概述

参数

• 活性元件材料 / Active Element Material : epitaxial HgCdTe heterostructure
• 最佳波长 / Optimum Wavelength λOpt, μM : 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 8.0 10.6
• 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W / Detectivity D*(λPeak), Cm·Hz1/2/W : ≥1.0×10^11 ≥6.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥1.5×10^10 ≥5.0×10^9 ≥4.0×10^8 ≥2.0×10^8
• 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W / Detectivity D*(λOpt), Cm·Hz1/2/W : ≥7.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥3.0×10^10 ≥9.0×10^9 ≥2.0×10^9 ≥2.0×10^8 ≥1.0×10^8
• 电流响应度Ri(λopt), A/W / Current Responsivity Ri(λOpt), A/W : ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.3 ≥1.5 ≥0.8 ≥0.4
• 时间常数τ, ns / Time Constant τ, Ns : ≤280 ≤200 ≤100 ≤80 ≤50 ≤45 ≤10
• 电阻-活性面积积 / Resistance-Active Area Product R·A, Ω·Cm2 : ≥150 ≥3 ≥2 ≥0.1 ≥0.02 ≥0.0002 ≥0.0001
• 探测器温度Tdet, K / Active Element Temperature Tdet, K : ~230
• 活性面积 / Active Area A, Mm×Mm : 0.05×0.05, 0.1×0.1 0.05×0.05
• 接受角Φ / Acceptance Angle Φ : ~70°
• 窗口 / Window : wAl2O3 wZnSeAR

应用

特征

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