研究目的
研究紫外线辐射对发射强度损失及TEOLED器件性能的影响,并探索使用Yb:LiF作为电子注入层以提高其紫外可靠性。
研究成果
Yb:LiF(1:1,2纳米)作为TEOLED中的电子注入层,能显著提升器件抗紫外线辐照的稳定性,防止亮度衰减、工作电压升高和像素收缩,使其成为恶劣环境条件下应用的理想候选材料。
研究不足
该研究聚焦于紫外辐照下的降解机制及Yb:LiF作为电子注入层的潜力,但未深入探究湿度或温度变化等其他环境因素。
1:实验设计与方法选择
采用不同阴极单元(Yb : LiF/Ag : Mg 和 Mg : LiF/Ag : Mg)制备顶发射有机发光二极管(TEOLEDs),并对其进行紫外线辐射以研究性能退化情况。
2:样本选择与数据来源
制备了具有特定结构和材料的红、绿、蓝三色TEOLEDs,在紫外线辐射前后测量其性能。
3:实验设备与材料清单
使用Keithley 236测量J-V-L特性,PR-705分光光度计测量EL光谱,TEM(JEOL JEM 2100F)-FIB(FEI Scios)和EDS(Oxford X-Max 80T)进行微观分析,Nikon显微镜(ECLIPS L300N)观察像素图像,Atlas Ci-5000+型号设备进行紫外线辐射。
4:实验流程与操作步骤
通过真空蒸镀法制备器件并进行封装,随后暴露于紫外线辐射下,在辐射前后测量性能指标。
5:数据分析方法
利用TEM-FIB和EDS映射分析亮度衰减、驱动电压变化以及阴极单元中元素的物理分布。
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