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oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
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  • 硫化锑纳米线的从头算计算

    摘要： 我们采用基于密度泛函理论(DFT)的WIEN2k软件包中的全势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法，对正交晶系硫化锑(Sb2S3)纳米线进行了第一性原理计算，以研究其电子和光学性质。交换关联能函数采用Engel-Vosko广义梯度近似(EV-GGA)。通过超胞法模拟了沿[001]方向生长、两侧为真空层的纳米线结构，并将计算结果与本团队先前计算的Sb2S3体材料进行对比。研究发现Sb2S3纳米线的电子和光学性质发生显著变化：计算得到的态密度(DOS)高于体材料；能带结构显示其间接带隙约为0.12 eV，远小于体材料值（但该数值仍明显低于实验值）。通过计算光子能量高达20 eV的复介电常数，我们推导出包括吸收系数、反射率、折射率和能量损失函数在内的光学性质，以理解一维(1-D)纳米结构中Sb2S3的光学行为。分析表明该纳米线展现出独特的一维光学特性，其在可见光范围内的吸收系数显著高于体材料。

    关键词： 光学性质、硫化锑、密度泛函理论、LAPW方法、纳米线、电子结构

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 采用修正的Becke-Johnson势加上局域库仑U（mBJ+U）方法计算的铕硫属化合物电子结构

    摘要： 全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法被推广至基于相对论性自旋密度泛函理论和修正Becke-Johnson势（TB-mBJ）并引入原子位库仑U项的全电子完全相对论自旋极化自洽能带计算体系，以更精确地预测带隙。结果表明这些材料属于半导体。本计算获得的间接带隙分别为：EuS 1.63 eV、EuSe 1.79 eV、EuTe 1.96 eV。能带图清晰显示LSDA+U方法对硫族化合物（EuX）带隙计算效果较差。相较于其他计算结果，mBJ+U方法对EuX（S、Se和Te）的计算结果与实验值吻合良好。

    关键词： FP-LAPW方法，铕硫族化合物，mBJ + U方法，电子结构。

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • CaTa2O6化合物的弹性和光电性质：立方相与正交相

    摘要： 采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）模拟方法，通过高精度全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法在GGA+U近似下研究了CaTa2O6氧化物立方相和正交相的结构、电子、光学及弹性性质。计算所得晶格参数与现有实验数据相符。电子能带结构计算表明：立方相和正交相的带隙分别为3.08 eV和4.40 eV。针对这两种相态，在0-14 eV光谱范围内详细计算并讨论了主要光学性质（包括吸收系数、介电常数、能量损失函数、反射率、折射率及消光系数）。立方相与正交相呈现显著不同的光学特性。通过电荷密度分布图谱探究了不同对称性CaTa2O6的电子键合特征，发现强共价键特性在两种相态中均占主导地位。同时研究了CaTa2O6立方相和正交相的弹性性质，采用应力-应变法测定两相的弹性常数，并详细分析了体积模量、剪切模量、杨氏模量以及重要的弹性各向异性因子和泊松比等参数。

    关键词： 第一性原理密度泛函理论，GGA+U近似，FP-LAPW方法，光学常数，电子能带结构，电工材料

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 采用修正的Becke-Johnson（mBJ）交换势研究立方相和正交相BaThO3的结构与光电性质

    摘要： 采用基于广义梯度近似（GGA）、局域密度近似（LDA）和mBJ近似的完全电子全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法，研究了立方相和正交相BaThO3钙钛矿材料。所得结构参数与实验结果一致。电子能带结构和态密度分析表明，该材料在两种晶相下均为宽禁带绝缘体。光学性质计算显示其光学带隙为5.8电子伏特，位于电磁波谱的紫外区域，因此该化合物可用于光电器件。

    关键词： 电子结构、光学性质、FP-LAPW方法、mBJ势、钙钛矿

    更新于2025-09-10 09:29:36