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半导体激光器

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光电查为您提供3072个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • II-VI CMDFB1064A;1064nm种子源激光器;高输出连续波功率为 200 mW 半导体激光器

    II-VI CMDFB1064A;1064nm种子源激光器;高输出连续波功率为 200 mW

    激光类型: Pulsed 纤维类型: Single Mode 纤维芯直径: 5.5 um 光纤包层直径: 125 um

    II-VI CMDFB1064A 波长稳定的高功率单模激光器??楸簧杓莆龀逭砉庀思す馄骱椭苯颖淦涤τ玫墓庠础?位于激光腔中的分布式反馈光栅(DFB)可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率,这些功率在时间和温度下都非常稳定。

  • 795nm VCSEL;TO46封装带TEC;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用 半导体激光器

    795nm VCSEL;TO46封装带TEC;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 3mA 最大脉冲电流: 7mA T=85°C 最大直流电流(CW): 2mA

    单横模、795nm VCSEL,TO-46封装

  • LP520-SF15A 半导体激光器

    LP520-SF15A

    美国
    厂家:索雷博

    Thorlabs公司的LP520-SF15A是一款单模尾纤激光二极管,工作波长为520 nm.它的光输出功率为15 MW,斜率效率为0.25 MW/mA.该激光二极管具有高达2 V的反向电压和高达60 mA的阈值电流。它需要7 V的直流电源,功耗为100 mA.该激光二极管采用TO封装,尺寸为5.6 mm,具有1 m长的460HP光纤和FC/PC连接器。

  • OEwaves超窄线宽C波段激光器 半导体激光器

    OEwaves超窄线宽C波段激光器

    美国
    厂家:OEwaves

    C波段窄线宽激光??榘桓鲎ㄓ星?控制器和基于高品质因数(Q)回音壁模式(WGM)微谐振器的OEwaves激光源。该激光器可扩展到780-2200nm范围内的各种波长。OEwaves窄线宽激光??榈亩捞丶际跬ü逹 WGM微谐振器的谐振光反馈,利用合适的商用激光二极管的自注入锁定。它的单片集成方法,以及微尺度质量和体积,使激光器几乎对环境振动不敏感。

  • cmc-785-2000-1xx 半导体激光器

    cmc-785-2000-1xx

    美国
    厂家:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP)

    Sheaumann Laser的CMC-785-2000-1xx是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为2 W,工作电压为1.9至2.2 V,工作电流为2.1至2.5 A.有关CMC-785-2000-1xx的更多详细信息,请联系我们。

  • I1064SB0120PA 半导体激光器

    I1064SB0120PA

    技术: Distributed Feedback Laser (DFB)

    Innovative Photonic Solutions的I1064SB0120PA是一款激光二极管,波长为1064 nm,输出功率为0.12 W,工作电压为2.2 V,工作电流为0.4 A,输出功率(CW)为0.12 W.有关I1064SB0120PA的更多详细信息,请联系我们。

  • L850P030 半导体激光器

    L850P030

    美国
    厂家:索雷博

    Thorlabs Inc的L850P030是一款激光二极管,波长为850 nm,输出功率为0.03 W,工作电压为2至2.5 V,工作电流为0.065至0.095 A,输出功率(连续波)为0.03 W.有关L850P030的更多详细信息,请联系我们。

  • QFLD-1060-10S 半导体激光器

    QFLD-1060-10S

    美国
    厂家:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    来自Qphotonics的QFLD-1060-10S是波长为1065nm的激光二极管,输出功率为0至0.01W,工作电压为1.7V,工作电流为0.13 5至0.135A,阈值电流为41mA.有关QFLD-1060-10S的更多详细信息,请联系我们。

  • B-103 半导体激光器

    B-103

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-103是中心波长为1310nm的激光二极管。该器件采用1.8 V电源供电,输出功率为6.2瓦。该激光二极管采用B-mount封装,是自由空间光通信、军事/航空航天、激光雷达和医疗激光设备应用的理想选择。

  • b2-a64-2000-xxx 半导体激光器

    b2-a64-2000-xxx

    美国
    厂家:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP)

    Sheaumann Laser的B2-A64-2000是一种连续波激光二极管,工作波长为1064 nm.该激光二极管的光输出功率为2 W,斜率效率为0.7 W/A.它具有一个电压为8.7 V的内部TEC,电流高达2.2 A,阈值电流为0.3 A.该多模式激光二极管是电隔离的,具有一个内部热敏电阻和PD.该器件采用带FC/APC连接器的密封14引脚蝶形封装,是拉曼光谱、激光治疗、激光泵浦、医疗和国防应用的理想选择。

  • SFL1620P 半导体激光器

    SFL1620P

    美国
    厂家:索雷博

    Thorlabs Inc的SFL1620P是一款激光二极管,波长1620 nm,输出功率0.04 W,工作电压0.6 V,工作电流0至0.3 A,输出功率(CW)0.04 W.有关SFL1620P的更多详细信息,请联系我们。

  • 638纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器

    638纳米单频光纤耦合14引脚BF

    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated 纤维类型: Single Mode

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM??榛虼杏没Э膳渲梦露群凸β士刂频缱由璞傅耐耆赡??。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

  • LDX-3110-750 半导体激光器

    LDX-3110-750

    美国
    厂家:RPMC Lasers Inc.
    横模: TM

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3110-750是波长为750 nm、输出功率为1200 MW(光纤)至1500 MW、输出功率为1200 MW(光纤)至1500 MW、工作电压为1.9 V、工作电流为1600 mA的激光二极管。有关LDX-3110-750的更多详细信息,请联系我们。

  • cmc-830-2000-1xx 半导体激光器

    cmc-830-2000-1xx

    美国
    厂家:Sheaumann Laser

    来自Sheaumann Laser的CMC-830-2000-1xx是一款激光二极管,波长为830 nm,输出功率为2 W,工作电压为1.9至2.2 V,工作电流为2.4至2.7 A.CMC-830-2000-1xx的更多详情见下文。

  • 双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 660nm 50mW 半导体激光器

    双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 660nm 50mW

    美国

    iFLEX-Gemini?是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源,目前可用于一系列不同的波长对,例如488/640nm和405/515nm,是荧光、光谱和计量应用的理想选择,也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex?光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出,具有“即插即用”的多功能性,使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案,同时提供了比传统技术(如气体激光器)更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

  • 密集型1105 半导体激光器

    密集型1105

    美国
    厂家:Intense Limited

    来自Intense Limited的Intense 1105是波长为905 nm、输出功率为0.5 W、工作电压为2 V、工作电流为0.8 A的激光二极管。Intense 1105的更多细节可参见下文。

  • C-131 半导体激光器

    C-131

    美国
    激光增益介质: InP

    美国Seminex公司的C-131是一种波长为1650nm,输出功率为0.45W,工作电压为3V,工作电流为1.6A,阈值电流为50mA的激光二极管。C-131的更多细节可以在下面看到。

  • ARR97C040 - 1 半导体激光器

    ARR97C040 - 1

    美国
    厂家:Northrop Grumman
    堆栈/阵列: Array/Stack

    Northrop Grumman公司的ARR97C040-1是一种波长为808nm的激光二极管,输出功率为40W,工作电压为1.7V,工作电流为47A,阈值电流为12000mA.有关ARR97C040-1的更多详细信息,请联系我们。

  • B-103-108 半导体激光器

    B-103-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-103-108是波长为1310nm,输出功率为5.9W,工作电压为1.8V,工作电流为13A,阈值电流为500mA的激光二极管。有关B-103-108的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-780-150S 半导体激光器

    QLD-780-150S

    美国
    厂家:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 激光增益介质: InGaAs, AlGaAs or InGaAsP

    来自Qphotonics的QLD-780-150S是波长为779.8nm的激光二极管,输出功率为0至0.1535W,工作电压为2.08V,工作电流为0.193至0.212A,阈值电流为34mA.有关QLD-780-150S的更多详细信息,请联系我们。