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AVOZ-E4-B 半导体激光器驱动器

AVOZ-E4-B

分类: 半导体激光器驱动器

厂家: Avtech Electrosystems Ltd

产地: 加拿大

型号: AVOZ-E4-B

更新时间: 2024-08-24T17:51:44.000Z

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HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT LASER DIODE DRIVER

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概述

Avtech Electrosystems Ltd的AVOZ-E4-B是一款激光二极管驱动器,工作温度为5至40摄氏度,顺从电压为5至250 V,输出电流为125 A,脉冲宽度为500 ns至10μs,输出电压为5至250 V.有关AVOZ-E4-B的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 恒流输出电压 / Compliance Voltage : 5 to 250 V
  • 输出电流 / Output Current : 125 A
  • 输出电压 / Output Voltage : 5 to 250 V

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该产品已被1篇SCI论文引用

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  • 具有非对称波导和靠近p-包层有源层的高功率1.5微米脉冲激光二极管
    激光雷达 光脉冲产生 半导体激光器

    我们报道了关于工作在人眼安全光谱范围(波长约1.5微米)且采用非对称波导结构的高功率脉冲半导体激光器的首次实验结果。该激光器的体活性层位置非??拷黳型包层,以消除波导p侧由电流引起的非均匀载流子积累及相关载流子损耗。通过适度掺杂波导n侧来强力抑制该区域内的非均匀载流子积累。高掺杂p型InP包层有助于降低串联电阻。一块解理后条宽为90微米的样品在80安培泵浦电流幅值下展现出约18瓦的输出功率。通过与实验对比验证的理论计算表明,通过优化波导厚度与掺杂以及提升注入效率,此类激光器的性能可得到进一步提升。

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  • 光电信息科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择:激光器采用非对称波导结构设计,将体活性层置于非??拷黳型包层的部位,以消除电流诱导的非均匀载流子积累。 2. 样品选择与数据来源:该半导体结构通过金属有机气相外延(MOVPE)生长而成。 3. 实验设备与材料清单:激光二极管由Avtech AVOZ-A3-B激光二极管驱动器产生的电流脉冲驱动,输出功率值通过Thorlabs S132C锗光电二极管传感器测得。 4. 实验步骤与操作流程:通过测量不同电流水平下的输出功率和光谱特性对激光二极管进行表征。 5. 数据分析方法:基于理论计算模拟激光器的性能,并与实验结果进行对比。

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厂家介绍

您是否正在寻找脉冲发生器、放大器、脉冲激光二极管驱动器或半导体器件测试仪?这是正确的地方!AVTECH生产500多种标准型号,我们可以定制大多数型号以满足您的特殊要求。我们广泛的产品范围和40多年的经验(自1975年以来)使我们成为通用和高度专业化的“少有”应用的合理选择。我们的产品遍布50多个国家的实验室。

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