研究目的
制备一种同轴半极性InGaN/GaN多量子阱（MQWs）微线阵列发光二极管，该器件在抑制效率衰减方面具有卓越性能。
研究成果
同轴半极性InGaN/GaN多量子阱微线阵列LED在抑制效率衰减方面表现出卓越性能，其效率衰减率低至9.7%，波长偏移量仅为3纳米。该器件优异的性能归因于半极性面上较弱的量子限制斯塔克效应，为未来光电子集成系统提供了极具前景的解决方案。
研究不足
制造高可控纳米/微米材料及器件的复杂性和低重复性阻碍了其实际应用。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD），在图案化硅衬底上制备了共轴半极性InGaN/GaN多量子阱微线阵列发光二极管。
2：样品选择与数据来源：
以n型硅片为衬底，通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积的SiO?层作为掩模。
3：实验设备与材料清单：
扫描电子显微镜（ZEISS Gemini 500）、扫描透射电子显微镜（Tecnai G2 F20）、用于光致发光（PL）测量的氦镉激光器（325 nm）、用于显微拉曼测量的532 nm激光器、高分辨率源测量单元（型号B2902，Keysight Technologies公司）用于电流-电压特性测试。
4：0）、扫描透射电子显微镜（Tecnai G2 F20）、用于光致发光（PL）测量的氦镉激光器（325 nm）、用于显微拉曼测量的532 nm激光器、高分辨率源测量单元（型号B2902，Keysight Technologies公司）用于电流-电压特性测试。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：包括光刻、湿法化学蚀刻、MOCVD生长AlN和GaN层、InGaN/GaN多量子阱沉积，以及采用ITO和金属接触的器件制备。
5：数据分析方法：
通过PL和显微拉曼测量分析光学特性，采用I-V测量表征电学特性，并记录电致发光（EL）光谱以评估器件性能。
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STEM
Tecnai G2 F20
FEI
Analysis of crystal quality and microscopic structures.
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Source/measure unit
B2902
Keysight Technologies, Inc.
Recording of current-voltage (I-V) characteristics.
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SEM
ZEISS Gemini 500
ZEISS
Characterization of detailed surface and cross-sectional morphologies of microwires.
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Excitation source for photoluminescence test equipment.
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Laser
Excitation source for micro-Raman measurements.
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