研究目的
研究BaTiO3（BTO）薄膜的底电极/衬底构型、晶体微结构与电学性能之间的关系。
研究成果
衬底/电极取向显著影响BTO薄膜的晶体结构和电学性能。与(111)取向薄膜相比，外延和织构化的(110)取向薄膜展现出更优异的电学性能，这凸显了通过衬底控制取向来优化薄膜性能以实现器件应用的重要性。
研究不足
该研究仅限于衬底取向对BTO薄膜电学性能的影响，未探讨其他潜在影响因素如薄膜厚度或沉积温度变化等。
1：实验设计与方法选择：
通过射频磁控溅射在不同衬底上制备BTO薄膜，以研究衬底取向对薄膜电学性能的影响。
2：样品选择与数据来源：
薄膜沉积于（Sr0.5La0.5）CoO3（LSCO）缓冲的（110）-和（111）-SrTiO3（STO）衬底，以及SrRuO3（SRO）缓冲的（110）-和（111）-MgO（MGO）衬底上。
3：5La5）CoO3（LSCO）缓冲的（110）-和（111）-SrTiO3（STO）衬底，以及SrRuO3（SRO）缓冲的（110）-和（111）-MgO（MGO）衬底上。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：采用多靶射频磁控溅射系统进行沉积，本底真空为2.2×10^-4 Pa。衬底为单晶（10×10×0.5 mm^3）。
4：2×10^-4 Pa。衬底为单晶（10×10×5 mm^3）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：沉积过程包括在受控条件下溅射BTO、LSCO和SRO薄膜层。分别使用XRD和AFM表征薄膜的晶体取向和表面形貌。
5：数据分析方法：
采用金属/铁电体/金属模型分析电学性能，测量了漏电流和介电性能。
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