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光电二极管

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  • 光电探测器?？镻DM04-9113-CN 光电二极管

    光电探测器?？镻DM04-9113-CN

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 1.8ns

    我们的新系列光电探测器?？榧闪酥本段?5毫米和30毫米的光电倍增管以及低噪声、低功耗的高压电源，可提供圆柱形和矩形两种形式。该模块采用5V至15V范围内的低压电源供电，并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。

  • 13毫米光电倍增管 光电二极管

    13毫米光电倍增管

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 380nm 上升时间: 2ns

    光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

  • 9798B - 29毫米光电倍增管 光电二极管

    9798B - 29毫米光电倍增管

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 350nm 上升时间: 15ns

    光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块 光电二极管

    LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收?？?/a>

    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收?？榧闪薃PD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些?？樽ㄎ咚俚凸饽Ｄ庑藕诺募觳舛杓?。

  • 双面、超线性位置传感器PSD 光电二极管

    双面、超线性位置传感器PSD

    美国
    分类：光电二极管
    位置响应度: 3-150 A/W 检测误差: 0.04-14 nA 电容: 15-1500 pF 位置漂移: 0.04-1.4 μm / °C 电极间电阻: 15-1500 kΩ

    双面、超线性位置传感器（Duo-Lateral, Super Linear PSD）采用最先进的双侧技术，提供一个连续的模拟输出，该输出与光斑质心从活动区域中心的偏移量成比例，具有超高精度和宽动态范围，适用于光束对准、表面轮廓测量等应用。

  • OSD-E Series 光电二极管 光电二极管

    OSD-E Series 光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    温度: 22±2?C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 电容: 35 pF

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器，配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。

  • 大有源区高速探测器 光电二极管

    大有源区高速探测器

    美国
    分类：光电二极管
    响应度: 900nm, 0.54 A/W 电容: 48 pF 上升时间: 5.0 ns 噪声等效功率: 1.2 e-14 W/√Hz 有效区域: 7.1 mm2

    Large Active Area Photodiodes大活动面积高速探测器和辐射探测器旨在实现尽可能低的结电容，以获得快速响应时间，并可完全耗尽用于高能辐射测量。具有大有效面积、高击穿电压和快速响应时间，适用于高能粒子检测。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管

    Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm2 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 封装类型: TO-18, TO-5, TO-8, BNC, Plastic 响应度: 0.51-2.8 A/W

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器 光电二极管

    FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器

    美国
    分类：光电二极管
    输入光功率: --- - +5dBm 活动区域直径: 250μm 响应度: 3000V/W 跨阻抗: 8300Ω 光学过载: -3 - 0dBm

    FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250μm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

  • Photop?系列光电二极管放大器混合器 光电二极管

    Photop?系列光电二极管放大器混合器

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: φ 85 - φ 4500 mm2 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF 噪声等效功率: 1.4 e -14 - 2.9 e -13 W/√Hz 封装类型: TO-5 / TO-8 / Special

    Photop?系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围，集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop?系列光电二极管放大器混合器，特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽，适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

  • Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合 光电二极管

    Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 光电流: 详见规格表 响应度: 详见规格表

    Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管，以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求，所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

  • 塑料封装光电二极管系列 光电二极管

    塑料封装光电二极管系列

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 多种尺寸 响应时间范围: 多种范围 光谱范围: 350-1100 nm 封装类型: 多种类型 响应度: 多种值

    高质量和可靠性的塑料封装光电二极管系列产品。这些模制设备以多种形状和尺寸的光检测器和封装形式提供，包括行业标准T1和T13/4、平面和带透镜的侧视器以及表面安装版本（SOT-23）。它们非常适合在恶劣环境中安装在PCB和手持设备上。

  • SPOT系列分段光电二极管 光电二极管

    SPOT系列分段光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    活动区域: 0.25-19.6 mm2 响应度: 0.010-0.127 A/W 电容: 1-50 pF 噪声等效功率: 2.8e-15-1.9e-14 W/√Hz 上升时间: 0.60-0.65 ns

    SPOT系列分段光电二极管分为两个或四个独立的活动区域，具有高响应均匀性。适用于精确校准和中心定位，具有高精度、高速响应和优秀的时间及温度稳定性。

  • FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管 光电二极管

    FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000μm 响应度: 0.85~0.90A/W 响应度: 0.90~0.95A/W 元素间隙: 0.045mm

    FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管，分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰，非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

  • XUV Series 硅光电二极管 光电二极管

    XUV Series 硅光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考 光谱响应: 0.07 - 1100nm 并联电阻: 50到200MΩ 噪声等效功率: 2.9 x 10-15到4.1 x 10-14W/√HZ

    XUV Series独特的硅光电二极管系列，设计用于X射线区域的额外灵敏度，无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm（6eV到17.6KeV）的宽光谱范围内敏感，每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对，对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

  • 可焊接的光电二极管芯片系列 光电二极管

    可焊接的光电二极管芯片系列

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(M?)单位

    这是一系列可焊接的光电二极管芯片，提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大活动区域的光检测器，无论是否带有飞线以便组装，或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

  • 四边形位置传感器 光电二极管

    四边形位置传感器

    美国
    分类：光电二极管
    DSNU: 80 DSNU: ±0.010 DSNU: 50 DSNU: -15到+70 DSNU: 670

    四边形位置传感器（Tetra-Lateral Position Sensors）采用单一电阻层制造，适用于一维和二维测量。具有共用阳极和两个或四个阴极，用于一维或二维位置感应。适用于工具对准、水平测量和角度测量等多种应用场景。

  • 双层夹心探测器系列 光电二极管

    双层夹心探测器系列

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 2.54 φ (PIN-DSS), 1.50 φ (PIN-DSIn) 并联电阻: 50 Ω (PIN-DSS), 300 Ω (PIN-DSIn) 噪声等效功率: 1.3 e -14 W/√Hz (PIN-DSS), 2.1 e -13 W/√Hz (PIN-DSIn) 光谱范围: 400-1100 nm (Si top), 950-1700 nm (InGaAs) 峰值波长: 950 nm (Si), 1300 nm (InGaAs)

    双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series)，又称双色探测器，主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线，来测量温度。这些设备适合于光学远程测量，具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用，具有紧凑、密封性好等特点。

  • FCI-InGaAs-36C 光电探测器 光电二极管

    FCI-InGaAs-36C 光电探测器

    美国
    分类：光电二极管
    感光区直径: 36μm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF 暗电流: VR=5V --- 0.5 - 2nA

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管

    FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500μm X μm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W 响应度(λ = 1550nm): 0.90~0.95A/W 最大反向电压: ---~20V

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。