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采用高功率脉冲155kHz-ICP的感应耦合脉冲溅射(ICIS)空间光学发射特性的时间演化

DOI:10.1016/j.vacuum.2020.109283 期刊:Vacuum 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: 铜靶施加负偏压,通过155 kHz感应耦合等离子体(ICP)以突发脉冲模式产生的氩离子轰击溅射,持续时间为800微秒。该系统称为ICIS(感应耦合脉冲溅射)。ICP区域的等离子体密度约为10^19 m^-3。靶电流密度和功率密度分别约为0.8 A/cm2和0.3 kW/cm2。讨论了等离子体物种的光学发射随时间的变化。观测到的物种包括氩离子、激发态氩和激发态铜。整个区域由ICP、主体等离子体和靶等离子体组成。ICP中产生的氩离子通过双极扩散向靶传输,而激发态氩和激发态铜物种主要在靶等离子体中产生。观察到氩离子的平台发射和源自二次电子的高能电子的尖峰发射。氩气体的稀薄化也影响了特别是靠近靶区域的瞬时演化。使用碳靶对此进行了讨论。
作者: Ken Yukimura,Hisato Ogiso,Shizuka Nakano
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研究概述 实验方案 设备清单

为阐明感应耦合等离子体(ICP)与靶等离子体光学发射的时间演化过程,重点研究以铜靶为主的感应耦合离子源系统(ICIS)中光学发射的动态行为。

该研究成功阐明了ICP与ICIS系统中靶等离子体光学发射的时间演化过程。研究发现氩离子主要产生于ICP中,并通过双极扩散向靶材迁移,在此过程中靶材物质被溅射。高能电子(如二次电子)对激发态氩和铜物种的产生具有重要作用。铜靶与碳靶光学发射特性的差异归因于溅射产额和电离率的区别,这些因素影响了气体稀薄化和能量传递过程。

该研究聚焦于ICIS系统中光学发射特性的时间演化,主要采用铜靶材,并与碳靶材进行对比。其局限性包括实验的特定条件(如气压、功率密度),以及仅关注光学发射特性而未深入探讨其他等离子体性质或应用。

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