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oe1(光电查) - 科学论文

34 条数据
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  • 缺氧钛氧化物存储单元中的电场调控交叉效应

    摘要： 在这封信中，我们报道了免形成氧化钛基存储单元电流-电压特性中的一种异常交叉现象。高低阻态转换发生的电压Vcr会随着扫描速率降低、最大扫描电压升高或电流限制值增大而逐渐向更低的偏压方向移动。有趣的是，这种交叉效应在还原氧化基存储单元中并不明显。我们讨论了这些I-V曲线变化背后的机制。

    关键词： D. 交叉，D. 忆阻器，A. 金属氧化物

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 激光制备氧化石墨烯忆阻器中的电阻开关与电荷传输：一种时间序列与量子点接触建模方法

    摘要： 本研究通过结合时间序列统计分析及量子点接触电导模型的两种数值分析工具，探究了近期报道的激光制备氧化石墨烯忆阻器中电阻开关（RS）现象的成因。两种数值分析方法均表明存在连接电极的导电细丝，该细丝可能在导电路径的特定位置发生中断，从而引发电阻开关现象。这些结果支持现有理论模型——即激光制备氧化石墨烯忆阻器的忆阻特性源于氧化石墨烯内部导电路径化学计量比的改变。

    关键词： 氧化石墨烯、忆阻器、自协方差、阻变存储器、可变性、激光、时间序列建模

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 无铅双钙钛矿实现的高性能信息存储环境鲁棒忆阻器

    摘要： 忆阻器正成为新兴计算与信息存储技术的明星材料。然而，其在高湿度、高温、明火、电离辐射及机械弯曲等严苛条件下的不稳定性严重制约了实际应用。本研究首次采用无铅双钙钛矿Cs2AgBiBr6制备环境耐受性忆阻器，实现了高效信息存储。典型的氧化铟锡/Cs2AgBiBr6/金三明治结构忆阻器在经历1000次开关循环、10^5秒读取及10^4次机械弯曲后仍保持优异存储性能，与其他卤化物钙钛矿忆阻器相当。最重要的是，该忆阻器在80%湿度、453K高温、酒精喷灯火焰灼烧10秒及60Co γ射线5×10^5 rad(SI)辐照等严苛环境下仍能稳定工作——这一特性是其他忆阻器及商用闪存技术均未实现的?；贑s2AgBiBr6的高性能环境耐受性忆阻器的成功研制，将为无铅双钙钛矿在稳健电子器件领域的进一步发展提供重要启示。

    关键词： 无铅、阻变随机存取存储器、存储器、双钙钛矿、忆阻器

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于ZnO的透明忆阻器器件中由薄膜纳米结构控制的可擦除-不可擦除转换转变：溅射压力依赖性

    摘要： 我们发现一次写入多次读?。╓ORM，不可擦除）到可重写（可擦除）的转变现象源于丝状结构的不同，而这种结构由沉积薄膜的晶粒取向决定。本文还讨论了这种开关转变的导电机理及其对各种氧化锌纳米结构突触行为的影响。此外，我们的WORM器件具有可编程的物理损伤功能，可用于安全系统防范数据窃取、黑客攻击及软硬件非法使用。本研究提出了基于氧化锌的不可见电子应用非易失性存储器，并为WORM和可重写存储器的设计提供了有价值的见解。

    关键词： 氧化锌，溅射，透明电子学，忆阻器，一次写入多次读取

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 亚微米级ZnO多晶薄膜的电阻开关效应

    摘要： 阻变器件被认为是传统随机存取存储器最具前景的替代方案。它们在器件可扩展性、低功耗、高读写速度、耐久性和状态保持等方面展现出优异特性。此外，基于阻变效应模拟忆阻器的神经形态电路和类突触器件，为超越冯·诺依曼计算架构和智能系统开辟了新途径。本研究探究了氧化锌薄膜的阻变特性与溅射沉积工艺及器件构型（即价态变化存储器VCM和电化学金属化存储器ECM）的关联。通过制备并深入表征不同厚度的氧化锌器件（50-250纳米），电学测试表明：与常规用于阻变RAM的非晶氧化物（如HfOx、WOx等）不同，采用亚微米级多晶ZnO层配合ECM构型才能实现最可靠的器件性能。研究结果通过关联阻变机制与材料纳米结构进行了深入讨论。

    关键词： 阻变效应、氧化锌、纳米结构、忆阻器

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • a-TiO<sub>x</sub>忆阻器活性介质技术的各个方面

    摘要： 新的物理方法使快速响应的非易失性阻变存储器（ReRAM）在数字、神经形态及其他数据处理系统中极具吸引力，这一点在许多先前发表的研究中已有探讨。尽管金属-介质-金属结构中的电阻效应和记忆开关现象已广为人知，但这些现象背后的物理机制仍不明确。电学特性的显著不稳定性和可重复性不足是阻碍忆阻器实际应用的主要因素。通过结合细丝理论和构成当前多数研究活跃忆阻器介质的非晶宽带隙半导体物理学，可以解决这一问题。非晶态与晶态纳米结构的特性存在根本差异，非晶纳米结构的特性较为特殊且高度依赖制造工艺。本文重点研究控制非晶态及其稳定性的方法。实验采用常规的电子束诱导沉积技术制备样品，以研究成熟的TiO2作为活性忆阻器介质基材。通过改变沉积温度（保持沉积速率、残余真空腔压力和涂层厚度不变）来调控所得涂层的非晶态。利用表面等离子体共振法、光谱技术和全外反射X射线衍射法等手段监测涂层的稳定性。实验中观察到非晶层光学参数的长期显著弛豫现象以及非均匀非晶层发展的表征。

    关键词： 阻变随机存取存储器、非晶态、忆阻器、表面等离子体共振、二氧化钛、高分辨X射线衍射

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • BaTiO?隧道结中的非对称电阻开关动力学

    摘要： 在铁电BaTiO3隧道结中详细研究了与极化反转相关的电阻开关效应，重点关注铁电畴切换的动力学过程。观测发现高阻态（HRS）与低阻态（LRS）之间的转换具有显著不对称性：从LRS到HRS的转变过程较为平缓，而从HRS到LRS的转换则通过雪崩式过程进行。研究表明这种独特行为与结区中存在的印记场有关，并对结区性能产生重要影响。

    关键词： 铁电隧道结、铁电动力学、神经形态计算、钛酸钡薄膜、忆阻器

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 基于二维钙钛矿的可切换双端透明光电器件

    摘要： 一种可通过光子开关的结构被认为是大多数光电器件（如光电晶体管和光电探测器）的必要条件。然而，开发一种无需改变测量电压或照明光线即可调节其光响应的单器件具有挑战性，且尚未实现。本研究提出并展示了一种概念新颖的二维钙钛矿基全透明双端光电器件——该器件仅需短电脉冲即可开关，而无需改变测量条件（如照明光子或施加电压）。该器件在电流-电压特性中呈现回滞环开启现象，这一特性被用于设计新型电触发光电器件。通过简单电压脉冲，其光电流可从零调控至2.2毫安。此外，在开启状态下测得响应度为550毫安/瓦，探测率达2.16×101?琼斯。该方法有望为智能窗、透明图像传感器等双端高透明先进光电器件的设计开辟新途径。

    关键词： 光电子学、二维钙钛矿、透明电子学、两端器件、忆阻器

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [IEEE 2018年计算、通信与信息学进展国际会议(ICACCI) - 印度班加罗尔(2018.9.19-2018.9.22)] 2018年计算、通信与信息学进展国际会议(ICACCI) - 记忆电阻器对全差分跨阻放大器性能的影响

    摘要： 物联网（IoT）技术和应用的进步需要高效低功耗的电路与架构，以维持并提升日益增长的数据处理系统性能。采用忆阻器电路替代高能耗器件是减小芯片面积和降低架构功耗的有效方案。本文提出了一种CMOS-忆阻器全差分跨阻放大器，并评估了忆阻器对放大器性能的影响。该全差分放大器基于180nm CMOS工艺仿真实现，在1pF负载条件下具有5.3-23MHz带宽和2.3-5.7kΩ跨阻增益。我们将基于忆阻器的放大器与传统架构进行对比，报告了增益、频率响应、线性范围、功耗、面积、总谐波失真以及温度变化对性能的影响等指标。

    关键词： 跨阻放大器，全差分，180纳米CMOS，物联网，忆阻器

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 摩擦诱导位点选择性生长（RISS）制备二硫化钼器件图案

    摘要： 二维层状过渡金属硫化物优异的电子和机械性能可被用于制造具有多种诱人功能的器件。然而，此类基于层状材料的器件的纳米加工仍需依赖光刻胶光刻和等离子体刻蚀工艺来将层状材料图案化为功能性器件结构。这种图案化过程会导致不可避免的污染，而原子级薄层材料对这类污染极为敏感。更严重的是，光刻引入的污染物无法通过常规半导体清洗方法安全去除。这一挑战严重阻碍了具有稳定特性的大规模层状材料器件阵列的制造。为解决该问题，我们提出一种摩擦诱导位点选择性生长方法，无需任何额外图案化工艺即可直接生成少层MoS2器件图案。该方法包含两个关键步骤：(i) 在介电表面产生微尺度摩擦电荷图案的无损机械摩擦过程；(ii) 在摩擦诱导电荷图案内进行MoS2的位点选择性沉积。结合有限元分析的显微表征表明，摩擦电荷图案内的场强分布决定了生长MoS2图案的形貌。此外，采用本方法制备的MoS2线型图案已成功用于构建工作晶体管和忆阻器阵列，这些器件在大面积范围内展现出高良率和良好的电学特性一致性。本方法可进一步发展为一种经济高效的纳米制造技术，用于生产基于各类层状材料的功能性器件图案。

    关键词： 场效应晶体管、二硫化钼、纳米制造、纳米加工、忆阻器、化学气相沉积

    更新于2025-09-09 09:28:46