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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 氧化石墨烯半导体平面型电子发射器件及其应用
摘要： 基于氧化石墨烯-半导体结构的平面型电子发射器件被开发出来。通过结合800℃低温石墨烯沉积工艺与真空环境下300℃的后器件退火处理所制备的GOS型电子发射器件，同时实现了超过10%的极高电子发射效率和约100 mA/cm2的高电子发射密度。
关键词： 石墨烯，化学气相沉积，金属氧化物半导体，电子发射
更新于2025-09-09 09:28:46
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求解含时薛定谔方程得到福勒-诺德海姆场发射解
摘要： 我们求解描述金属表面在外加电场E（于t=0时刻开启）作用下电子发射的含时薛定谔方程。从代表E=0时广义本征函数的波函数ψ(x,0)出发，求得ψ(x,t)，并证明当t→∞时其趋近于福勒-诺德海姆隧穿波函数ψE(x)。ψ与ψE的偏差随时间渐近衰减为幂律关系t?3。对于典型金属和数V/nm量级的电场，相关时间尺度约为飞秒量级。我们绘制了电流与密度的短时演化曲线。
关键词： 电子发射、含时薛定谔方程、福勒-诺德海姆场致发射、量子隧穿
更新于2025-09-09 09:28:46