研究目的
基于摩擦纳米发电机(TENG)引发的气体放电研究Cd(OH)2@ZnO纳米线薄膜表面离子的调控及其在提升性能的薄膜晶体管(TFT)和薄膜光电探测器(TFP)开发中的应用。
研究成果
基于TENG的SIG技术通过调控半导体纳米结构表面的离子,能够开发出具有增强性能(如高开关比和快速恢复速度)的新型电子和光电子纳米器件。
研究不足
该研究的局限性在于O2-离子在空气中的非挥发性,需要紫外线照射才能实现可逆调制。O2-离子的吸附速率受表面特性和环境条件的影响。
1:实验设计与方法选择:
本研究利用摩擦纳米发电机(TENG)诱导气体放电来调控Cd(OH)2@ZnO纳米线薄膜表面的离子。纳米线通过水热法和原子层沉积(ALD)技术合成。
2:样品选择与数据来源:
制备了具有不同ALD生长周期ZnO壳层的Cd(OH)2@ZnO核壳纳米线薄膜器件。
3:实验设备与材料清单:
包括TENG、全波整流桥、钨放电针和纳米线薄膜器件。
4:实验步骤与操作流程:
信号调制通过TENG运行周期使O2-离子吸附在纳米线表面,作为浮栅。使用紫外光进行"擦除"操作。
5:数据分析方法:
电学性能采用Keithley 4200-SCS半导体特性分析系统测量,并计算光电流灵敏度、紫外增益和时间常数。
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Keithley 4200-SCS
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Keithley
Semiconductor characterization system for measuring electrical properties.
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Keithley 6514
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Electrometer for measuring the quantity of charges.
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LED UV light source
M365FP1
Thorlabs, Inc.
UV light source with a center wavelength of 365 nm for illumination.
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SEM microscope
NOVA-450
FEI
Scanning-electron-microscopy for imaging nanowires thin-film.
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ALD system
Picosun-R200
Picosun
Atomic-layer-deposition system for growing ZnO shells on Cd(OH)2 nanowires.
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Cryogenic probe station
CRX-VF
Lake Shore Cryogenics
For measuring I-V curves at different temperatures.
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