修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

131 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 温度控制下的断裂与熟化：从超薄硒化锌纳米线出发合成具有可变尺寸和晶体结构的硒化锌纳米棒

    摘要： 无重金属半导体纳米材料因其基础研究和商业应用的重要性而备受关注。特别是一维（1D）半导体中的偏振荧光发射特性，使其成为极具吸引力的显示材料。本研究开发了一种新型胶体合成方法，通过"温度控制断裂与熟化"工艺制备尺寸和晶体结构可控的1D ZnSe纳米结构。首先合成了长度50-200纳米、直径约1.1纳米的超薄ZnSe纳米线（NWs），随后通过控制断裂步骤保持相同直径获得ZnSe纳米棒（NRs），并通过调节加热程序将最终ZnSe NRs的长度控制在10-20纳米范围。采用更高温度断裂可使ZnSe NWs分解为更短的ZnSe NRs，而在后续熟化阶段控制ZnSe NRs的最终生长温度（220°C获得立方闪锌矿ZB结构，240°C获得六方纤锌矿WZ结构），实现了晶体结构的选择性调控。这种从自下而上到自上而下生长模式的转换机制，可精确控制ZnSe NRs的长度并选择最终晶体结构（六方WZ或立方ZB），为合成一维半导体纳米结构提供了新型生长机理。

    关键词： 纳米棒、熟化、纳米线、温度控制破碎、硒化锌、晶体结构

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于单个纳米线内嵌多个量子点的复用单光子源

    摘要： 基于光子学的量子信息技术需要高效、高发射率的单光子源。嵌入宽带纳米线波导中的位置可控量子点为制备高效单光子源提供了完全可扩展的途径。然而，单光子器件的发射率受限于辐射复合寿命。本文展示了一种基于多量子点纳米线的复用单光子源。通过外延生长的纳米线，我们集成了多个能量调谐的量子点，每个量子点都优化定位在纳米线波导内，能高效产生单光子。采用五量子点纳米线实验证明了单光子发射率随发射体数量线性增长——在饱和激发下其平均多光子发射概率<4%。这是首次在单一光子器件中确定性集成多个单光子发射体的成果，是实现可扩展多量子点系统GHz级单光子发射率的重要突破。

    关键词： 纳米线、单光子源、复用技术、量子点

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于单根CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>微/纳米线的表面光伏效应相关高性能光电探测器

    摘要： 随着材料尺寸减小至纳米级，其表面态将对性能起关键作用。本研究中的单个CH3NH3PbI3微/纳米线光电探测器可对200-850纳米宽波段光表现出优异的灵敏度与响应度。由于表面空间电荷区多数载流子（空穴）的耗尽，会形成与表面势垒相关的表面态光伏效应。在低工作电压下，该探测器能呈现低暗电流；当靠近正电极连接端受光照射时，光诱导的表面势垒降低会增强导电性，产生较大光电流。此外，在零偏压条件下，仅照射单端邻近区域时，探测器仍能展现较大的光生电压与电流?；诒疚难芯康腃H3NH3PbI3微/纳结构性能，具有表面光伏调控特性的高性能光电探测器将在新一代光电器件中具有重要应用价值。

    关键词： CH3NH3PbI3，光电器件，光电探测器，表面光伏效应，微/纳米线

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 自催化GaAs(P)纳米线及其在太阳能电池中的应用

    摘要： 纳米线（NWs）凭借其卓越特性——如降低光反射、增强光捕获能力、提高缺陷容忍度以及与硅基底的兼容性，在制造高效低成本太阳能电池（SCs）方面远胜传统薄膜器件。这使得我们能大幅减少所需材料用量并降低对其质量要求即可实现充分吸光，从而显著降低成本。自催化III-V族纳米线（尤其是GaAs(P)纳米线）正被广泛应用于太阳能电池领域。然而，其特殊的生长模式导致电池设计极为复杂，现有理论无法直接提供指导。本文综述了自催化纳米线太阳能电池在制备与生长方面的最新突破与现存挑战，重点聚焦（但不限于）GaAs(P)纳米线相关研究。

    关键词： 纳米线、自催化纳米线、GaAsP、太阳能电池

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 用于微显示器和微型LED主显示屏的亚微米全彩LED像素

    摘要： 我们展示了一种自下而上的方法，用于构建横向尺寸小至150纳米的微型LED。通过分子束外延（MBE）技术，使用氮化铟镓（InGaN）材料制备出从蓝光到红光光谱范围的纳米结构LED，为整个RGB显示器提供单一材料体系。

    关键词： 纳米线、发光二极管、选择性区域生长、氮化镓、量子点、显示器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于III-V族半导体单纳米线的室温红外光电探测器研究综述

    摘要： 近年来，III-V族半导体纳米线因其一维形貌、直接且可调的带隙以及独特的光电特性，被广泛研究作为高性能光电探测器的潜力候选材料。本文综述并比较了基于III-V族半导体的单根纳米线红外探测器最新进展，包括材料合成、代表性类型（基于不同工作原理和新颖概念）、器件性能，以及面临的挑战与未来展望。

    关键词： 纳米线，III-V族半导体，红外光电探测器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2019年亚太无线电科学会议(AP-RASC) - 印度新德里(2019.3.9-2019.3.15)] 2019年亚太无线电科学会议(AP-RASC) - 脉冲光纤激光的产生：纳秒至飞秒领域

    摘要： 热电子能量转换器（TEC）是一种直接利用热能作为能源、以电子作为工作流体的热力发动机。尽管作为高效直接能量转换装置具有巨大潜力，但基于真空的热电子能量转换器发展始终受制于空间电荷问题及低功函数材料的匮乏。直到近年来，随着制造技术的进步使得这些问题有望解决，研究人员才重新关注这项技术，使其成为替代现有能源生产系统的可行方案。本文重点综述了高效实用TEC面临的挑战，以及缓解这些挑战的最新研究成果与发展动态。此外，基于近期研究和技术进展，本文探讨了TEC的潜在应用领域，指出经过特定改进后，该技术可应用于多个行业。

    关键词： 纳米线、功函数、热电子能量转换（TEC）、空间电荷、能量转换效率

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 飞秒瞬态吸收光谱法测定InGaN/GaN量子纳米线中尺寸依赖的载流子俘获：光学声子、电子-电子散射及扩散效应

    摘要： 理解与载流子俘获、热化及弛豫相关的超快过程对设计高速光电器件至关重要。本研究探究了InGaN/GaN 20纳米、50纳米纳米线及量子阱体系中尺寸依赖的载流子俘获过程。飞秒瞬态吸收光谱表明该过程为两步机制：载流子首先通过极性光学声子散射被势垒区俘获，继而通过电子-电子散射和极性光学声子散射进一步扩散至有源区。研究发现量子限制结构会延缓俘获进程，且大量载流子在扩散过程中从势垒区消失。所有实验现象均通过模拟不同散射机制的理论框架得到合理解释。

    关键词： 纳米线、极性光学声子散射、电子-电子散射、瞬态吸收光谱、载流子俘获、电子与声子动力学

    更新于2025-09-22 14:26:28

  • 沿不同方向硅纳米线中显式处理动量色散的电子动力学第一性原理研究

    摘要： 本研究综述了不同取向硅纳米线的基态电子结构、光学性质以及光诱导电子动力学特性。这些纳米线是未来纳米电子器件的重要功能单元。所有观测量均在环境温度下对波矢分布进行计算。光学性质计算采用动量守恒近似，总吸收由固定动量值的各分量贡献组成?；诖油匪惴肿佣ρШ斯旒；竦玫氖凳狈蔷锐詈喜问挥糜赗edfield密度矩阵运动方程。本研究主要成果包括跃迁能级、光吸收光谱、电子与空穴弛豫速率及电子输运性质。这些计算结果将有助于理解硅纳米线在光电器件应用中电子转移过程的机理。

    关键词： 纳米线、激发态动力学、非绝热效应、动量色散、硅

    更新于2025-09-23 00:35:40

  • 不同尺寸InN纳米线中缺陷态的计算

    摘要： 由于氮化铟（InN）在III族氮化物中具有较小的带隙和独特的性质，它受到了广泛关注。理解缺陷对InN纳米线光电特性的影响对于探索其在未来纳米器件中的应用至关重要。在本工作中，我们基于密度泛函理论系统计算了InN纳米线中的缺陷态。研究考虑了不同尺寸纳米线中的氢钝化效应、多种潜在本征点缺陷以及带电缺陷态。对于小尺寸六方纳米线，在氮缺乏条件下最稳定的缺陷是VN（氮空位），而在氮富集条件下则是NIn（铟反位缺陷）。而对于较大尺寸的纳米线，当氮化学势变化时，VN和InN缺陷会相互竞争，显示出缺陷稳定性在纳米线表面明显的尺寸效应。这些缺陷态通过引入空带或深能级显著改变了纳米线的电子结构，为通过形成不同稳定缺陷来调控光学特性提供了可能性。

    关键词： InN、纳米线、尺寸效应、第一性原理计算、电子结构、缺陷

    更新于2025-09-23 01:44:38