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oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
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  • 金属卤化物化合物[C7H16N2][ZnCl4]的晶体结构、光学及电学性质

    摘要： 通过水热法合成了一种新型有机-无机杂化化合物[C7H16N2][ZnCl4]，并采用单晶X射线衍射、红外与拉曼光谱、光学吸收、差示扫描量热法及介电测量进行表征。单晶衍射结果表明该化合物在室温下属于单斜晶系，空间群为P21/c。分子排列中，四氯合锌酸根阴离子通过N-H...Cl氢键与有机阳离子连接。拉曼与红外分析证实了有机基团与阴离子实体的存在。紫外-可见吸收光谱揭示了光学带隙能量。差示扫描量热测量显示[C7H16N2][ZnCl4]在287K、338K和356K依次发生三个相变。介电研究表明该化合物在338K以下具有铁电性质，并表明其具有经典铁电特性。奈奎斯特图分析揭示了体相机制与晶界贡献。

    关键词： 相变、混合材料、晶体结构、光吸收、铁电性能、导电机制

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • p栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极导通机制与寿命建模

    摘要： 通过温度相关的直流栅极电流测量，研究了p型氮化镓(GaN)/AlGaN/GaN增强型晶体管中的栅极导通机制。针对不同栅压区域分别建立物理模型并与实验对比：负栅偏压时，钝化介质内发生栅极到源极的泊松-弗伦克尔发射(PFE)；正栅偏压时，p-GaN/AlGaN/GaN"p-i-n"二极管处于正向工作模式，栅极电流受肖特基接触处空穴供给限制；低栅压下电流由位错线中肖特基势垒降低导致的热电子发射主导；提高栅压和温度会引发相同势垒的热辅助隧穿(TAT)。改进的栅极工艺降低了正栅压区栅极电流并消除了TAT起始现象，但在高正栅压下观察到源自金属/p-GaN界面PFE的电流急剧上升。基于提取的导通机制构建了精确的寿命模型，采用新型栅极工艺制备的器件在t1%=10年条件下最大栅压达7.2V。

    关键词： 时间依赖性击穿（TDB）、p型氮化镓栅极、高电子迁移率晶体管（HEMT）、增强模式、氮化镓（GaN）、导电机制

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 传感器、电路与仪器系统（2018）|| 非晶硅锗光电探测器光电特性研究

    摘要： 开发电子设备的成本考量至关重要。降低光伏器件和探测器生产成本的一个简单方法是采用非晶硅和锗等低成本材料。这两种半导体具有不同的光电特性，如能隙、光电导率和吸收系数。通过将硅与特定比例的锗混合形成合金，可制备出具有更优电子特性和光电导率的探测器。采用热真空蒸发技术制备了多种不同锗含量的非晶硅锗合金薄膜，计算并分析了样品的导电机制与激活能。对这些样品的I-V特性、光生电流及探测率进行了测量与讨论，并通过霍尔测量计算了样品的霍尔I-V特性、霍尔迁移率、载流子浓度及类型鉴定。

    关键词： 非晶硅锗光电探测器、光电导率、探测率、霍尔测量、激活能、导电机制

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 8-(1H-吲哚-3-基偶氮)-萘-2-磺酸/n-Si光电二极管的电学与光响应特性

    摘要： 本文主要研究合成8-(1H-吲哚-3-基偶氮)-萘-2-磺酸(INSA)，并评估Au/INSA/n-Si/Al二极管在黑暗和光照条件下的主要参数。采用多种技术解析所提出的INSA化学结构。暗态电流-电压测试在293?413 K温度范围内进行。研究发现INSA薄膜改变了经典Au/n-Si结的界面势垒高度。低偏压下I-V关系呈现指数特性。通过加热可改善理想因子n和势垒高度?的值。讨论了n和?的异常变化趋势，并评估出1.45 eV的均匀势垒高度。利用Norde函数计算串联电阻，其随温度升高呈反比变化。在高电位下，受指数陷阱分布支配的空间电荷限制电流占主导地位，由此提取出陷阱浓度和载流子迁移率。该二极管的反向电流具有光照强度依赖性并表现出良好光电灵敏度，表明该器件在光电二极管应用方面具有潜力。

    关键词： 二极管参数，光电二极管，导电机制，偶氮化合物

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 原子层沉积（ALD）Al2O3钝化对HfYO/Si栅堆叠界面化学、能带排列及电学特性的影响

    摘要： 本研究探讨了不同厚度的原子层沉积（ALD）Al2O3钝化层对溅射制备的HfYO栅介质与Si衬底界面化学及电学特性的影响。电学测试和X射线光电子能谱（XPS）结果表明，1纳米厚的Al2O3钝化层能优化HfYO/Si栅堆叠的界面性能。随后制备了具有HfYO/1纳米Al2O3/Si/Al栅堆叠的金属-氧化物-半导体电容器，并在95%氮气+5%氢气的形成气体中经不同温度退火。电容-电压（C-V）和电流密度-电压（J-V）特性显示：相比其他样品，250℃退火的HYO高k栅介质薄膜表现出最低的界面陷阱电荷密度（-3.3×101? cm?2）和最小的栅极漏电流（2V时为2.45×10?? A/cm2）。此外，系统研究了Al/HfYO/Al2O3/Si/Al MOS电容器漏电流随退火温度变化的传导机制。详细电学测量表明：在低中电场区以泊松-弗伦克尔发射为主导机制，高电场区则以直接隧穿为主导传导机制。

    关键词： Al2O3钝化层，电学性能，退火处理，共溅射HYO薄膜，导电机制

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 掺杂W<sup>6+</sup>的CaBi<sub>4</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>15</sub> Aurivillius系压电陶瓷的高温阻抗特性与导电机理

    摘要： 系统研究了W6+掺杂对Aurivillius型压电陶瓷CaBi4Ti4O15相结构、电学性能（尤其是高温导电机理）的影响。通过复阻抗谱表征了500-650°C温度范围内的导电特性，发现高温下呈现离子导电机制和非德拜弛豫过程。非德拜弛豫行为与导电过程由载流子跳跃主导，这可通过弛豫活化能（1.45 eV）、跳跃传导能（1.50 eV）和直流传导能（1.39 eV）数值相近得到证实。同时，适当W6+掺杂使CaBi4Ti4O15的压电系数d33从7.5 pC/N提升至17.8 pC/N，并在650°C仍保持良好温度稳定性。这些结果从微观结构角度深入揭示了导电过程与机理，对Aurivillius压电陶瓷的高温应用具有重要价值。

    关键词： 奥里维利厄斯压电陶瓷，阻抗特性，导电机制，CaBi4Ti4O15，高温，W6+掺杂

    更新于2025-09-09 09:28:46