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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • （特邀）利用Mextram模型研究SiGe HBT的线性特性与紧凑建模

    摘要： 本文阐述了SiGe HBT射频线性的基本原理，并采用Mextram 504.12及最新版Mextram 505.00模型对共射极和共基极配置进行紧凑建模。研究表明集电结耗尽电容模型对精确模拟IP3峰值特性至关重要，为此Mextram 505.00引入了两种新选项。雪崩系数的电流依赖性被证实对IP3峰值的精确建模具有重要影响——这一特性在新兴射频应用中愈发关键，此类应用要求SiGe HBT在负基极电流条件下工作于更高集电极-基极电压(VCB)。

    关键词： SiGe HBT、紧凑建模、三阶交调点(IP3)、射频线性度、Mextram模型、雪崩因子

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [第48届IEEE欧洲固态器件研究会议（ESSDERC 2018）- 德累斯顿（2018年9月3日至2018年9月6日）] 2018年第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC）- 基于电容绝热逻辑的全加器设计紧凑型MEMS建模

    摘要： 我们提出了一种基于电容绝热逻辑（CAL）范式的1位全加器实现方案。通过五端梳齿驱动微机电系统（MEMS）元件实现了包括与门、或门和异或门在内的组合逻辑功能。在CAL架构中，我们证明了MEMS器件具有级联能力。通过MEMS紧凑建模，可以评估加法运算的能量耗散和速度。所展示的全加器在以2千次操作每秒（kOPS）运行时，传输至器件的能量有99.6%可被回收再利用。

    关键词： 紧凑建模、电容绝热逻辑、微机电系统、全加器、高温电子学

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 意大利罗马（2019.6.17-2019.6.20）] 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 基于基板集成波导缝隙阵列天线的准无衍射波束产生与调控

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该模型通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 面向数据中心内部应用的超高速2:1数字选择器与行波等离子体调制器IM/DD发射机（工作速率222 GBaud）

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得以证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 美国内华达州拉斯维加斯(2020.1.6-2020.1.8)] 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 基于连续子空间学习的DFB激光芯片缺陷检测

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方法通过计算表面势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该建模方法在大规模和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于先进MOS器件和IC中TID与老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID与老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 德国慕尼黑（2019年6月23日-27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 构建城郊量子网络链路

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于模拟先进MOS器件与IC中的TID和老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外线照射：一种制造纳米线太阳能电池的新颖加工方法

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于先进MOS器件与IC中TID和老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [第48届IEEE欧洲固态器件研究会议（ESSDERC 2018）- 德累斯顿（2018年9月3日至6日）] 2018年第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC）- 面向高效功率电路设计的紧凑建模

    摘要： 降低电路运行中的功率损耗是节能的紧迫任务。为此，精确预测器件级功率损耗是先决条件。本文提出了核心紧凑建模方法，该方法可轻松扩展以纳入需考虑的非理想效应。利用所开发的模型证明，任何阻碍栅极控制的现象都会成为功率损耗增加的根源?；诟媒舸战７椒?，结合基础电路讨论了实现低功率损耗的优化方案。

    关键词： 功率损耗、MOSFET器件、载流子动力学、紧凑建模、电路性能

    更新于2025-09-04 15:30:14