致发射详细分析结果，包括拉曼散射、场离子显微镜/场发射显微镜图像、发射电子能量分布，以及低发射电流区的场致发射特性。再次得出结论：完全石墨化的铅笔芯有望成为低成本但性能优异的场致发射体。

关键词：石墨，能量分布，场离子显微镜，有限元法，垂直排列石墨烯，场发射

更新于2025-09-23 15:21:21
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 基于碳纳米管场发射器的高性能X射线源

摘要：我们制备了一种由点状碳纳米管场发射极、网状栅极电极、电子束聚焦透镜和钨阳极组成的冷阴极X射线源。该点状碳纳米管场发射极采用具有三角锥尖形的碳纳米管薄膜制成。在三极管结构中测得的场发射特性显示出较低的开启电场和阈值电场、较高的发射电流以及聚焦的电子束斑?；谔寄擅坠艹》⑸浼睦湟跫玐射线源可呈现高分辨率X射线图像。我们证实这种点状碳纳米管发射极是高性能冷阴极X射线源的理想候选方案。

关键词：冷阴极X射线源，三极管结构，场发射，碳纳米管场发射体

更新于2025-09-23 15:21:21
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 单个p型硅尖端稳定的低噪声场发射

摘要：制备了具有两种不同尖端半径的单栅极p型硅针尖。在170V电压下，尖锐边缘针尖测得发射电流为2.40微安。相比之下，增大针尖半径后观察到稳定且可重复的发射行为，在90V至150V间呈现明显饱和区，但在150V时仅获得0.55微安发射电流。更值得注意的是，在30分钟测量期间保持±4%的稳定发射波动。均匀针尖阵列（16个发射体）的积分发射电流与单针尖相比显示出几乎相同的I-V特性，因此主要受阵列中单个稳定针尖支配。

关键词：栅极电极、p型硅尖端、低电流波动、发射稳定性、场发射

更新于2025-09-23 15:21:21
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 超高亮度LaB<inf>6</inf>纳米线阴极的新应用

摘要：电子显微镜可能是对高亮度电子源要求最严苛的应用。这是因为电磁透镜同时存在色差和球差。这些透镜缺陷限制了可聚焦电子的范围——这些电子需要尽可能源自微小区域，并在单位速度下以小角度扩散。亮度和能量展宽（这两个与上述要求密切相关的参数）因此成为预测电子光学系统可实现分辨率的最重要指标。第三个关键因素是稳定性，这是商用仪器必须满足的通用要求：仪器需以可重复的方式提供有保障的性能表现。本研究将介绍一种纳米发射器，其在上述三个特性方面均优于现有电子源。

关键词：电子显微镜，电子能量损失谱，场发射

更新于2025-09-23 15:21:21
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 石墨烯的场发射显微镜与场离子显微镜研究：边缘电子态的可能观测

摘要：石墨烯边缘的场发射显微镜图像显示出由一系列条纹状斑点组成的条纹图案（或称"唇状图案"）；条纹方向垂直于石墨烯片层，每条条纹被一条平行于石墨烯片层的中央暗带分割成两个翼区。该"唇状图案"反映了石墨烯边缘π轨道的空间分布。石墨烯边缘的场离子显微镜也呈现出比场发射显微镜更高分辨率的成对斑点阵列。针对石墨烯边缘场发射电子自旋极化的初步测量结果显示，室温下自旋极化率为20%至25%。

关键词：自旋极化、场发射、石墨烯

更新于2025-09-23 15:21:21
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 具有电老化特性的稳定碳纳米管冷阴极电子发射器制备

摘要：我们研究了经电老化处理的碳纳米管（CNT）冷阴极电子发射体的制备及其场发射性能的提升。我们的CNT场发射体通过热老化和电老化处理后，电子发射性能得到改善。在设置电老化时，我们采用了出现焦耳加热效应的偏置电压。实验显示，CNT发射体在老化初期电子发射量增加，随后发射电流趋于饱和。通过电老化处理，我们将电子发射强度从3 mA提升至5.5 mA，并实现了长期稳定运行。

关键词：场发射，碳纳米管，电老化，退火

更新于2025-09-23 15:21:21
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 含氧化钯储层的多晶钨针尖结构演化

摘要：我们在此提出一种制备热力学稳定钨(W)纳米锥的方法。首先用含氧化钯粉末的火棉胶涂覆钨针侧面，随后在超高真空中退火，使钯(Pd)原子通过表面扩散吸附至钨针顶端，从而形成覆盖单层钯膜的钨纳米尖端。场离子显微镜显示，钨纳米尖端的{111}晶面因周围{211}晶面形成微晶面而收缩，该结构变化类似于三棱钨纳米锥的形成过程。所得钨纳米锥与现有纳米锥形貌基本一致，但与现有纳米锥不同的是，本方法制备的纳米锥顶端并非单原子构成。

关键词：刻面、纳米尖端、氧化钯、场发射、钯、钨、场离子显微镜

更新于2025-09-23 15:21:21
[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 多尖端场致发射阴极的发射特性波动

摘要：报告展示了一项关于基于"聚合物基体中无序碳纳米管"复合材料的多元尖端场致发射阴极发射特性波动的复杂实验研究。研究对象包括：场发射投影仪发光图案与宏观发射电流水平的相关性、发射位点活性、发射位点电流负载分布、单个发射位点的场增强因子、电流-电压特性及有效发射参数对电压和真空度的依赖性、SK图上校准网格的形成、发射体表面吸附/解吸过程的建模。

关键词：发射极表面分析、场发射图像、电流波动、纳米复合材料、场发射、碳纳米管、电流-电压特性曲线（IVC）

更新于2025-09-23 15:21:21

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