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oe1(光电查) - 科学论文

19 条数据
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  • 基于单氰基和双氰基丙烯酸取代吩噻嗪的染料敏化太阳能电池用敏化剂

    摘要： 基于吩噻嗪和氰基丙烯酸结构单元的敏化剂被合成用于染料敏化太阳能电池应用。研究了单取代与双取代氰基丙烯酸敏化剂的吸收和电化学性质。由于具有较高的摩尔消光系数，单氰基丙烯酸取代的吩噻嗪敏化剂具有更强的光捕获能力。与双氰基丙烯酸取代的吩噻嗪敏化剂相比，单氰基丙烯酸取代的吩噻嗪敏化剂表现出略高的光伏性能，这归因于敏化剂中锚定基团的影响。

    关键词： 太阳能材料、光谱学、锚定基团、染料敏化太阳能电池、吩噻嗪

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 用于太阳能电池的纳米晶体薄膜

    摘要： 近年来，通过光伏技术进行能量收集已成为一种具有前景的长期能源生产技术。然而，对于商业应用而言，光伏太阳能电池的制备需要一种简单、低成本且适用于大面积、高产量生产的工艺。在本研究中，我们展示了一种基于Cu2ZnSnS4（CZTS）纳米晶薄膜的简单快速光烧结技术。通过不同强度的光照射该CZTS纳米晶薄膜以观察烧结效果。当采用2.23 J/cm2的光强照射200微秒时，实现了CZTS薄膜的显著烧结。利用光烧结处理的CZTS纳米晶薄膜制备的太阳能电池表现出1.9%的效率，开路电压为0.50 V，短路电流密度为11.5 mA/cm2，填充因子为0.33。该光烧结技术可进一步优化，以实现纳米结构在大面积烧结中的多种应用。

    关键词： 烧结、薄膜、沉积、太阳能材料、晶体生长

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 用于高性价比光电探测器应用的双钙钛矿Cs4CuSb2Cl12微晶器件

    摘要： 最新报道的双钙钛矿（DPs）材料Cs4CuSb2Cl12催生了一种新型无铅钙钛矿的开发。这是一种带隙为1电子伏特的材料。通过液相法合成了该钙钛矿微晶，并将其作为可见光光电探测器的活性太阳能材料进行研究。采用单步印刷法制备了Cs4CuSb2Cl12/碳材料复合浆料微晶器件。研究发现，含10 wt%活性材料的复合材料是实现最高响应度（10^-3 A/W）和探测率（10^8 J）的最佳选择。该复合浆料的单步印刷工艺可用于低成本光电探测器应用。

    关键词： 光电探测器、太阳能材料、氯化铯铜锑（Cs4CuSb2Cl12）、碳材料、双钙钛矿

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 采用含钛CuGaS2靶材溅射法制备原位掺钛CuGaS2薄膜用于中间带太阳能电池

    摘要： 中间带太阳能电池（IBSCs）在提升器件效率方面具有巨大潜力，可通过向高带隙（Eg）基质半导体中掺杂适当元素来制备。CuGaS2（CGS）是一种具有高吸收系数和高带隙的吸光材料，适合作为基质。某些过渡金属是合适的掺杂元素。本研究采用磁控溅射CuGaS2:Ti靶材沉积原位钛掺杂CGS薄膜以制备IBSCs。靶材通过球磨混合的Cu2S、Ga2S3和TiS2粉末经热压烧结制成。使用这些靶材溅射制备了原位钛掺杂前驱体薄膜，硫化处理后晶粒生长形成CGS相，且Ti原子成功掺入CGS晶格。约2.42 eV的带隙与CGS本征值一致。太阳能电池的电流密度-电压曲线呈现指数特性。该方法对IBSCs制备具有重要应用前景。

    关键词： 原位掺杂、中间带太阳能电池、CuGaS2:Ti靶材、溅射、太阳能材料

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 银修饰二氧化钛纳米纤维用于高效染料敏化太阳能电池

    摘要： 对于染料敏化太阳能电池，贵金属的修饰在提高TiO2薄膜的光吸收能力和减少电子-空穴复合方面起着重要作用。制备了TiO2纳米颗粒/纳米纤维（NP/NF）复合光阳极，并将其浸泡在0.01 mol/L的AgNO3溶液中，根据不同的还原时间获得相应的银含量。功率转换效率（PCE）从5.39%提升至6.36%。与未经过银修饰的光阳极相比，复合光阳极的PCE提高了18.0%。

    关键词： 二氧化钛纳米纤维、银修饰二氧化钛纳米纤维、太阳能材料、染料敏化太阳能电池、纳米晶材料

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 通过三步退火工艺对氧化物纳米颗粒衍生的Cu2ZnSn(S, Se)4太阳能电池进行表面成分工程优化

    摘要： 本研究设计了一种三步退火工艺（硫化-硒化-再硫化），用于优化基于氧化物纳米颗粒法制备的Cu2ZnSn(S, Se)4（CZTSSe）薄膜表面结构。通过制备Mo/CZTSSe/CdS/ZnMgO/ZnO:Al/Al结构器件并研究其性能发现：采用低毒硫粉进行的补充硫化处理对CZTSSe体相的结构、形貌及组分影响甚微，但能显著提升器件开路电压——从无表面硫化时的408 mV提升至有表面硫化时的497 mV。这一改善源于薄膜表面硫含量增加及表面带隙展宽，X射线光电子能谱分析证实了该结果。该关键三步退火工艺使光电转换效率从两步法的4.71%提升至三步法的6.37%，创下氧化物前驱体制备CZTSSe太阳能电池的最高效率纪录。

    关键词： 薄膜，Cu2ZnSn(S,Se)4，太阳能材料，后硫化处理

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 电压辅助SILAR法将CdSe量子点沉积于介孔TiO2薄膜中用于量子点敏化太阳能电池

    摘要： CdSe量子点（QDs）在介孔TiO2薄膜中生长缓慢，这是由于两者之间存在较大的晶格失配（11%）以及较差的相互作用，从而导致量子点敏化太阳能电池（QDSSCs）的功率转换效率（PCE）较低。在连续离子层吸附反应（SILAR）过程中施加外部电压，可驱动Cd2+和SeSO3 2-离子快速扩散进入介孔TiO2薄膜，并在室温下反应形成CdSe量子点。该CdSe QDSSCs实现了3.27%的PCE。本研究为组装量子点以提高QDSSCs性能提供了一种有效策略。

    关键词： 电沉积、半导体、能量存储与转换、太阳能材料、纳米粒子

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 脉冲激光沉积法制备用于太阳能电池的多晶BaSi2薄膜

    摘要： 研究人员开发出一种利用脉冲激光沉积（PLD）技术在透明SiO2和CaF2衬底上制备BaSi2薄膜的新方法。X射线衍射和拉曼光谱分析表明沉积薄膜具有多晶特性。通过在SiO2衬底上引入薄硅缓冲层，显著提升了BaSi2薄膜的结晶质量。所制BaSi2薄膜的Ba/Si原子比非常接近0.5，显示出PLD生长工艺良好的化学计量控制能力。多晶BaSi2的吸收系数达到105 cm-1量级，其带隙值推算为1.32 eV，与分子束外延或溅射法制备的薄膜相当。该BaSi2薄膜实现了12.5 mA/W的最大光电响应度，表明PLD沉积的BaSi2在薄膜太阳能电池应用方面具有潜力。

    关键词： 薄膜、硅化钡、太阳能材料、脉冲激光沉积

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 采用简易球磨法制备的Cu2SrSnS4薄膜的光学与光电化学性能

    摘要： 通过简便的球磨法制备了地球丰度高且无毒性的四元硫族化合物Cu2SrSnS4。研究发现其形成源于Cu2SnS3与SrS在600℃下的反应。根据吸收测试推测，所制备的Cu2SrSnS4薄膜带隙约为1.78电子伏特。该薄膜的载流子寿命约为2.06纳秒。在相对于Ag/AgCl电极-670毫伏偏压下，Cu2SrSnS4薄膜的光电流密度约为150（单位缺失），经10次1000秒循环后性能保持稳定。其显著的光电流产生能力和光电化学稳定性表明其在光电转换应用中的潜力。

    关键词： 球磨法、薄膜、太阳能电池、Cu2SrSnS4、光学性能、太阳能材料

    更新于2025-09-10 09:29:36