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半导体激光器

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  • 激光二极管ftld-1275-25m 半导体激光器

    激光二极管ftld-1275-25m

    德国

    FTLD-1275-25M是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1275nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1275-25M是一种连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1300-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1300-10s

    德国

    FTLD-1300-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1300-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1345-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1345-10s

    德国

    FTLD-1345-10S是基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1345nm激光二极管,采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1345-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1410-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1410-05s

    德国

    FTLD-1410-05S是一种基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1410nm半导体激光器。FTLD-1410-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1430-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1430-05s

    德国

    FTLD-1430-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1430nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1430-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1430-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1430-10s

    德国

    FTLD-1430-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1430nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1430-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1450-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1450-05s

    德国

    FTLD-1450-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1450-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1530-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1530-10s

    德国

    FTLD-1530-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1530-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1530-20s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1530-20s

    德国

    FTLD-1530-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1530-20S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1600-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1600-05s

    德国

    FTLD-1600-05S是基于AlInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-05S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1600-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1600-10s

    德国

    FTLD-1600-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1620-01s-btf 半导体激光器

    激光二极管ftld-1620-01s-btf

    德国

    FTLD-1620-01S-BTF是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-01S-BTF是连续单模注入半导体激光器。它采用蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1625-05s

    德国

    FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1625-10s

    德国

    FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1650-05s

    德国

    FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1650-10s

    德国

    FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1660-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1660-10s

    德国

    FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1670-05s

    德国

    FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1670-10s

    德国

    FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1690-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1690-05s

    德国

    FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。