- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
缓冲材料和制备气氛对CdTe太阳能电池电性能的影响
摘要： 界面能垒、缺陷能级和缺陷密度等电学特性决定了薄膜太阳能电池的性能。本研究通过基于导纳谱的技术手段证明，这些特性可在碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池中实现量化测定。结果表明，CdTe薄膜太阳能电池的电学特性同时受缓冲层材料和制备气氛影响。研究发现：无论采用何种制备气氛，CdS/CdTe前结仅存在可忽略的前接触势垒，而ZnMgO（ZMO）/CdTe结则呈现明显前势垒；CdS/CdTe与ZMO/CdTe电池均存在背接触势垒。CdS/CdTe电池的缺陷能级比ZMO/CdTe电池更浅。制备气氛会改变电学特性——无氧环境能降低前后势垒高度并减小缺陷能级。该研究为理解和优化CdTe薄膜太阳能电池性能提供了关键依据。
关键词： 导纳谱、界面势垒、碲化镉、等效电路、光伏电池
更新于2025-09-11 14:15:04
-
[2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届国际光伏科学与技术大会及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 美国夏威夷威可洛亚村（2018年6月10日-15日）] 2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届国际光伏科学与技术大会及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 用于光伏组件显微分析的无伪影取样方法
摘要： 生产更可靠、高效光伏组件的关键一步，是建立长期服役组件微观特性与效率相关参数之间的关联。实现这一目标的首要任务，是能够无损地从这些组件上截取微小区域样本。本研究将阐述两种针对不同材料（硅、铜铟镓硒和碲化镉）制成且经服役应力的光伏面板进行微区取芯的不同工艺，并证明这些工艺不会损伤取芯材料。我们还将展示不同类型光伏组件的取芯工艺存在差异。
关键词： 光伏组件、碲化镉、铜铟镓硒、硅、取芯
更新于2025-09-11 14:15:04
-
掺镁氧化锌缓冲层在薄膜碲化镉太阳能电池中的降解
摘要： 硫化镉是薄膜碲化镉太阳能电池中常用的传统n型缓冲层。众所周知，硫化镉会导致光学损耗，且硫在高温激活过程中会扩散至吸收层。溅射沉积的镁掺杂氧化锌（MZO）因其透明性和可调带隙，已被证明是碲化镉太阳能电池极具吸引力的缓冲层。它还能耐受高温处理，并避免氯化镉激活工艺中元素向碲化镉吸收层的扩散。然而，采用MZO缓冲层的太阳能电池会出现性能退化现象。对MZO薄膜表面电位的分析表明，沉积后薄膜暴露于大气时，其功函数会出现显著波动。这些波动归因于MZO薄膜中所含氧化镁对水蒸气的高反应活性。通过X射线光电子能谱分析确定了相应的表面化学变化：氧化锌组分相对稳定，但分析显示氧化镁会在MZO表面形成Mg(OH)2层，该层在MZO/碲化镉界面和/或MZO与掺氟氧化锡界面形成次级屏障，从而影响填充因子并导致转换效率下降。
关键词： 表面污染、降解、薄膜太阳能电池、碲化镉、镁掺杂氧化锌、氢氧化物、缓冲层
更新于2025-09-11 14:15:04
-
砷掺杂碲化锌薄膜作为碲化镉太阳能电池背接触层的特性
摘要： 采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长的砷掺杂多晶ZnTe层被研究作为CdTe太阳能电池的背接触层。未掺杂ZnTe薄膜基本呈绝缘性，而掺杂层电导率随砷浓度增加显著提升。高浓度砷掺杂ZnTe:As薄膜通过霍尔效应测得高达4.5×101? cm?3的p型载流子浓度，其电学性能与文献报道的外延ZnTe单晶薄膜相当。直接沉积ZnTe:As的器件因吸收层p型掺杂密度(NA)降低导致开路电压(VOC)和填充因子(FF)损失，光伏性能较参比器件下降。在420℃氢气中进行无氯后处理退火后，吸收层掺杂有轻微恢复，使VOC和NA略有改善，凸显了背接触激活的重要性。通过牺牲CdS覆盖层对ZnTe:As背接触层进行温和CdCl?活化处理，可抑制标准CdCl?退火工艺(CHT)中因生成挥发性ZnCl?导致的锌损失。CdS牺牲覆盖层有效减少了锌损失。与未处理、无覆盖层的温和CHT处理器件相比，带CdS阻挡层的温和CHT处理使吸收层掺杂恢复最佳，VOC提升约10 mV，最佳电池效率接近基线器件水平。
关键词： 太阳能电池、碲化镉（CdTe）、金属有机化学气相沉积法（MOCVD）、掺砷碲化锌（ZnTe:As）背接触层、薄膜
更新于2025-09-11 14:15:04
-
二硫化钼与碲化镉量子点复合异质结构薄膜用于室温二氧化氮气体传感器
摘要： 二硫化钼与碲化镉量子点复合异质结构薄膜用于室温二氧化氮气体传感器
关键词： 混合异质结构，溅射法，二氧化氮气体传感器，碲化镉/二硫化钼薄膜
更新于2025-09-11 14:15:04
-
CdTe/ZnTe三量子点中的温度依赖性光致发光
摘要： 我们通过测量温度依赖的光致发光（PL）特性，研究了单量子点、双量子点和三量子点结构中CdTe/ZnTe量子点（QDs）的光学性质。从单量子点到三量子点结构，量子点的PL峰位发生蓝移。这种蓝移归因于隔离层施加的压应变以及材料互混效应。三量子点结构的温度依赖PL测量显示：随着温度升高，4.5单层（ML）量子点的PL峰强度衰减幅度小于3.0和3.5ML量子点。三量子点结构中4.5ML量子点的激活能高于单量子点结构中对应4.5ML量子点。这是因为温度升高时，部分载流子会因非辐射复合而消失，但三量子点结构中3.0和3.5ML量子点的许多载流子会迁移至4.5ML量子点并发生辐射复合。
关键词： 碲化镉，光致发光，三量子点，活化能
更新于2025-09-11 14:15:04
-
D<sup>2</sup>R<sub>1</sub>：一种基于CdTe的二维X射线探测器，用于精细间距与高能量分辨率成像光谱分析
摘要： 本文描述了一种名为D2R1（二维修订版1）的16×16像素CdTe基X射线探测器，其像素尺寸为300微米×300微米。通过铟金柱键合工艺将专用集成电路（ASIC）与CdTe探测器互连。该ASIC的平均等效噪声电荷为29电子均方根值（0皮法条件下）。低电容互连结构、低暗电流探测器（0.5皮安）与优化ASIC的组合，实现了60千电子伏能量下584电子伏半高全宽的光谱分辨率，能量阈值为2千电子伏且动态范围达250千电子伏。采用多相关双采样滤波级使系统能以10千计数/秒的典型频率测量X射线光子，适用于光子通量低于3000光子·厘米?2·秒?1的低通量场景。D2R1的能量范围、分辨率和计时性能可适配多种应用场景，如X射线天体物理学、核安全或医学领域。
关键词： 专用集成电路（ASIC）、电子学、光谱学、能量分辨率、X射线、碲化镉（CdTe）、低噪声、成像
更新于2025-09-10 09:29:36
-
分子束外延法在高度失配的SrTiO3(001)衬底上生长CdTe薄膜的外延工艺优化与光致发光光谱研究
摘要： 通过分子束外延技术在高度失配的(001)取向SrTiO3(STO)衬底上生长了单晶CdTe外延层(CTELs)。优化后的生长温度确定为210°C-270°C范围。采用X射线衍射(XRD)表征CTELs的晶体结构，通过面内/面外倒易空间映射、电子显微镜和电子衍射揭示其晶格参数，并总结出薄膜与衬底的以下外延关系：(111)CdTe || (001)STO，[1-10]CdTe || [010]STO及[11-2]CdTe || [100]STO。最佳半高宽达到~108角秒。XRD图谱中清晰的干涉条纹、电子显微镜形貌及光致发光光谱共同证实了材料具有高结晶质量和锐利界面。最后讨论了可能的生长机制，柔性外延机制能合理解释CdTe(111)/STO(001)外延体系的生长行为。在(001)STO衬底上实现原子级平整且高结晶质量的CTELs外延生长，将有助于光电器件应用及Hg1-xCdxTe基红外探测器材料的进一步外延生长。
关键词： 光致发光、碲化镉、钛酸锶、外延层、分子束外延、钙钛矿衬底
更新于2025-09-10 09:29:36
-
玻璃基底上沉积的碲化镉薄膜性能随基底温度的变化
摘要： 本研究探讨了采用电子束和热真空蒸发法在不同衬底温度下沉积的碲化镉（CdTe）薄膜性能变化，重点研究了衬底温度对CdTe薄膜结构、形貌、光学及电学特性的影响。通过掠入射X射线衍射技术进行结构表征发现，200°C沉积的薄膜比室温沉积样品具有更显著的结晶特性。研究计算了两种制备条件下CdTe薄膜的平均晶粒尺寸（D）、晶格应变（ε）、单位面积晶粒数（N）及织构系数TC(hkl)等参数。扫描电子显微镜观测显示薄膜表面形貌呈均匀特征。紫外-可见分光光度计与光致发光测试表明，在200°C衬底温度下，电子束和热蒸发制备的薄膜样品带隙值均有所降低。采用双探针法进行的电学测量显示，电子束蒸发法在200°C衬底温度下制备的CdTe薄膜具有最大电流值。
关键词： 热真空蒸发、光学性能、薄膜、电子束蒸发、电学性能、结构性能、衬底温度、碲化镉
更新于2025-09-09 09:28:46
-
通过可导出的多元线性回归模型进行每小时光伏发电量估算
摘要： 当前光伏（PV）电力并网状态要求采用多种策略来控制光伏电站的最优性能。清洁光伏电站、控制光伏发电量或估算发电量，是与光伏系统相关的几个重要方面。总体而言，污垢、云层及其他气候因素都会影响最终的光伏发电量。要了解光伏系统的性能，必须根据这些关键变量对光伏电站行为进行建模。本研究提出了一种多元线性回归（MLR）模型，通过使用性能比（PR）因子来确定不同技术（碲化镉（CdTe）和多晶硅（mc-Si））的每小时光伏发电量。为此，研究了智利不同地区（圣佩德罗德阿塔卡马和安托法加斯塔）多个光伏电站的数据。通过这项研究，确定该模型可外推至不同气候环境，在所有案例中均方根误差（RMSE）值普遍低于16%，其中CdTe技术取得了最佳结果。
关键词： 太阳能、光伏估算、多晶硅、多元线性回归、碲化镉、性能比
更新于2025-09-09 09:28:46