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有序六方相InN纳米棒的择优生长
摘要： 采用氢化物气相外延（HVPE）结合选区生长（SAG）技术，成功制备出具有高长径比、排列有序且垂直取向的InN纳米棒。通过调节生长温度和V/III比，在SiNx掩膜Ga极性GaN/c-Al2O3模板开孔区域实现生长。X射线衍射（XRD）与高分辨透射电镜（HR-TEM）证实这些六角形截面的纳米棒沿生长轴无旋转，具有纤锌矿结构及优异结晶质量。仅在其底部发现少量层错。光致发光（PL）谱显示0.77 eV的发射峰与InN禁带宽度相符。这项突破现有InN生长局限的重要成果，为纯InN在未来器件中的集成应用奠定了基础。
关键词： 选择性区域生长，氢化物气相外延，氮化铟，纳米棒
更新于2025-11-21 11:03:13
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实现超高质量InGaN片状结构，用作红色微LED的弛豫模板
摘要： 本工作展示了主要由弛豫的铟含量高达18%的InGaN小片阵列，这些小片无位错且顶部c面光滑。这些InGaN小片是通过金属有机气相外延法生长在由化学机械抛光形成的穹顶状InGaN表面上，该表面由六个等效的{1011}晶面定义的InGaN金字塔构成。生长过程中，穹顶状表面通过形成束状台阶而变平，当到达倾斜的{1011}晶面时台阶终止。后续生长在变平的顶部c面上进行，单双层表面台阶从c面与倾斜{1011}晶面之间的六个角开始形成，从而生成高质量的InGaN层。所形成的InGaN小片的顶部c面可用作红色微LED的高质量模板。
关键词： 选择性区域生长、InGaN（氮化铟镓）、模板、化学机械抛光、气相外延、微发光二极管
更新于2025-09-23 15:21:01
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用于微显示器和微型LED主显示屏的亚微米全彩LED像素
摘要： 我们展示了一种自下而上的方法，用于构建横向尺寸小至150纳米的微型LED。通过分子束外延（MBE）技术，使用氮化铟镓（InGaN）材料制备出从蓝光到红光光谱范围的纳米结构LED，为整个RGB显示器提供单一材料体系。
关键词： 纳米线、发光二极管、选择性区域生长、氮化镓、量子点、显示器
更新于2025-09-23 15:19:57
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选择性生长的拓扑绝缘体纳米点中的相位相干输运
摘要： 氧化处理的Si(111)衬底通过电子束光刻进行预结构化，并作为分子束外延选择性生长三维拓扑绝缘体（TI）的基底。图案化的孔洞被Sb2Te3和Bi2Te3等拓扑绝缘体填充形成纳米点。采用扫描电子显微镜和聚焦离子束截面技术测定纳米点的形貌与深度分布。磁输运测量揭示了源于相位相干环中电子干涉的普适电导涨落现象。研究发现这些环主要沿拓扑绝缘体的五重层方向定向排列，仅存在微小的垂直分量。此外，还清晰观测到不同晶向间存在明显的电导率各向异性特征。
关键词： 相位相干输运、磁输运、选择性区域生长、拓扑绝缘体、分子束外延
更新于2025-09-09 09:28:46
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先进III-V族量子纳米线网络分子束外延的选择性图谱
摘要： 选择性区域生长是一种极具前景的技术，能够实现可扩展的III-V族纳米线网络制备，这对验证基于马约拉纳量子计算器件的提案至关重要。然而，实现选择性生长的生长参数窗口边界仍不明确。本文提出了一套实验技术，通过分子束外延明确建立了实现选择性III-V族纳米线网络生长的参数空间窗口。基于对GaAs(001)衬底上生长动力学的原位表征，我们构建了GaAs和InAs化合物的选择性图谱，其中发现III-V表面与无定形掩模区域之间III族吸附原子解吸速率的差异是控制选择性的主要机制。该方法具有广泛适用性，成功实现了在(001)和(111)B取向的GaAs、InP和InAs衬底以及同质外延InSb纳米线网络上制备高质量InAs和GaAs纳米线网络。最后，Aharonov-Bohm环实验中的相位相干性验证了这些晶体在纳米电子学和量子输运应用中的潜力。这项工作应能加速并优化多种化合物半导体的纳米级晶体工程，从而提升器件性能。
关键词： 砷化镓、选择性、选择性区域生长、外延、砷化铟、III-V族纳米线、分子束外延
更新于2025-09-09 09:28:46