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oe1(光电查) - 科学论文

243 条数据
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  • 材料科学与工程参考模块 || 硅的局部氧化（LOCOS）

    摘要： 硅作为集成电路最重要的半导体材料，其应用直接源于其氧化特性。二氧化硅（SiO2）是一种稳定的绝缘体，除其他多种用途外，它被用作金属-氧化物-半导体（MOS）器件的核心——栅极氧化层，以及MOS和双极型器件的横向隔离层。二氧化硅的介电常数约为空气的四倍，但该材料的稳定性、可重复性和可控性极佳，使其成为半导体行业中最优秀的隔离材料。

    关键词： 二氧化硅（SiO2）、MOS器件、局部氧化工艺（LOCOS）、半导体、隔离材料、硅

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 材料科学与工程参考?？?|| 光学光刻技术

    摘要： 光学光刻是一种基于光子的技术，通过将图像投影或阴影投射到涂覆于选定基底上的光敏乳剂（光刻胶）上实现。如今，它是半导体行业制造纳米电子器件最广泛使用的光刻工艺，该行业全球规模达4000亿美元。光学光刻的广泛应用直接源于其高度并行的特性，能够在极短时间内转移大量信息（即图案）。例如，以现代先进扫描仪的规格（每小时处理150-300毫米晶圆，二维图案分辨率达40纳米）计算，像素吞吐量可达每秒约1.8万亿像素。光学光刻能力的持续进步，推动了我们过去50年所经历的计算革命。

    关键词： 纳米电子学、数值孔径（NA）、相干性、分辨率、光刻胶、焦深（DOF）、光学光刻、极紫外光（EUV）、半导体

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 金属掺杂硫化钯薄膜的结构与光学性质

    摘要： 已知杂质添加和基底性质会改变沉积薄膜的特性。本研究探讨了掺杂对化学浴法制备的PdS薄膜结构和光学性能的影响。采用铝(Al)作为室温沉积PdS薄膜的掺杂剂。通过薄膜透射光谱测定了带隙能(Eg)等光学参数，测得薄膜带隙能量范围为1.50至1.80电子伏特。纳米晶PdS薄膜呈现四方结构，平均晶粒尺寸为60纳米。结果表明掺杂对沉积PdS薄膜的光学和结构特性具有显著影响。

    关键词： 掺杂、硫化钯、光学性质、半导体、X射线衍射

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 优化制备Co-Pi修饰的g-C3N4@ZnO核壳纳米棒阵列以提升其光电化学性能与稳定性

    摘要： 制备了一种具有拓宽光谱响应和优化光电化学（PEC）性能的钴磷酸盐（Co-Pi）修饰g-C3N4@ZnO核壳纳米棒阵列（Co-Pi/g-C3N4@ZnO NRA）光阳极。通过改进的尿素浸渍-煅烧法在半封闭环境中制备了g-C3N4@ZnO NRA，柔性g-C3N4薄片壳层均匀包裹在ZnO纳米棒核上，并在g-C3N4与ZnO界面形成紧密接触的异质结。该g-C3N4@ZnO NRA在可见光或白光照射下均能促进g-C3N4与ZnO中光生电子-空穴对的分离与转移。进一步通过电沉积在g-C3N4@ZnO NRA表面负载Co-Pi纳米颗粒（NPs），Co-Pi NPs既能消耗光生空穴，又可将g-C3N4@ZnO NRA的费米能级势推向正方向，使Co-Pi/g-C3N4@ZnO NRA在带边位置产生向上弯曲的能带，从而提升光生电子-空穴对的分离效率。因此，该复合材料在可见光和白光照射下均表现出更优的PEC性能。此外，表面覆盖Co-Pi NPs的g-C3N4柔性薄片壳层还增强了ZnO NRA光阳极的稳定性。

    关键词： 异质结、光电导与光伏效应、光学特性、表面与界面、半导体、电极材料

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过静水压力调控横向光学声子频率实现一维超导体-半导体晶体中缺陷模的调谐

    摘要： 本研究旨在利用传输矩阵法和双流体模型，探究由超导体（HgBa2Ca2Cu3O8+δ）与半导体（GaAs）交替层构成、空气为包围介质的一维光子晶体的透射光谱。我们考虑了超导体临界温度的压力依赖性，以及半导体中横向光学声子角频率和层厚的压力依赖性。研究发现：固定超导体层厚度时，增大压力会导致透射光谱高频段及光子带隙发生偏移；固定压力和半导体层厚度时，增加超导体层厚度会使光子带隙宽度增大。当因半导体的耗散特性插入缺陷GaAs层时，在光子带隙内出现了透射率低于1.0的缺陷模。保持压力和半导体层厚度不变而增加超导体层厚度时，缺陷模会向低频方向移动。此外还发现，增大缺陷半导体层厚度会导致光子带隙内缺陷模的偏移量增加且数量增多。

    关键词： 超导体，转移矩阵法，半导体，缺陷模，光子晶体

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 超晶格中的晶体合金半导体

    摘要： 本研究从载流子输运过程相关效应及合金超晶格中因缺陷与无序状态导致的半导体材料电子结构变化入手进行分析。这些缺陷位于材料的特定区域，既可能发生相互作用也可能保持惰性，通常通过局域波函数进行描述。针对半导体晶体超晶格的研究需考量晶体无序效应、以及具有不同带隙和微带隙能量的两种半导体层交替周期性生长等重要参数。通过量子力学计算来确定半导体晶体的物理特性，本研究全面评估了缺陷与晶体无序状态的影响，并探讨了缺陷在周期排列、准周期排列及无序排列中的存在形式。该理论方法用于理解实验技术的机理及其表征半导体晶体电流输运与光学输运特性的实验结果。

    关键词： 缺陷、超晶格、半导体、量子力学

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 硫化镉纳米颗粒包覆纸基传感器的湿度传感机制

    摘要： 本研究通过实验与计算相结合的方法，揭示了潮湿气体中水分子在硫化镉纳米颗粒（CdSNPs）薄膜表面吸附的显著特征。已知CdSNPs不仅具有优异的光电特性，还能吸附气体或蒸汽中的水分。本研究探究了CdSNPs薄膜电导率随潮湿气体流速变化的情况，为开发湿度或流速传感器提供依据。计算研究表明，潮湿气体流速提升导致吸附分子浓度增加，进而引起CdSNP薄膜电导率变化。由于传感器表面吸附分子的电离作用，水分子吸附与CdSNP薄膜的能带弯曲相关联。当相对湿度约97%时，潮湿气体流速从~200升至600 L/min过程中，传感器电导率呈现55–95%的变化范围。实验现象可通过潮湿气体流速与薄膜表面吸附水分子浓度之间的对数关系得到合理解释。

    关键词： 湿度、纳米粒子、传感器、吸附、半导体

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 一种用于太赫兹辐射差频产生的材料

    摘要： 理论研究了在一种超材料中高效差频产生太赫兹辐射的可能性，该超材料由具有本征或金属导电性的半导体材料交替层结构组成，这些材料可通过外延方法生长。

    关键词： 太赫兹辐射、超材料、外延方法、差频产生、半导体

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [纳米结构科学与技术] 纳米线电子学 || 用于电子应用的III-V族纳米线性能工程

    摘要： 半导体是近年来诸多技术进步的核心材料。硅作为研究最深入、应用最广泛的半导体材料，数十年来一直是半导体产业的中心——因其储量丰富、易于掺杂，且二氧化硅是微电子工业中优异的绝缘材料。这种材料可用于制造计算机芯片、光电器件和太阳能电池。硅重塑了我们的生活方式，无疑是现代社会最重要的材料之一。凭借其在半导体产业中的主导地位，对高性能、低功耗电子产品的持续需求推动着替代材料的探索。在各类半导体中，III-V族半导体具有替代硅的潜力特性，尤其是III-V族半导体的纳米线结构已得到广泛研究。

    关键词： 纳米线场效应晶体管、半导体、接触工程、晶体工程、III-V族纳米线、表面改性、电子应用

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 半导体中杂质和点缺陷的电子结构

    摘要： 本文简要回顾了半导体中杂质理论的发展历程。针对类施主与类受主杂质及点缺陷，提出了束缚激子模型，该模型为"浅能级"与"深能级"杂质及点缺陷提供了统一认知框架?；诓煌芏确汉砺奂扑惴椒ㄋ媒峁奈锢肀局?，均在该束缚激子模型框架下得到阐释与解读。

    关键词： 氢模型、有效质量理论、束缚激子、深能级杂质、密度泛函理论、浅能级杂质、半导体

    更新于2025-09-09 09:28:46