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全无机钙钛矿的形态调控实现多级阻变特性
摘要： 全无机铯铅卤钙钛矿因其卓越性能在各类光电子领域备受关注。然而与有机-无机杂化钙钛矿相比，由于铯盐溶解度较低，这类全无机铅卤钙钛矿的薄膜形貌难以控制。本研究提出了一种调控CsPbBr3薄膜形貌的新制备工艺，成功制备出具有大晶粒（约800纳米）的CsPbBr3薄膜系列。基于该薄膜的忆阻器呈现典型双极性电阻开关行为，并展现出高开/关比（约10^5）、极低工作电压（约±1伏）及优异数据保持特性（≥10^4秒）。通过调控薄膜形貌，还可便捷制备具有多级电阻开关行为的忆阻器。这些优势表明全无机铯铅卤忆阻器在未来应用中具有重要潜力。
关键词： 忆阻器、形貌调控、多级电阻开关、全无机钙钛矿
更新于2025-09-23 15:23:52
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Bi<sub>0.93</sub>Sb<sub>0.07</sub>/PMN-0.29PT(111)异质结构的电场可控非易失性多级电阻开关
摘要： 在Bi0.93Sb0.07/0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.29PbTiO3(111)（PMN-0.29PT）异质结构中，于室温下实现了电场可切换的多级非易失性电阻态。在对PMN-0.29PT进行初始极化过程中，Bi0.93Sb0.07薄膜的电阻随电场的变化有效跟踪了PMN-0.29PT中电场诱导的面内应变变化，表明电阻切换主要由铁电畴切换诱导的晶格应变主导，而非畴切换诱导的极化电荷。在PMN-0.29PT(111)衬底的矫顽场EC附近，于300 K实现了约7%的相对电阻变化ΔR/R，在180 K时高达约10%。由于从PMN-0.29PT到薄膜的非易失性残余应变传递，通过精确控制电场脉冲序列，在室温下可获得至少五种具有良好耐久性的稳定电阻态，为构建多态阻变存储器提供了一种简单且节能的方法。
关键词： Bi0.93Sb0.07/PMN-0.29PT(111)异质结构，非易失性，多级电阻开关，铁电畴翻转诱导的晶格应变，电场
更新于2025-09-10 09:29:36