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IND02C400D102 半导体激光器

IND02C400D102

分类： 半导体激光器

厂家： II-VI Laser Enterprise GmbH

产地： 美国

型号： IND02C400D102

更新时间： 2024-06-25T08:20:01.000Z

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简介：

1300nm 28 Gb/s NRZ DFB Laser Diode Chip

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概述

来自II-VI Incorporated的IND02C400D102是波长为1351nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02C400D102的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : Fiber optical communication links, Gigabit Ethernet and storage area networks, 5G Wireless front-haul datalinks
  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 阈值电流 / Treshold Current Ith : 11-17mA@85°C, 5mA@25°C
  • 斜率效率 / Slope Efficiency SE : 0.1-0.2W/A@85°C
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio SE0C/SE85C : 4
  • 饱和电流 / Saturation Current Isat : 80-100mA@85°C
  • 工作电压 / Operating Voltage Vf : 1.6V@Po=5mW
  • 差分电阻 / Differential Resistance Ro : 7-10Ohm@Po=5mW, 85°C
  • 电容 / Capacitance C : 1.2pF
  • 前/后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio P/Pfb : 7-60
  • 侧模压制比 / Side Mode Suppression Ratio SMSR : 35dB@Po=5mW
  • 波长 / Wavelength λ : 见下表
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient Dλ/Dt : 0.09nm/°C
  • 热阻 / Thermal Impedance Zth : 140K/W
  • 光束发散角（水平） / Beam Divergence (Horizontal) ΘH : 30degree
  • 光束发散角（垂直） / Beam Divergence (Vertical) ΘV : 35degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise RIN : -132dB/Hz1/2@Po=5mW
  • 带宽 / Bandwidth F3db : 18-21GHz@I=60mA, 85°C
  • 弛豫振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency Fr : 15.5-17.5GHz@I=60mA, 85°C

应用

1.光纤通信链接 2.千兆以太网和存储区域网络 3.5G无线前传数据链

特征

1.设计用于无冷却的28 Gb/s NRZ通信 2.在-20°C至95°C范围内稳定工作 3.符合RoHS标准 4.适用于非密封封装的GR-468认证 5.卓越的可靠性 6.顶部阳极和背面阴极配置

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厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“相干”这个名字，是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结，明确的目标，以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术，连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

  • LDX-3515-940: 940nm多模激光二极管
  • ql68f6s-a/b/c-ls

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    图片 名称 分类 制造商 参数 描述
    • High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series 半导体激光器 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器 Laser Components

      峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C

      高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。

    • ADL-66201TL 半导体激光器 红光激光二极管 半导体激光器 Arima Lasers

      光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V

      ADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。

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      主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm

      HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

    • R2+ 50W Pulsed Fiber Laser 半导体激光器 R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器 Brimo Technology Inc.

      平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz

      R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器，具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量，适用于多种材料加工和工业应用。

    • 2327 nm DFB Laser 半导体激光器 NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器 Norcada Lasers

      存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3

      Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器，型号为NL2327-B，具有高稳定性和高性能，适用于多种光电应用场景。

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