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oe1(光电查) - 科学论文

243 条数据
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  • 用于非易失性存储器应用的铁电BiFeO?/HfO?栅极堆叠的结构与电学特性

    摘要： 铁电场效应晶体管（FeFET）栅极上直接制备铁电BiFeO3界面存在困难是众所周知的。本文报道了针对FeFET应用优化的铁电/介电（BiFeO3/HfO2）栅堆叠结构及其制备方法。采用射频磁控溅射技术沉积BiFeO3、HfO2薄膜及其复合堆叠层。X射线衍射（XRD）分析显示，在500°C退火温度下BiFeO3主要呈现(104)、(110)晶向的钙钛矿相。XRD分析同时证实HfO2薄膜在400°C、500°C和600°C退火温度下均保持非晶态。多角度分析表明BiFeO3折射率随退火温度在2.98-3.0214范围内变化，HfO2薄膜折射率在2.74-2.9范围内变化。通过制备金属/铁电/硅（MFS）、金属/铁电/金属（MFM）、金属/绝缘体/硅（MIS）及金属/铁电/绝缘体/硅（MFIS）结构，获得了铁电材料、介电材料及其复合堆叠的电学特性。MFIS结构的电学特性显示：当缓冲介电层厚度为8nm时，其存储窗口从MFS结构的2.7V提升至4.65V。该结构还表现出40V击穿电压及超过9×10^9次循环的数据保持能力。

    关键词： 铁电体、高k电介质、耐久性、MFIS（金属-铁电体-绝缘体-半导体）、存储窗口

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 用于溶液加工有机场效应晶体管的非对称并五苯

    摘要： 背景：对称取代并五苯传统上被用作溶液加工型p沟道有机场效应晶体管（OFETs）的半导体材料。本文旨在将非对称取代并五苯引入活性层，并探究侧基多芳香性对器件特性的影响。方法：综述非对称取代并五苯相关研究及网络资料，描述不同并五苯的合成过程，并详述将这些半导体材料引入器件的工艺流程，同时提供与参照材料的对比。结果：并五苯侧基多芳香性的延伸显著提升器件性能。通过侧基芳香环数量增加时粗糙度降低的现象，证实了侧基对活性层形貌的影响。结论：我们证明芳香端基π共轭体系的延伸会大幅影响开/关比和载流子迁移率，这主要源于薄膜中不同程度的晶体形成特性。当采用六甲基二硅氮烷作为栅极介电钝化层时，迁移率表现最佳的含最延伸芳香体系（即蒽基团）的器件，其性能可与基准材料TIPS-并五苯相媲美。

    关键词： 溶液加工、半导体、有机材料、有机场效应晶体管、迁移率、TIPS-并五苯

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 为先进传感器应用调控氧化锌薄膜的材料特性

    摘要： 我们报道了通过等离子体增强原子层沉积法生长氧化锌（ZnO）薄膜时衬底温度的影响。文中讨论了确保自限制生长并实现精确厚度控制的方法，并展示了温度对薄膜织构的影响。通过提高衬底温度使织构从(100)向(002)转变是功能器件的关键特性。具有定制化特性的ZnO薄膜可广泛应用于各类传感器和执行器。

    关键词： 原子层沉积，氧化锌，薄膜，半导体

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 半导体聚合物的光电导微/纳尺度界面用于类神经元细胞的无线刺激

    摘要： 我们报道了基于半导体聚合物聚(3-己基噻吩)(P3HT)的多尺度结构纤维和图案化薄膜，这些材料作为光导生物界面可在光照下促进神经元刺激。用于神经元接口与刺激的P3HT微/纳尺度结构包括：平均直径100纳米的纳米纤维、平均直径约1微米的微纤维，以及光刻图案化宽度分别为3、25和50微米的条纹。P3HT在光照下的光电导效应能为神经元分化和定向生长提供电刺激。结果表明：生长在P3HT纳米纤维上的神经元分支总数显著更多，而培养在P3HT微纤维上的神经元则具有更长更细的神经突起。这种地形结构与光电导刺激相结合的策略可进一步促进神经元分化和定向生长。这些光导聚合物微/纳结构展现出在神经工程及新型神经再生器件开发中的巨大潜力。

    关键词： 半导体、神经元、聚合物、纳米结构、组织工程

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • ZnO/ZnS二元异质结构片材的增强型阳光光催化性能

    摘要： 通过水热合成法制备了二维二元异质结构ZnO/ZnS片层。X射线衍射结果表明ZnS成功在ZnO片层上形成。场发射扫描电子显微镜拍摄的图像显示其具有表面细颗粒的颗粒状结构，这增大了染料溶液与催化剂之间的接触面积。能谱仪光谱表明异质结表面几乎完全被ZnS覆盖。紫外-可见漫反射光谱显示该异质结构的紫外和可见光吸收均得到增强。这些结果共同促成了高效甲基橙降解，在直射阳光下4小时内降解率达到83%。

    关键词： 二元异质结构，阳光，光催化活性，半导体

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 混合有机/无机半导体pn结的电子特性

    摘要： 混合无机/有机半导体异质结是拓展纯有机或纯无机结在电子和光电器件中应用范围的有力候选者。因此，全面理解体相掺杂与界面掺杂对结区电子特性的影响至关重要。本研究通过光电子能谱技术，阐明了一个典型混合pn结（由n型ZnO和p型掺杂的N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(α-NPD)构成）的能级排列及其作用机制。该能级排列可通过无机与有机组分远离界面处的接触诱导能带弯曲及能级弯曲、以及源于"推回效应"的界面偶极子的相互作用进行定量描述。通过调节α-NPD中的掺杂浓度，ZnO的前线能级位置可移动超过0.5 eV，α-NPD的前线能级位置可移动超过1 eV。该pn结能级的高度可调性证明了混合方法在增强器件功能方面具有显著潜力。

    关键词： 半导体、电子特性、光电子能谱、界面

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 半导体(001)量子阱中偏振辐射吸收理论

    摘要： 该论文研究了半导体尺寸量子化阱中与光跃迁相关的线偏振辐射吸收，这些跃迁既包括轻重空穴能带分支间的跃迁，也包括尺寸量子化子带间的跃迁。文中阐明了无限深对称阱中光吸收的主要特征，这些特征表现为带内光吸收，并与由尺寸量子化形成的半导体价带子带间空穴直接光学跃迁相关联。

    关键词： 光学跃迁、半导体、尺寸量子化、光吸收系数、偏振光、空穴

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 水热辅助化学浴沉积法制备掺铜硫化镉薄膜的外在特性研究

    摘要： 采用水热辅助化学浴沉积法（HACBD）在商用FTO玻璃基底上制备了硫化镉（CdS）及铜掺杂CdS薄膜，研究了掺杂对CdS薄膜性能的影响。通过紫外-可见光谱、扫描电镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线衍射和光致发光光谱（PL）分析了沉积薄膜的光学、形貌、结构及光致发光特性。与未掺杂CdS薄膜相比，铜掺杂CdS薄膜的带隙能值更低。XRD图谱显示存在立方和六方晶相结构，优选取向为(111)和(002)晶面，平均晶粒尺寸为18纳米。SEM图像表明CdS与Cu-CdS薄膜形貌从球状转变为盘状结构。PL光谱显示掺杂与未掺杂薄膜均在可见光区呈现强发射峰。通过FTIR光谱探究了相关化学键的结合情况。

    关键词： 半导体，掺杂，硫化镉，光致发光，扫描电子显微镜，带隙

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有增强光催化活性和耐久性的CuInS2@ZIF-8纳米复合材料的构建

    摘要： 受沸石咪唑酯骨架结构材料-8（ZIF-8）与硫化铜铟（CIS）独特结构及广泛应用前景的启发，二者的复合材料研究备受关注。本研究报道了一种简便方法：在甲醇体系中通过聚乙烯吡咯烷酮（PVP）配位作用，实现ZIF-8在CIS纳米颗粒表面的均匀包覆。研究表明，PVP中的吡咯烷酮环（C=O）能增强CIS与锌离子的亲和力，从而在CIS纳米颗粒表面诱导ZIF-8成核过程中起关键作用。作为催化剂时，CIS@ZIF-8纳米复合材料不仅在紫外光照射下对有机染料降解表现出优异光催化活性，且经五次循环使用后仍能较纯CIS纳米颗粒显著保持催化效率。

    关键词： 光催化性能，半导体，CuInS2@ZIF-8，纳米复合材料

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2018年IEEE电气工程与光子学国际会议（EExPolytech） - 俄罗斯圣彼得堡（2018.10.22-2018.10.23）] 2018年IEEE电气工程与光子学国际会议（EExPolytech） - 利用拉曼光谱研究硅结构的相组成与形貌以确定结晶度参数

    摘要： 本研究旨在探究微晶硅薄膜的相组成对工艺参数的依赖性。通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）制备了微晶硅薄膜，并采用拉曼光谱分析了所得薄膜的相组成及其结晶度与结构之间的关联。结果表明：通过控制压力、放电功率和硅烷流量等关键工艺参数，可使结晶度参数达到50%-70%范围?；谑笛槭荩岢隽说骺亟峋Ф炔问慕ㄒ榉桨?，该方案拟应用于硅基多孔结构的制备过程。

    关键词： 形态学、半导体、硅、多孔硅、相组成、拉曼光谱、拉曼结晶度

    更新于2025-09-23 15:23:52