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oe1(光电查) - 科学论文

96 条数据
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  • 电铸Al-Al?O?-Ag二极管价带态与缺陷导带的电子发射及紫外电致发光

    摘要： 金属-绝缘体-金属（MIM）二极管的电铸过程是一种软介质击穿现象，会导致导电细丝穿过二极管形成。这是开发阻变存储器中可发生开关的导电态的关键步骤。研究了两组电铸铝-氧化铝-银二极管（非晶阳极氧化铝厚度介于20纳米至49纳米之间）的导通、电子发射到真空（EM）和电致发光（EL）特性。当出现表征铝-氧化铝-金属二极管电铸过程的电流突增时，EM和EL同时显现。电铸后电流-电压（I-V）特性中存在电压控制的微分负电阻。电子发射存在与施加电压VS相关的温度无关电压阈值VEM ? 4 V，并呈现指数增长。当VS超过第二个温度无关电压阈值UEM时，区域III会出现EM的二次指数增长——其中一组铝-氧化铝-银二极管的UEM约为6.6 V，另一组约为7.9 V。在4 V ? VS ? UEM的区域II内，EM基本保持恒定。采用两个带通滤波器对电铸铝-氧化铝-银二极管的EL进行表征：长通（LP）滤光片配合光电倍增管响应能量约1.8 eV至3.0 eV的光子；短通（SP）滤光片测量约3.0 eV至4.2 eV的紫外（UV）辐射。对应EM区域I，当VS超过温度无关电压阈值VLP ? 2.0 V和VSP ? 2.2 V时，EL呈现指数增长。在区域III，当VS超过温度无关电压阈值USP时，SP滤光片测量的UV出现二次指数增长——其中一组电铸铝-氧化铝-银二极管的USP ? 7.9 V，另一组≈8.8 V（USP > UEM）。两组均观测到来自非晶氧化铝价带态的EM。两组电铸铝-氧化铝-银二极管UEM与USP的差异，归因于非晶氧化铝中F0-或F+-中心基态形成的缺陷导带（氧空位）是否存在。在低电导态下观测到电铸铝-氧化铝-金属二极管的EM或EL呈指数增长，这与涉及导电细丝断裂的MIM二极管开关机制不符——因为若断裂影响二极管电流，理应同时切断EM和EL。

    关键词： 电铸、电子发射、电致发光、缺陷导带、电阻开关、Al-Al2O3-Ag二极管

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 用于蓝光发光电化学池的聚集诱导发光小分子

    摘要： 设计并合成了两种含菲并咪唑和四苯基乙烯的蓝色聚集诱导发光（AIE）发光体。研究了这两种衍生物的光学性质、热稳定性、电子性质、电化学性质及电致发光性能。菲并咪唑衍生物表现出良好的热稳定性和AIE特性。以这些发光体为发光材料制备了非掺杂型发光电化学池器件，该LEC器件呈现以474 nm为中心的蓝光发射且性能优异。

    关键词： 光致发光、电致发光、单分子、聚集诱导发光

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于温度敏感光学参数（TSOP）方法的碳化硅功率MOSFET结温在线提取技术

    摘要： 准确获取碳化硅功率MOSFET的结温信息对确保器件安全运行及可靠性评估至关重要。本文基于碳化硅功率MOSFET体二极管的电致发光现象，提出一种在线结温提取方法。研究发现，在体二极管正向导通期间，芯片周围会发出可见蓝光，这源于碳化硅MOSFET低掺杂区的辐射复合效应。实验表明光强随温度变化呈线性关系，可作为温度敏感光学参数（TSOP）。进一步建立了电-热-光模型揭示电致发光强度、正向电流与结温的关系。基于该TSOP，提出适用于碳化硅MOSFET的在线结温提取方法，并在碳化硅MOSFET逆变器中验证。相比现有方法，本结温测量技术具有非接触特性且不受封装老化影响。

    关键词： 结温提取、体二极管、热管理、电致发光、碳化硅MOSFET

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 具有三苯胺结构的丙二腈衍生物的热学、光谱学、电化学及电致发光特性研究

    摘要： 通过简单方法高产率合成了三种具有线性、四极和三脚架排列的推拉分子，这些分子由三苯胺（电子给体）取代马来酰亚腈基团（电子受体）构成。采用循环伏安法、吸收与发射光谱以及密度泛函理论计算，研究了马来酰亚腈取代基数目对光电性能的影响。所得衍生物形成非晶态材料，其能带隙低至2.06-2.49 eV。在溶液（氯仿、NMP）及固态薄膜/两种共混物（与PMMA和PVK:PBD）中考察了紫外-可见吸收与光致发光光谱。光致发光量子产率取决于分子结构、溶剂及固态层配方。该类化合物在固态薄膜中呈现15-42%、在与1 wt% PMMA共混物中呈现12-59%的高光致发光量子产率，展现出应用于发光二极管的潜力。以纯衍生物及分子分散于PVK:PBD（50:50 wt%）基质中的化合物作为活性层的二极管，分别显示出橙色和绿色电致发光。

    关键词： 三苯胺、光致发光、电化学、丙二腈、电致发光

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • (C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>PbI<sub>4</sub>有机-无机量子阱的电吸收光谱积分法分析及电致发光研究

    摘要： 对二维杂化有机-无机卤化物钙钛矿半导体((C4H9NH3)2PbI4)（N1）进行了电场诱导的吸收光谱、光致发光（PL）光谱及PL衰减曲线变化的测量。通过假设斯塔克位移，分析了室温及45K低温下观测到的电吸收（E-A）光谱，确定了光激发后电偶极矩和极化率变化的大小。45K低温E-A光谱中观测到的强信号被解释为：由光激发后极化率大幅改变导致的极斯塔克位移效应极其显著的弱吸收带。该化合物的电致发光光谱（即场诱导PL光谱变化）显示，外加电场会猝灭N1的PL。场效应对PL衰减曲线的影响表明，猝灭既源于光激发后发射态布居数的场致减少，也源于发射态非辐射衰减速率增强导致的场致寿命缩短。在45K低温下，出现分别源自不同相态的两种激子发射，且两者被施加电场以不同效率猝灭。同时还发现：低温下波长长于尖锐激子带的陷阱发射具有比激子发射更高效的场致猝灭效应，这表明电场会减缓光激发态向陷阱态的能量转移。

    关键词： 电致发光、电吸收、钙钛矿、斯塔克位移、量子阱

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 基于微波辐照合成的无机钙钛矿量子点构建的电化学可切换电化学发光传感器

    摘要： 采用微波辐照法合成了无机钙钛矿量子点（IPQDs），证实其具有单斜晶相，并在整个可见光光谱范围内表现出可调谐的光致发光特性。该微波合成方法操作简便、高通量且成本低廉。这些微波合成的IPQDs展现出电化学可切换的电化学发光（ECL）性能：当空穴注入电子注入态的IPQDs时产生显著ECL，而反向过程中几乎检测不到ECL。IPQDs的ECL特性为构建过氧化氢（H2O2）和多巴胺（DA）检测的电化学发光传感器提供了可能。实验检测到ECL强度与H2O2/DA浓度之间存在线性关系，并获得良好相关系数。本研究阐明了微波合成IPQDs的电化学发光机制。

    关键词： 电化学发光传感器、无机钙钛矿量子点、电致发光、微波

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 在PERC电池中插入低折射率介质背反射器：挑战与机遇

    摘要： 基于2.5纳米尺寸硅量子点/二氧化硅多层结构的发光器件已制备完成。该器件在直流驱动条件下实现了明亮的白光发射，其开启电压低至5伏。在方波和正弦波交流驱动条件下观测到频率依赖性的电致发光强度变化。研究发现施加正弦交流电时，发射波长会随频率改变。交流驱动条件下经过3小时测试后发光强度衰减小于12%，展现出比直流驱动更优的器件稳定性。

    关键词： 电致发光（EL），直流电（dc），硅量子点（Si QDs），频率依赖性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议(CAOL) - 保加利亚索佐波尔(2019.9.6-2019.9.8)] 2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议(CAOL) - 天然气加热快速控制中的未授权行为评估

    摘要： 已制备出基于2.5纳米尺寸Si量子点/SiO2多层结构的发光器件。在直流驱动条件下实现了明亮的白光发射，器件启亮电压低至5伏。在交流方波和正弦波条件下观察到电致发光强度的频率依赖性。研究发现施加正弦交流电时发射波长随频率变化。在交流驱动条件下经过3小时测试后发光强度衰减小于12%，显示出比直流驱动更好的器件稳定性。

    关键词： 电致发光（EL），直流电（dc），硅量子点（Si QDs），频率依赖性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 导通态栅极偏压导致p-GaN栅极AlGaN/GaN功率器件漏电流增加的机理

    摘要： 本文报道并观察到p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)中，由导通态栅极偏压引发的关断态漏电流增加现象。实验发现更高的栅极偏压电压和更长的偏压持续时间会导致更大的关断态漏电流。我们提出：关断态漏电流的初始增加及其随后的时间衰减，是由于导通态栅极偏压期间空穴注入和电致发光效应在GaN中引发的持续光电导作用所致。在室温条件下，这种增强的漏电流需要超过20秒才能在黑暗环境中降至平衡水平。同时本文也提出了该现象在p-GaN栅极HEMT结构中相关的物理机制。

    关键词： p型氮化镓栅极，铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管，持续光电导，漏电流，电致发光

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 用于柔性照明和显示的石墨烯 || 基于石墨烯的量子点发射器用于发光二极管

    摘要： 量子点是一种零维材料，当其尺寸达到纳米级时会产生量子限域效应，并根据颗粒大小呈现不同的电学和光学特性。被限制在小于激子玻尔半径的纳米尺度微小区域内的电子会发生能级量子化，其自由运动受到限制。量子点中的电子通过量子限域效应在三个维度上均受到约束，从而形成有限数量的电子、空穴和激子态，导致材料特性随颗粒尺寸变化而呈现多样性。换言之，三个维度上的完全限域使得量子点中受限载流子的能态实现完全量子化或离散化[1]。因此，随着颗粒尺寸减小，载流子能级降低，量子化的能级数量减少，从而导致带隙变宽且离散程度更高[2-4]。

    关键词： 电致发光、发光二极管、量子限制、石墨烯量子点、光致发光

    更新于2025-09-23 15:21:01