研究目的
研究通过在n-ZnO纳米棒/p-Si异质结中插入二氧化硅和氧化锌（SZO）的穹顶形微结构来提升紫外光电探测器性能。
研究成果
在n型氧化锌纳米棒与p型硅衬底之间插入一个穹顶形的SZO中间层，通过充当减反射层并提升ZnONRs阵列的晶体质量，显著增强了紫外光电探测器的性能。研究发现SZO层的最佳沉积温度为200℃。
研究不足
该研究聚焦于SZO层沉积温度的优化及其对光电探测器性能的影响。其他因素如SZO层厚度和水热溶液浓度未作改变。
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插入穹顶形微结构以增强n-ZnO纳米棒/p-Si异质结紫外光电探测器性能
DOI：10.1016/j.jallcom.2020.153884
期刊：Journal of Alloys and Compounds
出版年份：2020
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
通过结合水热法和等离子体增强化学气相沉积技术，制备并表征了一种具有穹顶状微结构架构的二氧化硅-氧化锌（SZO）混合中间层。研究结果表明，200℃是形成穹顶状架构SZO层的最佳沉积温度，该层在紫外波段可作为减反射层，并作为生长氧化锌纳米棒（NRs）阵列的缓冲层。因此，在2.0V反向偏压下，采用穹顶状SZO层的p-Si/n-ZnO NRs光电二极管在紫外波段的明暗电流比相比可见光照射条件下提升了近三个数量级。
作者：
Kang Bok Ko，Beo Deul Ryu，Min Han，Chang-Hee Hong，Tuan Anh Doan，Tran Viet Cuong
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