在现代光电系统和电子电工设备中,光学元件名称的准确识别与理解是确保系统设计、维护及优化的基石。无论是构建精密的光纤通信网络,还是调试复杂的激光加工设备,工程师和技术人员若对各类光纤元件、透镜、滤光片等关键部件的命名规则与功能特性模糊不清,极易导致选型错误、性能下降甚至系统故障。随着半导体器件与光电技术的深度融合,掌握规范的光学元件名称不仅关乎技术沟通的效率,
AVOZ-E1-B
HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT LASER DIODE DRIVER
顶刊高频之选
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专业选型
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正规认证
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品质保障
严格把控产品质量,呈现理想的光电产品,确保每一件产品都能满足您的专业需求。
概述
参数
- 恒流输出电压 / Compliance Voltage : 1 to 50 V
- 输出电流 / Output Current : 50 A
- 输出电压 / Output Voltage : 1 to 50 V
规格书
AI 智能分析
该产品已被1篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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具有非对称波导和靠近p-包层有源层的高功率1.5微米脉冲激光二极管
激光雷达 光脉冲产生 半导体激光器
我们报道了关于工作在人眼安全光谱范围(波长约1.5微米)且采用非对称波导结构的高功率脉冲半导体激光器的首次实验结果。该激光器的体活性层位置非??拷黳型包层,以消除波导p侧由电流引起的非均匀载流子积累及相关载流子损耗。通过适度掺杂波导n侧来强力抑制该区域内的非均匀载流子积累。高掺杂p型InP包层有助于降低串联电阻。一块解理后条宽为90微米的样品在80安培泵浦电流幅值下展现出约18瓦的输出功率。通过与实验对比验证的理论计算表明,通过优化波导厚度与掺杂以及提升注入效率,此类激光器的性能可得到进一步提升。
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光电信息科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:激光器采用非对称波导结构设计,将体活性层置于非??拷黳型包层的部位,以消除电流诱导的非均匀载流子积累。 2. 样品选择与数据来源:该半导体结构通过金属有机气相外延(MOVPE)生长而成。 3. 实验设备与材料清单:激光二极管由Avtech AVOZ-A3-B激光二极管驱动器产生的电流脉冲驱动,输出功率值通过Thorlabs S132C锗光电二极管传感器测得。 4. 实验步骤与操作流程:通过测量不同电流水平下的输出功率和光谱特性对激光二极管进行表征。 5. 数据分析方法:基于理论计算模拟激光器的性能,并与实验结果进行对比。
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766型短脉冲种子激光二极管驱动器
半导体激光器驱动器
Analog Module Inc.
输入电源: 4.75-5.25VDC 输入电流: 0.25-0.33A 触发电压(50Ω阻抗): 3.85-5.0V
AMI的Model 766短脉冲种子激光二极管驱动器专为驱动14针蝶形封装激光二极管模块而设计,适用于需要脉冲宽度小于1ns的应用。
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