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FB480-10 滤光片

FB480-10

分类： 滤光片

厂家： 索雷博

产地： 美国

型号： FB480-10

更新时间： 2023-07-07T07:39:47.000Z

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简介：

1 Inch Bandpass Filter, CWL = 480 ± 2 nm, FWHM = 10 ± 2 nm

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概述

Thorlabs Inc的FB480-10是一款光学滤波器，波长为400至490 nm，中心波长（CWL）为480 nm，带宽（FWHM）为10 nm，阻挡波长为200至3000 nm，滤波器直径为25.4 mm（1英寸）。有关FB480-10的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 过滤器类型 / Filter Type : Bandpass Filter
  • 半高宽（FWHM） / Bandwidth (FWHM) : 10 nm
  • FWHM公差 / FWHM Tolerance : ± 2 nm
  • 阻挡波长 / Blocking Wavelength : 200 to 3000 nm
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 过滤器形状 / Filter Shape : Round
  • 基底/材料 / Substrate/Material : Schott Borofloat, Soda Lime
  • 滤波器直径 / Filter Diameter : 25.4 mm (1 Inch)
  • 表面质量 / Surface Quality : 80-50 scratch-dig

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  • 精密仪器实验方案

    1. 实验设计与方法选择：本实验采用比尔-朗伯定律测量LAB样品的衰减长度，并通过改进单色光条件提升精度。使用LED、滤光片和光电倍增管（PMT）的装置采集光强穿过样品的衰减数据。 2. 样品选择与数据来源：制备了LAB样品（NJ42#、NJ46-R#、NJ48#、NJ49#、NJ50#），包括市售产品及改进生产工艺的高质量样品。另制备了掺杂PPO和bis-MSB的LS样品。 3. 实验设备与材料清单：设备包含LED（400nm、430nm、470nm）、信号发生器（AFG3102）、透镜、光阑、带通滤光片（Thorlabs FB430-10、Semrock FF01-427/10-25）、1米不锈钢管、PMT（滨松R7724）、数据采集系统、QADC（CAEN V965）及光纤光谱仪（FX2000-RD）。材料包括LAB样品、测试用高纯水及有机杂质分析样本。 4. 实验流程与操作规范：装置通过LED发射脉冲光，经准直、单色化滤光后穿过管内LAB样品，由PMT测量衰减光强。记录不同液位高度的ADC值，将数据拟合至公式(6)计算衰减长度?；肪澄露任榷刂圃?.2°C以减少波动。 5. 数据分析方法：基于比尔-朗伯定律（公式6）采用指数拟合计算衰减长度，运用统计方法进行误差评估，并对比有无滤光片的测量结果。

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  • 材料科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：本研究采用标准熔融法制备玻璃，通过差热分析（DTA）、紫外-可见-近红外光谱（UV-Vis-NIR）、红外与拉曼光谱、X射线衍射（XRD）及发光测量等热学、结构和光学分析手段研究其性能与晶化行为。 2. 样品选择与数据来源：制备了组成为(95-x)(0.50P?O?-0.40SrO-0.10Na?O) – 5Yb?O? – x(1.5Y?O?-2.5Al?O?)（x=0, 0.25, 0.5, 1 mol%）的玻璃，原料包括NaPO?、Yb?O?、Y?O?、Al?O?和Sr(PO?)?。 3. 实验设备与材料清单：设备包括扫描电子显微镜（卡尔·蔡司Crossbeam 540）、能谱探测器（牛津仪器X-MaxN 80）、差热分析仪（耐驰JUPITER F1）、紫外-可见-近红外分光光度计（岛津UV-360 Plus）、傅里叶变换红外光谱仪（珀金埃尔默Spectrum one）、拉曼显微镜（赛默飞世尔DXR 2xi）、XRD分析仪、光谱仪（Jobin Yvon iHR320）、探测器（滨松P4631-02、R928P）、激光二极管（BMU8-915-01-R）、示波器（泰克TDS350）及带滤光片的探测器（Thorlabs PDA10CS配FB980-10）。材料包括铂坩埚、用于密度测量的乙醇以及扫描电镜碳涂层。 4. 实验流程与操作步骤：批次样品在铂坩埚中于1300-1525°C熔融30分钟，淬火后于400°C退火6小时。密度采用阿基米德法测定。差热分析升温速率为10°C/分钟。吸收光谱、红外光谱、拉曼光谱、XRD、发射光谱及寿命测量均在特定激发条件和环境下进行。通过Tg+20°C下热处理17小时及Tp-40°C下最多3小时的热处理诱导晶化。 5. 数据分析方法：吸收截面通过公式σabs(λ) = 2.303/NL log(I?/I)计算。辐射寿命通过τ_rad = 3λ? / (32πc n2 ∫ σabs(λ)dλ)计算。XRD图谱与ICDD标准卡片对比。发射光谱与寿命数据用于分析成分及热处理导致的差异。

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