研究目的
展示一种基于核壳结构GaN/MoO3–x纳米棒阵列异质结体系的自供电紫外光电探测器,适用于空间通信与环境监测领域。
研究成果
基于核壳结构GaN/MoO3–x纳米棒阵列异质结的自供电紫外光电探测器展现出卓越性能,具有超高探测率、高响应度和快速响应速度,适用于下一代紫外检测应用。
研究不足
该研究聚焦于光电探测器在特定条件下的性能表现,未探讨制备工艺的长期稳定性或可扩展性。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用一步物理气相沉积法合成核壳结构GaN/MoO3–x纳米棒阵列,并在紫外光照射下评估光电探测器性能。
2:样品选择与数据来源:
通过射频等离子体辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长GaN纳米棒阵列,并在其表面沉积MoO3–x层。
3:实验设备与材料清单:
射频PA-MBE(MANTIS)、扫描电镜(日立S-4800)、X射线衍射仪(布鲁克D8)、高分辨透射电镜(FEI Tecnai G2 F20)、X射线光电子能谱仪(热电ESCALAB 250Xi)、半导体特性分析仪(是德科技B1505A)及氙灯-单色仪组合系统。
4:0)、X射线衍射仪(布鲁克D8)、高分辨透射电镜(FEI Tecnai G2 F20)、X射线光电子能谱仪(热电ESCALAB 250Xi)、半导体特性分析仪(是德科技B1505A)及氙灯-单色仪组合系统。 实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:先合成GaN纳米棒阵列,再沉积MoO3–x层,最后测量光电探测器的电学与光电特性。
5:数据分析方法:
根据实测数据计算响应度、探测率和响应时间等性能参数。
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Semiconductor device analyzer
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Photoresponse measurement of the UV photodetector.
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