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一种新型硅异质结IBC工艺流程：通过部分刻蚀掺杂非晶硅氢化物（a-Si:H）实现空穴接触与电子接触的原位切换，效率接近23%
摘要： 我们提出一种新型工艺流程，用于简化硅异质结叉指背接触（HJ IBC）电池的背面图形化。该方法通过SiOx硬掩模对a-Si:H(i/p+)叠层进行选择性刻蚀，仅去除p+ a-Si:H层并替换为n+ a-Si:H层，从而在原位实现a-Si:H(i/p+)空穴接触与a-Si:H(i/n+)电子接触的叉指条转换，无需完全移除钝化层。这消除了干法刻蚀后的离线湿法清洗步骤，同时避免了背面制程中晶体硅表面的再次暴露。通过精准控制的工艺，整个背面制程序列中均保持高质量钝化效果，从而获得高开路电压（VOC）。部分刻蚀路径的电池因电子接触处略高的接触电阻导致串联电阻相关的填充因子（FF）轻微损失，但相较于参比电池，其J02型复合导致的FF损失更低。最终部分刻蚀路径的最佳电池效率达22.9%，开路电压729 mV，与最佳参比电池几乎持平，证明所开发的部分刻蚀工艺能以更简单、经济且快速的流程实现媲美参比电池的性能。
关键词： 交叉指型背接触（IBC）、氢等离子体、非晶硅、异质结、干法刻蚀、工艺简化、NF3/氩等离子体、原位加工
更新于2025-09-23 15:23:52
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CF<sub>4</sub>表面刻蚀对4H-SiC MOS电容器的影响
摘要： 研究了CF4刻蚀对4H-SiC MOS电容器的影响。采用CF4干法刻蚀工艺将氟原子引入4H-SiC表面作为表面处理，并利用该处理制备了具有干氧氧化层的4H-SiC MOS电容器。结果表明，MOS电容器的击穿电场强度提高，且其特性波动低于未经此处理的MOS电容器。
关键词： MOS电容器，氧化层/4H-SiC界面，干法刻蚀，氟
更新于2025-09-23 15:21:01
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采用感应耦合等离子体(ICP)优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面刻蚀工艺及器件特性
摘要： 本研究全面探究了采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对准垂直氮化镓（GaN）肖特基势垒二极管（SBD）台面刻蚀的优化方案，包括刻蚀掩模选择、ICP功率、射频（RF）功率、混合气体比例、流量及腔室压力等参数。特别地，通过结合ICP干法刻蚀与四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法处理，消除了台面侧壁底部拐角处的微沟槽。最终利用优化后的刻蚀工艺实现了高各向异性的台面侧壁形貌，并制备出准垂直GaN SBD，在-10V反向偏压下获得10?? A/cm2的低反向电流密度。
关键词： 准垂直、电感耦合等离子体（ICP）、氮化镓（GaN）、干法刻蚀、侧壁轮廓、台面结构、肖特基势垒二极管（SBD）
更新于2025-09-19 17:13:59
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氧化镓 || 氧化镓的干法刻蚀
摘要： 在制造紫外日盲光电探测器、各类晶体管及传感器等器件时，通常需要对Ga2O3进行图形化处理[1,2]。该工艺通过使用介质或光刻胶掩模?；び性辞园氲继宀牧辖锌淌词迪??？淌垂ひ罩饕治酱罄啵阂合嗫淌矗词淌矗┖推嗫淌矗ǖ辈捎玫壤胱犹逄峁┓从αＷ邮背莆煞淌矗3]。刻蚀工艺可根据速率、选择性、均匀性、方向性（各向同性或各向异性）、表面质量及重复性等参数分类[3]。所有刻蚀过程都包含三个基本环节：(i) 刻蚀粒子向待刻蚀表面迁移；(ii) 发生化学反应生成可溶于周围介质的化合物；(iii) 副产物从刻蚀区域移除，使新鲜刻蚀剂能接触表面。其中(i)和(iii)通常统称为扩散过程（尽管可能存在对流现象）。这些环节中最缓慢的步骤主要决定了刻蚀速率，该速率可能受扩散限制或化学反应限制。
关键词： 反应离子刻蚀、感应耦合等离子体、氧化镓、等离子体刻蚀、干法刻蚀
更新于2025-09-09 09:28:46