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(1???x)(La?.?Ca?.?MnO?)/x(Sb?O?)陶瓷复合材料的合成与表征
摘要： 复合材料((1 ? x)(La0.6Ca0.4MnO3)/x(Sb2O3))（x = 0.00、0.07和0.12）采用传统固相反应法合成。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)结果表明Sb2O3与LCMO共存且Sb2O3主要偏聚于LCMO晶界处。磁学研究表明其呈现典型变化规律。在0T、2T和5T外加磁场下测量了复合样品的电阻率，所有试样均在温度Tρ处发生金属-半导体转变。电阻率温度依赖性表明复合材料的输运行为受晶界主导，推测Sb2O3的添加起到了晶粒间隔离层作用。ρ-T曲线与渗流理论下的导电现象学方程高度吻合。研究发现添加Sb2O3可使磁电阻(MR)达到最大值?；诘缱杪什饬垦芯苛薒CMO的磁热性能，从电阻率获得的磁熵变ΔSM与磁测量计算结果相近。最后零磁场下的TCR曲线呈现优良特性，使其成为热释电探测器的理想候选材料。
关键词： MR（磁电阻）、锰氧化物复合材料、渗流模型、电阻率、温度系数（TCR）
更新于2025-09-10 09:29:36
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末端氨基官能化四烷基锡(IV)前驱体在SnO?薄膜金属有机化学气相沉积中的验证：薄膜生长特性、光学及电学性质研究
摘要： 四价锡氧化物是一种极具前景的半导体材料，在化学传感等领域展现出领先特性。其薄膜生长采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺具有显著优势——该技术不仅具备优异的可扩展性，还能通过精准选择反应物来调控工艺温度。本研究首次报道了一种采用末端氨基烷基取代的四烷基锡(IV)化合物的高效MOCVD新工艺用于沉积四价锡氧化物薄膜。通过对液体前驱体四[3-(N,N-二甲基氨基)丙基]锡(IV) [Sn(DMP)4]进行热稳定性与蒸气压表征，在氧气环境下成功制备出高纯度多晶四价锡氧化物薄膜，其结构与形貌特征均可调控。X射线光电子能谱（XPS）详细分析证实薄膜中存在氧空位及大量化学吸附氧物种?；谡庑┯乓焯匦裕芯客哦佑呕疢OCVD工艺将薄膜厚度从25-50纳米梯度缩减，通过范德堡（vdP）电阻率测量探究初始成膜后表面形貌微变对电学性能的影响。采用紫外-可见（UV-vis）光谱估算了不同厚度薄膜的光学带隙。
关键词： 成分，二氧化锡，形貌，金属有机化学气相沉积，电阻率
更新于2025-09-10 09:29:36
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4.1：粘合剂和粘结剂电阻率对电泳显示?？楣庋阅艿挠跋?
摘要： 将带电粒子分割成微单元，即微胶囊[3]。然而，采用微胶囊化技术时需配合使用粘结材料，以确保微胶囊能牢固附着于基材而不脱落。此外，还需设置粘合层以保证电泳层(EPL)与背板驱动器件之间具有足够的粘接强度[4]。作为电泳显示(EPD)?？榈墓丶榧?，粘结剂和粘合剂的性能对EPD?？榈男阅苤凉刂匾?。其中，粘结剂和粘合剂的体积电阻率尤为重要，因其会直接影响电光性能。本文将研究各类粘结剂和粘合剂的体积电阻率，并探讨其对光学性能的影响。
关键词： 电阻率、粘合剂、光学性能、电泳显示?？?、粘合材料
更新于2025-09-10 09:29:36
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采用1-辛硫醇包覆铜纳米墨水与标准清洗-1处理基底的咖啡环效应消除型无分散剂胶体墨滴喷墨图案化优化
摘要： 采用抗氧化铜纳米墨水，通过喷墨打印方法在经标准清洁-1（SC-1）处理的基板上形成了喷墨打印图案和液滴。SC-1处理后基板的疏水性增强。通过干法涂层技术用1-辛硫醇蒸气包覆铜纳米颗粒制得抗氧化纳米颗粒，将其分散于溶剂中形成纳米墨水。当50 wt%浓度的1-辛硫醇包覆铜纳米墨水打印在SC-1处理的玻璃基板上时，液滴呈现均匀形貌。在SC-1处理的玻璃上打印的最小图案线宽为55微米，电阻率为1.73×10?? Ω·m，该电阻率较未处理基板降低4.3倍。此外，使用1-辛硫醇包覆铜纳米颗粒制备的纳米墨水打印的图案具有良好附着力，其电阻率约降低2.1倍。与含未包覆纳米颗粒的墨水相比，纳米颗粒在液滴中的分散更疏水，形成的喷墨打印图案更均匀且电阻率更低。
关键词： SC-1处理，咖啡环效应，辛硫醇包覆铜纳米墨水，喷墨打印，电阻率
更新于2025-09-10 09:29:36
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射频磁控溅射制备的掺铒氮化铝薄膜特性研究
摘要： 在不同溅射时间下，通过射频磁控溅射在蓝宝石衬底(0001)上沉积了掺铒氮化铝薄膜。研究了薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性能。XRD图谱和SEM截面图表明掺铒AlN薄膜呈现C轴择优取向。随着溅射时间增加，薄膜结晶质量先提升后下降，在90分钟时达到最佳。压电系数d33显示最大值为9.53pm/V。相应地，薄膜最佳表面形貌出现在90分钟时，表面粗糙度最低达2.012nm。此外，电阻变化与结晶质量变化一致，电阻率在90分钟时达到最大值4.36×1012Ω·cm。
关键词： 压电性能、掺铒氮化铝、晶体结构、电阻率、溅射时间、磁控溅射
更新于2025-09-10 09:29:36
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在组装过程中定制碳纳米管线材的物理性能
摘要： 可纺碳纳米管（CNTs）是研究其原始状态下纤维组装体物理特性的理想材料形式。这类材料不含催化剂、长度均匀、直径分布较窄，且成丝过程无需额外化学试剂或溶剂。优质可拉伸CNT阵列能轻松组装成直径均匀的线材，并可精确控制线材中CNTs的数量。这种均匀性使我们能够研究成丝过程中产生的物理特性变化。本文报道了通过调整制造参数所导致的电阻率和机械强度变化趋势，从而实现对材料本征物理特性（如电阻率）的调控。我们建立了电阻率与机械强度随直径、密度及每米匝数变化的函数关系。理解干法纺丝参数的影响，将有助于针对特定应用（如应变或电化学传感器）更好地设计CNT线材的物理特性。
关键词： 电阻率、线股和捻角。纤维、纱线、碳纳米管、直径控制。
更新于2025-09-10 09:29:36
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铈掺杂、锰掺杂及铈-锰共掺杂对BaTiO3陶瓷介电性能的增强作用
摘要： 通过传统固相反应法合成了Ba1?xCexTi1?yMnyO3（x和y取值范围为0.00至0.03）陶瓷样品。样品在1473 K下烧结4小时。观察到晶粒尺寸随掺杂剂和共掺杂剂浓度增加而增大。X射线衍射证实这些钛酸钡基陶瓷具有立方相并存在少量第二相。电流密度与电压呈近似线性关系，样品的交流电阻率随频率和掺杂浓度升高而降低。在低频范围（0.2-10 kHz）内，介电常数和介电损耗随频率升高而减小，但在高频区（>10 kHz）基本保持不变。虽然铈掺杂样品比锰掺杂样品表现出更优的介电性能，但经改进介电性能的铈-锰共掺杂样品可用于制备不同光电设备。
关键词： 电阻率、扫描电子显微镜、固相反应、介电性能、X射线衍射、晶粒尺寸
更新于2025-09-09 09:28:46
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单根ZnSe纳米线场效应晶体管中输运特性的增强
摘要： 宽禁带半导体是下一代光电器件（包括可调谐发射器和探测器）的绝佳候选材料?；赯nSe纳米线的器件在蓝光发射应用中展现出巨大潜力，因其易于制备且重复性良好。然而，其应用受限于阻碍光电器件性能的深能级缺陷态。本研究主要目标是展示ZnSe纳米线器件在富锌气氛中进行生长后退火处理后的性能提升。我们采用低温光致发光光谱确定主要复合机制及相关缺陷态，随后表征了由原位生长纳米线和锌退火纳米线制备的ZnSe纳米线场效应晶体管的电学特性，测得退火处理后电导率和迁移率均获得数量级提升。研究表明退火处理降低了锌空位浓度——这些空位正是导致原位生长纳米线出现强补偿效应和高散射的主要原因。
关键词： 电阻率，II-VI族半导体，晶体缺陷，载流子输运，光致发光，载流子迁移率，纳米线
更新于2025-09-09 09:28:46
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掺氟氧化锡薄膜生产中电子回旋共振等离子体的规?；笛芯?
摘要： 由于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基材为聚合物且熔点较低，需采用低温工艺在其表面沉积氟掺杂氧化锡（FTO）透明导电氧化物。电子回旋共振（ECR）等离子体系统是在低于100℃条件下制备高透明度和导电性金属氧化物的最佳方法。该系统具有高电离能和电子密度特性，但大规模沉积应用受限。通过实验室级ECR等离子体系统的数值模拟研究，设计出配备双微波发生器的大规模ECR等离子体系统。对比发现：实验室级与大规模系统制备的FTO薄膜性能相当；在大规模双线性微波发生器ECR系统中，沉积压力对电阻率和光学透过率的影响规律与实验室系统一致；基底附近活性粒子的速度分布范围（1.5×10?2至0.8×10?2 m/s）呈现高度相似性。该大规模系统制备的FTO薄膜电阻率为4.3×10?3～9.18×10?3 Ω·cm，光学透过率达86.5%～88.2%。
关键词： 双微波、电子回旋共振等离子体、电阻率、光学透过率、氟掺杂氧化锡
更新于2025-09-04 15:30:14
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利用气溶胶沉积工艺制备具有优异电学性能的银薄膜
摘要： 采用简单的室温气溶胶沉积（AD）工艺制备高效率金属化银厚膜，该工艺可降低集成电路中的电阻-电容延迟并提高信号传播速度。为获得优于既往研究报道的气溶胶沉积银膜的性能，预先优化了直接影响电阻率的实验参数（喷嘴孔径与气体消耗量）。选择合适的小孔径以通过激活渗流效应和形成更多导电通道来降低电阻率。高气体消耗量同样能减少银膜电阻率，促使形成大量金属团簇。使用显示最低电阻率的实验参数，通过AD工艺制备银厚膜并分析其性能。X射线衍射结果证实银颗粒发生了撞击诱导塑性变形。当膜厚增至12次扫描时，碰撞颗粒填满了粗糙的氧化铝基底。12次扫描后，由于初始沉积银颗粒发生严重塑性变形，银膜趋于致密化。因此生长机制表明：初始沉积步骤中的多数银颗粒主要贡献于机械互锁，而后续颗粒则导致膜层致密化。
关键词： 气溶胶沉积、电阻率、银薄膜、金属化、集成电路
更新于2025-09-04 15:30:14