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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 基于超宽禁带Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管在功率电子学应用中的概述

    摘要： 氧化镓（Ga2O3）是一种具有超宽禁带、高击穿电场和优异巴利加优值（BFOM）的新型半导体材料，是肖特基势垒二极管（SBD）等下一代高功率器件的理想候选材料。本文分析了Ga2O3半导体的基本物理特性，综述了基于Ga2O3的SBD最新研究进展，总结了提升器件击穿电压和导通电阻等性能的各种方法并进行比较，最后分析了Ga2O3基SBD在功率电子领域的应用前景。

    关键词： 击穿电场、巴利加优值、导通电阻、超宽禁带半导体、氧化镓（Ga?O?）、功率器件、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 采用感应耦合等离子体(ICP)优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面刻蚀工艺及器件特性

    摘要： 本研究全面探究了采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对准垂直氮化镓（GaN）肖特基势垒二极管（SBD）台面刻蚀的优化方案，包括刻蚀掩模选择、ICP功率、射频（RF）功率、混合气体比例、流量及腔室压力等参数。特别地，通过结合ICP干法刻蚀与四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法处理，消除了台面侧壁底部拐角处的微沟槽。最终利用优化后的刻蚀工艺实现了高各向异性的台面侧壁形貌，并制备出准垂直GaN SBD，在-10V反向偏压下获得10?? A/cm2的低反向电流密度。

    关键词： 准垂直、电感耦合等离子体（ICP）、氮化镓（GaN）、干法刻蚀、侧壁轮廓、台面结构、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 双介质微片激光器产生具有双横模、双偏振和双频率的激光及其热特性

    摘要： 一种采用沟槽肖特基阳极和混合沟槽阴极的AlGaN/GaN横向反向阻断电流调节二极管（RB-CRD）已在硅衬底上提出并实验验证。集成于阳极的肖特基势垒二极管（SBD）开启电压为0.7V，反向击穿电压达260V?；旌瞎挡垡跫魑胙艏玈BD串联的CRD，使RB-CRD获得1.3V膝点电压及超过200V的正向工作电压。该RB-CRD能在25至300°C宽温域输出优异稳态电流，且正向调节电流呈现小于?0.152%/°C的微弱负温度系数。

    关键词： 反向阻断电流调节二极管（RB-CRD）、AlGaN/GaN异质结构、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-11 14:15:04