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CAS 140CT 光谱仪

CAS 140CT

分类： 光谱仪

厂家： Instrument Systems GmbH

产地： 德国

型号： CAS 140CT

更新时间： 2023-01-06T07:33:56.000Z

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概述

Instrument Systems的CAS 140CT是一款光谱仪，波长范围为200至2150 nm，光谱分辨率为2至15 nm.下面可以看到CAS 140CT的更多详细信息。

参数

  • 应用 / Applications : Production Testing to Reference Measurements in National Laboratories
  • 测量技术 / Measuring Techniques : Color Measurement, IR Spectroscopy, Irradiance, NIR Spectroscopy, Reflectance, Transmission, UV Spectroscopy, VIS Spectroscopy
  • 光谱仪类型 / Spectrometer Type : Benchtop
  • 光谱分辨率 / Spectral Resolution : 2 to 15 nm
  • 谱带 / Spectrum Band : VIS, UV-VIS, VIS-NIR, UV-VIS-NIR, NIR, IR

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  • Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的冲击合成
    高压 荧光粉 发光 固相反应

    描述了一种利用冲击波合成红色发光氮硅酸盐荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+的新方法。通过爆轰驱动冲击波装置引发Si3N4、Sr3N2和EuN混合物的固相反应。根据Rietveld分析，所得产物为纯度80-89%的Sr2Si5N8:Eu2+，含有7-9%的SrSi7N10和4-11%的α-Si3N4。形成了粒径240-310纳米的微晶，最终获得2-3微米粒度的颗粒。其发光性能与传统工艺制备的Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉相似。

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  • 水平p-n结对具有V形坑的InGaN基发光二极管光电特性的影响
    发光二极管 V形坑 氮化铟镓 内建电场

    制备了两种含与不含预层的InGaN基发光二极管（LED），两者均具有相似的多量子阱（MQW）结构：靠近n-GaN层分布四个绿色量子阱，邻近p-GaN层设置一个蓝色量子阱。预层在MQW中形成了大型V形坑。除沿c轴的常规垂直p-n结外，还引入了由填充V形坑的n型MQW与p-GaN构成的水平p-n结。研究探讨了该水平p-n结对光电特性（包括光致发光、电致发光及I-V特性）的影响。该水平p-n结产生了强水平内建电场，能有效分离靠近p-GaN量子阱中的光生载流子，导致该量子阱不产生光致发光。同时，水平p-n结为空穴注入提供了通道，改变了量子阱的开启顺序，并降低了具有大V形坑LED的工作电压。这些发现为分析和设计含V形坑的InGaN基LED提供了新思路。

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  • 支持维生素D合成的UVB-LED通用照明开发与效果分析
    效果分析 维生素D 紫外线B波段发光二极管 UVB-LED通用照明

    阳光中的紫外线参与维生素D的合成，这对维持健康至关重要。大多数体内维生素D通过日照合成，仅少量来自饮食。因此建议通过适度日照满足维生素D需求。然而维生素D缺乏仍是困扰众多人群的严峻问题。为解决该问题，学界已研究通过人工照明提供类日光特性的紫外光线。本研究采用普通漫射照明方式，为室内居住者引入能刺激维生素D合成的UVB-LED光源。但尽管此类照明技术取得进展，关于紫外B波段与维生素D合成的研究仍较有限。本研究旨在为室内居住者推荐UVB-LED照明方案，并通过动物实验验证其促进维生素D合成的效果。 为此，基于照明光生物安全性标准（IEC 62471），研发了提供安全剂量UVB的LED光源。随后在隔离系统中对比测试该新型照明与普通照明的效果。实验持续两周，检测受试动物（雄性Wistar大鼠）体内维生素D水平。照明时段设定为06:00~22:00（参照现代人平均日照时长及日出时间），通过尾静脉采血分析25-羟基维生素D[25(OH)D]含量。结果显示：实验第7天和第14天，UVB-LED照明组大鼠血液中25-羟基维生素D含量较普通照明组分别平均高出6.8%（0.97 ng/mL）和7.3%（0.9 ng/mL）。由此证实本研究所提照明方案能有效促进人体维生素D合成。

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实验方案推荐
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  • 材料科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：本研究采用冲击波诱导固态反应法，通过爆轰驱动冲击波装置产生高压高温引发反应。该方法将粉末混合物封装于钢制容器中，并利用炸药产生的冲击波进行处理。 2. 样品选择与数据来源：起始材料包括α-Si3N4粉末（H.C. Starck公司M11型）、自制锶棒制备的Sr3N2颗粒以及EuN粉末（Materion公司）。粉末在惰性条件下混合以避免污染。 3. 实验设备与材料清单：设备包含振动球磨机（Narva）、液压冲压机、带炸药的爆轰驱动冲击波装置、钢制容器、扫描电子显微镜（Jeol JCM-5700）、能谱仪（Bruker）、粉末X射线衍射仪（Seifert XRD 3000TT）、傅里叶变换红外光谱仪（Varian 670-IR）、元素分析仪（Leco ONH836）及光谱仪（CAS 140B）。材料包括Si3N4、Sr3N2、EuN、炸药及钢材。 4. 实验流程与操作步骤：粉末在氮气氛围下进行球磨混合，混合物压入钢容器后施加不同压力（18-41 GPa）和孔隙率的冲击波处理。冲击处理后回收样品，分析其相组成、形貌、元素含量及发光性能。 5. 数据分析方法：采用XRD数据的Rietveld精修进行物相分析，热气提取法进行元素分析，SEM与EDX分析形貌与成分，通过激发/发射光谱测定发光性能。

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  • 光电信息科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：制备了含与不含预层的两种InGaN基LED，以研究水平p-n结对光电特性的影响。 2. 样品选择与数据来源：采用二次离子质谱（SIMS）、扫描透射电子显微镜（STEM）和扫描电子显微镜（SEM）对样品进行表征。 3. 实验设备与材料清单：SIMS（CAMECA IMS-7F）、STEM（Tecnai G2 F20）、SEM（日立SU8100）、用于光致发光（PL）测试的380 nm激光器、直流电源（Keithley 2635），以及用于电致发光（EL）和I-V测试的光谱仪（Instrument Systems CAS140CT）与积分球（Instrument Systems ISP250-211）。 4. 实验步骤与操作流程：外延生长在Si(111)衬底上，使用Thomas Swan闭管式喷淋头金属有机化学气相沉积反应器完成。 5. 数据分析方法：通过PL、EL和I-V测量分析水平p-n结的影响。

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  • 高分子材料与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：研究对DGEBA/MHHPA环氧体系封装的RGB LED灯珠进行额定电流老化测试，随后采用阵列光谱仪、ATR-FTIR、XPS及量子化学计算分析其降解机理。 2. 样品选择与数据来源：使用独立封装芯片的RGB LED灯珠，在室温20mA电流下老化超过1000小时。 3. 实验设备与材料清单：阵列光谱仪（CAS 140 CT，Instrument System）、ATR-FTIR（岛津IR Affinity-1）、XPS（Thermo Fisher Scientific K-Alpha+）及用于量子化学计算的Gaussian 09程序。 4. 实验流程与操作步骤：LED灯珠在恒定电流下老化，定期测量其光电特性，采用ATR-FTIR和XPS分析化学结构变化，并通过量子化学计算确定最弱化学键。 5. 数据分析方法：利用红外光谱内标法对基团含量变化进行半定量分析，解析XPS光谱的化学价态变化，通过量子化学计算确定键解离能。

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厂家介绍

Instrument Systems成立于1986年，现已发展成为#领先#的高精度光谱仪、复杂系统和光谱光测量软件解决方案制造商之一。我们的名字代表着创新、一流的光测量技术和在极其广泛的应用范围内无与伦比的专业知识。 仪器系统为全球LED行业的高精度光谱辐射测量设置了有效的标准。为此，多年来，我们一直与DIN和CIE等标准化委员会和协会合作，并与领先的计量机构合作。

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