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640×512 InGaAs阵列探测器 激光器??楹拖低? class=

640×512 InGaAs阵列探测器

分类: 厂家: LD-PD

产地: 新加坡

型号: 640×512 InGaAs阵列探测器

更新时间: 2025-04-25T01:56:54.000Z

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光谱分析 InGaAs探测器 光电探测器 工业测试 机器视觉

640×512 InGaAs阵列探测器主要由低噪声读出电路(ROIC)、P-I-N结构InGaAs光敏芯片和初级热电制冷器(TEC)组成,并以金属形式封装。该探测器有两种类型:常规型和开窗型。本手册仅描述开窗型B的产品。

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概述

640×512 InGaAs阵列探测器具有高检测率和室温操作,广泛应用于工业测试、机器视觉和光谱分析等领域。

参数

  • 响应光谱(μm) / Response Spectrum(μM)*1 : 0.95 ±0.05~1.7 ±0.05
  • 像素填充率(% / )[$#]Pixel Filling Rate(%) : 100
  • 峰值量子效率(%) / [$#]Peak Quantum Efficiency(%) : ≥70@1.55μm
  • 峰值检测率 / (Cm·Hz/W)[$#]Peak Detection Rate*2(Cm·Hz/W) : ≥5 × 1012
  • 峰值灵敏度(A/W) / Peak Sensitivity(A/W) : ≥0.8
  • 有效像素率(%)[$#] / Effective Pixel Rate(%)*3 : >99.5
  • 响应非均匀性(%)[$#] / Response Heterogeneity(%) : ≤5
  • DSNU : IWR, ITR, ITR+CDS, NDRO, IMRO
  • DSNU : Range 2 to 22, typical 12
  • DSNU : 2 , 4 , 8, optional
  • DSNU : 350
  • DSNU : 3
  • 转换增益(μV/e-) / Conversion Gain(μV/E-) : 1 (LG), 25 (MG), 110 (HG)
  • 动态范围[dB] / Dynamic Range(DB) : ≥55 (MG)
  • 操作温度(℃) / Operation Temperature( ) : -20~+60
  • 存储温度(℃) / Storage Temperature ( ) : -40~+70
  • 典型功率(W) / Typical Power(W)* : <0.35
  • 尺寸(mm) / Length X Width X Height (Mm) : 32 ×25.5 ×7.9
  • 重量 / Weight(G) : ~21
  • DSNU : 640 ×512
  • 像素中心距离(μm) / Pixel Center Distance(μM) : 15
  • 像素尺寸(μm) / Pixel Size(μM) : 15 × 15
  • 感应区域(mm) / Sensing Area(Mm) : 9.6 ×7.68

应用

1. 工业测试 2. 机器视觉 3. 光谱分析 4. 材料分拣

特征

1. 640 × 512像素 2. 高检测率 3. 室温操作

图片集

640×512 InGaAs阵列探测器图1
640×512 InGaAs阵列探测器图2
640×512 InGaAs阵列探测器图3
640×512 InGaAs阵列探测器图4
640×512 InGaAs阵列探测器图5

规格书

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厂家介绍

LD-PD公司成立于2004年,是一家提供低成本光电探测器、激光二极管和相关驱动产品的领先供应商之一。LD-PD的核心能力是其在设计和制造高功率、高可靠性激光二极管方面的专业知识。此外,LD-PD自2008年以来一直是硅探测器和高速锗晶体管和二极管的制造商,自2010年以来一直是红外光电探测器的制造商。LD-PD公司提供用于辐射检测和电信应用的Si、Ge、p-n、APD和InGaAs p-I-n高速大面积光电探测器。LD-PD根据MIL-I-45208维护检查系统。光电二极管符合Telcordia测试要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883测试方法和/或客户规范。

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    UC160-190是一款超紧凑型、安静运行且精确可靠的热电技术循环冷却器,提供160W至190W的制冷能力,适用于精确温度控制。

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