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IND02N500D104 半导体激光器

IND02N500D104

分类： 半导体激光器

厂家： II-VI Laser Enterprise GmbH

产地： 美国

型号： IND02N500D104

更新时间： 2024-06-25T08:20:01.000Z

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简介：

1300 nm 28 Gb/s NRZ LWDM12 DFB Laser Diode Chips

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概述

来自II-VI Incorporated的IND02N500D104是波长为1290.07nm、1291.1nm、1292.12nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02N500D104的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : Fiber optic communication links, Gigabit Ethernet and storage area networks, 5G Wireless front-haul datalinks
  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 平均偏置电流(开机) / Average Bias Current (BOL) : 40mA
  • 平均偏置电流(关机) / Average Bias Current (EOL) : 48mA
  • 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : 5.3-35
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : 30-40degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : 35-50degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise (RIN) : -132dB/Hz1/2
  • 极限电流 / Laser Bias Current (DC) : 80mA
  • 峰值电流 / Peak Current : 120mA
  • 芯片焊接温度 / Die Attach Temperature : 320°C
  • 静电放电(人体模型) / ESD (HBM) : 375V
  • 芯片宽度 / Chip Width : 140-180μm
  • 芯片长度 / Chip Length : 130-170μm
  • 芯片厚度 / Chip Thickness : 80-90μm
  • 焊盘宽度 / Bond Pad Width : 64.5-65μm
  • 焊盘长度 / Bond Pad Length : 59.5-60μm

应用

1.光纤通信链路；2.千兆以太网和存储区域网络；3.5G无线前传数据链路。

特征

1.符合RoHS指令；2.根据GR-468标准认证，适用于非密封封装；3.顶部阳极和背面阴极配置。

规格书

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厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“相干”这个名字，是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结，明确的目标，以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术，连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series 半导体激光器 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器 Laser Components

    峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C

    高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。

  • ADL-66201TL 半导体激光器 红光激光二极管 半导体激光器 Arima Lasers

    光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V

    ADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。

  • HSL-20 半导体激光器 高速扫描激光器 半导体激光器 Santec Corporation

    主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm

    HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

  • R2+ 50W Pulsed Fiber Laser 半导体激光器 R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器 Brimo Technology Inc.

    平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz

    R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器，具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量，适用于多种材料加工和工业应用。

  • 2327 nm DFB Laser 半导体激光器 NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器 Norcada Lasers

    存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3

    Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器，型号为NL2327-B，具有高稳定性和高性能，适用于多种光电应用场景。

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